Выращивание кристаллов (C30)
C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)
C30B - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)
Полезная модель относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например, лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и других тугоплавких соединений, по способу Степанова, эллиптической формы, которые могут быть использованы в лазерной технике, приборостроении, машиностроении.
Технический результат расширение функциональных возможностей за счет контактирования и вступления в реакцию большего числа реагентов без перенастройки устройства, а также обеспечение разборности конструкции.
Полезная модель относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов неорганических соединений из расплава методом вертикальной направленной кристаллизации, в частности фторидных кристаллов, которые широко используются, например, в электронно-оптических приборах.
Полезная модель относится к области производства кристаллов и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.
Полезная модель относится к оптической обработке информации и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.
Полезная модель относится к области производства кристаллов и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.
Полезная модель относится к области производства кристаллов и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.
Полезная модель относится к области производства фотоэлектрических систем преобразования солнечной энергии в электрическую и может быть использована для изготовления солнечных активных элементов.
Технический результат непрерывный визуальный контроль давления паров внутри замкнутого объема. .
Полезная модель относится к устройству для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского, в частности, к устройству для выращивания монокристаллов германия.
Полезная модель относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов неорганических соединений из расплава методом вертикальной направленной кристаллизации, в частности фторидных кристаллов, которые широко используются, например, в электронно-оптических приборах.
Полезная модель относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например, лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и других тугоплавких соединений, по способу Степанова, которые могут быть использованы в приборостроении, машиностроении, химической промышленности..
Полезная модель относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов, а именно порошкового нитрида алюминия для использования в производстве металлокерамических, керамических, композиционных и др.
Изобретение относится к производству поликристаллического кремния (ПК) и касается устройства для конверсии тетрахлорида кремния в ПК и его вывода из реакционной зоны с целью получения фотогальванических преобразователей энергии.
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания стержней поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).