Устройство автоматического смещения

 

УСТРОЙСТВО АВТОМАТИЧЕСКОГО СМЕЩЕНИЯ, например, подложки иитег- . ральной схемы, содержащее конденсатор , МДП-транзистор заряда, инвертор на ДЦП-транзисторах, в котором один вьгоод конденсатора соединен с выходом инвертора, вход которого подкгаочен к входной шине, второй вывод конденсатора соединен с выходной шиной и со сток Мда-транзистора заряда , исток которого подключен к общей шине, отличающееся тем, что, с цепью побышения надежности путем увеличения напряжения смещения , в него введены резистор, включенный меащу выходом инвертора и затворсн4 .транзистора заряда, и дополнительный ВДП-транзистор, затвор которого соединен с.входной шиной, а сток и исток соединены соответсвенно со стоком и затвором МОТ-транзистора заряда. g

„.SU„„995673

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

«(д) Н 02 И 7/217

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОС5ЩАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОтНР1 1ТИ?1

H АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3275649/18-21 (22) 15.04. 81 (46) 15.05.85,вюл. В 18 (72) А.С.Свердлов и Р.Я.Попова (53) 621. 374(088.8) (56) 1. Электроника 1977, В 14, с.5.

2. Computer Design, 1927, V.16, И 9, р. 100. (S4)(5?) УСТРОЙСТВО АВТОМАТИЧЕСКОГО

СИЕ111КНИЯ, например, подложки интегральной схемы, содержащее конденсатор, МДП-транзистор заряда, инвертор на,МДП-транзисторах, в котором один. вывод конденсатора соединен с выхо. дом ннвертора, вход которого подключен к входной шине, второй вывод конденсатора соединен с выходной шиной и со стоком ИДП-транзистора заряда, исток которого подключен к общей шине, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыпення надежности путем увеличения напряжения смещения, в него введены резистор, включенный между выходом инвертора и затвором .транзистора заряда, и дополнительный ИДП-транзистор, затвор которого соединен с,входной шиной, а сток и исток соединены соответсвенно со стоком и затвором ХЦП-транзистора заряда.

99567 3

Изобретение относится к преобра-1 эовательной технике, в частности к преобразователям энергии в интеграль.ных микросхемах и может быть использовано в иптегральных микросхемах для создания напряжения смещения на подложке.

Известны устройства смещения подлохжи интегральной схемы, содержащие генератор напряжения Я . )Q

Но для известных устройств требуется специальный канал питания для смещения подложки„ что усложняет устройство.

Известно устройство автоматичес- 15 кого смещения подложки интегральной схемы. соцсржащее инвертор и конденсатор,, включенный последовательно с МДП-транзистором заряда, затвор которого соединен с его стоком, а 2р исток — с общей шиной. Б этом устройстве смещение подложки происходит sa счет разряда накопительного конденсатора. Во время действия импульсов конденсатор заряжается, а после пре- д кращення импульса он разряжается на емкость поцложки относительно общей шины 3?).

Такое устройство является наибо-. лее близким по технической сущности и достигаемому результату к описываемому изобретениюе Недосгатком извест

Но1о Q"c äoéeTn . являетсa HasKoe напряжение смещения, обусловленное подключением затвора МДП-транзистора заряда к его стоку.

Цель изобретения - повышение надежности путем увеличения напряжения смещения подложки.

Для достижения поставленной цели в устройство автоматического смещения подложки интегральной схемы, соцержащее конденсатор„ МДП-транзистор заряда, инвертор на МДП-транзисторах„ в котором один вывод конденсатора coe- <> динен с выходом инвертора, а вход которого подключен к входной шине, второй вывод конденсатора соединен с выходной шиной и со стоком МДП-транзистора заряца,исток которогоподключен к общей шине, введены резистор, включенный между выходом инвертора и затвором МДП-транзистора заряда, и дополнительный МДП-транзистор, затвор которого соединен с входной линой, а ээ сток и исток соединены соответственно со стоком и затвором МДП-транзистора заряца.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства автоматиче ско го смещения подложки.

Устройство содержит инвертор 1, используемый в качестве источника импульсного напряжения, шину питания

2, входную шину Э, накопительный конденсатор 4, ИДП-транзистор заряда 5, резистор 6, дополнительный МДП-транзистор 7, выходную шину 8, общую шину 9. В качестве резистора 6 может быть использован транзистор со встроенным каналом в реэистивном включениие

Выход инвертора подключен к одной обкладке конденсатора 4, другая обкладка которого соединена с выходной шиной 8, с токами дополнительного

МДП-транзистора 7 и ИДЯ-транзистора заряда 5. Исток последнего подключен к общей шине 9, а затвор — к истоку дополнительного ИДП-транзистора 7 и через резистор — к выходу инвертора 1. Затвор дополнительного МДП-транзистора 7 соединен с входом инвертора. Зв

Устройство работает следующим обраэаме

При закрытом состоянии инвертора 1 высокое напряжение с его выхода заряжает конденсатор 4 почти до напряжения питания иа шине 2, так как ИДПтранзистор 5 открыт высоким напряжением, поступающим на его затвор с выхода инвертора через резистор 6.

При переключении инвертора импульсом напряжения первая обкладка конденсатора 4 соединяется с общей шиной 9, а на второй обкладке возникает

Напряжение с полярностью, противоположной полярности питающего напряжения. Конденсатор 4 разряжается на подложку интегральной схемы, заряжая ее до определенного потенциала. Во время разряда конденсатора 4 ИДИ-транзистор 7 открыт, соединяя сток ИДПтранзистора заряда 5 с его затвором.

Поэтому на затвор ИДП-транзистора заряда 5 передается с его стока запирающее напряжение, что предотвращает потерю части заряда конденсатора 4 при его разряде из-за каналь;::ога тока

МДН-транзистора заряда 5.

Таким образом, благодаря управлению затвором МДП-транзистора заряда

5 от выхода инвертора обеспечивается его низкое сопротивление в открытом состоянии и тем самым уменьшается

3 . 995673 4 выходное сопротивление устройства и 5 В (стандартное значение для cosye увеличивается напряжение на конденса-. менных и-канальных 1 ЩП-интегральных торе 4, что, в свою очередь, увеличи- схем) увеличивается тем самыми почти вает напряжение смещения . на 30-50Х. Приблизительно в два раза

Выигрыш в напряжении смещения со- g уменьшается и выходное сопротивление ставляет приблизительно 1 В; Íàïðÿæå- устройства автомагического смещенияние смещения при напряжении питания подложки.

Сос гавитель В.Йагурин

Редактор С. Титова Техред Ж. Кастелевич Корректор И. Эрдейи

Заказ 2845/4 Тираж 64б Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Филиал ППП - Патент", r.ужгород, ул.Проектная, 4