Средства для подачи или выпуска газов и изменение потока реакционноспособных газов (C30B25/14)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)

C30B25 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы(3)

C30B25/14 Средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов(1)

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений a3b5 // 56402

2548389.