Устройство задержки

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических реслублик «993473 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22)Заявлено 030781 (21) 3311459/18-21 с присоединением заявки ¹ (зим.кл.

Н 03 К 17/28

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий (23) ПРиоРитет 18087 9в

Опубликовано 300183.бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 300183

f13) УДК б21.374.5 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.П.Сайчев и О.Ф.Чепуренко (71) Заявитель

*f Q pygmy, : (54) УСХРОЙС1 ВО ЗАДЕРЖКИ

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для при- . менения в радиотехнической, аппаратуре различного назначения.

Известно устройство задержки, содержащее одновибратор, выполненный по схеме генератора фантастронного типа, фиксирующий диод подключенный к коллектору одного из транзисторов одновибратора, источник фиксирующего напряжения, например интегрирующий конденсатор, подключенный к источнику входных импульсов через эмиттерный повторитель и дифференцирующую цепь, а к фиксирующему диоду — через другой эмиттерный повторитель (1 ) „Устройство сложно к имеет недостаточную точность.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство задержки, выполненное на трехтранэисторном фантастроие 2» .

Длительность задержки в известном устройстве определяется произведением сопротивления времяэадающего резистора на емкость хронирующего конденсатора, что не позволяет сформировать задержку, пропорциональную количеству импульсов, поступивших на управляющий вход фантастрона.

Цель изобретения — получение задержки, пропорциональной количест-. ву импульсов, поступивших на управляющий вход Фантастрона.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве задержки, содержа щем фантастрон, выполненный на трех транзисторах и-р-и типа проводимости, хронирующая цепь выполняется в виде емкостного накопителя, содержащего нормирующий транзисторный каскад, включенный по схеме с общим эмит-" тером между шиной питания и общей точкой схемы, коллектор которого через. резистор соединен с одной обкладкой дозирующего конденсатора нако. ,пителя,а его вторая обкладка соедине — на с эмиттером транзистора линейного ключа, выполненного по схеме с общей базой на транзисторе р-и-р типа проводимости,и катодом диода, анод последнего н резистор базовой цепи упомянутого р-п;р транзистора соединена= с шиной, питания, при этом к общей точке подключения коллекторов ключевого транзистора Фантастрона и р-и-р транзистора подсоединена одна обкладка накопительного конденсатора, а другая — к базе токостабилиЗ0 зирующего транзистора фантастрона.

993473.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема задержки на фантастроне.

Схема состоит из трехтранзисторного фантастрона 1 беэ времязадающе-. го резистора и емкостного накопителя 5 беэ накопительного конденсатора. Хронирующий конденсатор фантастрона 1 является одновременно накопительным для емкостного накопителя..

В предлагаемом устройстве хрони- 10 рующая цейь состоит иэ накопительно/ го конденсатора 2, линейного ключа на транзисторе 3, доэирующего конденсатора 4, диода,5, ограничительного резистора б, нормирующего транэис- 5 тора 7. Управляющие импульсы на накопитель подаются по входу 8„ а импульсы запуска фантастрона — по входу 9. Источник питания включается между выводом 10 и общей точкой схемы. Выходной импульс фантастрона регистрируется на выводе 11.

Фантастрон выполнен на токостабилиэирующем транзисторе 12, транзисторе 13 и .ключевом транзисторе 14 °

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии транзистор

7 нормирующего каскада открыт и находится в насыщении. Дозирующий конденсатор 4 заряжен по цепи источник питания — диод 5 — резистор б — коллектор-змиттер транзистора 7 — минусовая шина источника питания. При этом транзистор 3 линейного ключа эыкрыт, так как у него напряжение 35 на базе равно напряжению на эмиттере.

Накопительный конденсатор 2 разряжен.

Транзистор 12 закрыт.

С приходом отрицательного импульса на вход 8 накопителя транзистор 40

7 закрывается, а дозирующий конденсатор 4 начинает разряжаться по цепи эмиттер-коллектор транзистора

3 — накопительный конденсатор 2— токостабилизирующий транзистор 13, 45

"передавая при этом заряд на кондейса тор 2. Как только потенциалы на конденсаторах выравняются, прекращается передача заряда с дозирующего конденсатора 4 на накопительный конденсатор 2 и транзистор 3 закрывается.

С приходом следующего импульса процесс повторяется.

Если на вход 8 поступит и импульсов отрицательной полярности, то на конденсаторе 2 накопится напряжение, пропорциональное и. Запускающий импульс поступает на вход 9 устройства,дифференцируется входной цепью и в фантастроне начинается релаксационный процесс, причем длительность сфор- 60 мированиого импульса пропорциональ- ° на, количеству импульсов и, поступивших на вход 8 накопителя. Очевидно, что частота следования импульсов эайуска по входу 9 много меньше частоты следования импульсов записи, поступающих на вход 8 накопителя..

Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде микросхемы на бескорпусных транзисторах типов

2Т324, 2Т360 и:конденсаторах типа

К10-17в по гибридной тонкопленочной технологии. Проигрывая несколько в точности, предлагаемое устройство позволяет значительно упростить ус- . тройства квантованной задержки, которые,как правила, выполняются с применением логических и счетных схем, кроме того, оно имеет малую потребляемую мощность и может найти применение в малогабаритной телеметрической аппаратуре связи.

Формула изобретения

Устройство задержки, содержащее фантастрон, выполненный на трех транзисторах п-р-.п типа проводимости, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью получения задержки, пропор> цион аль ной количест ву импульсов, поступивших на управляющий вход устройства, хронирующая цепь выполнена в виде .емкостного накопителя, содержащего нормирующий транзисторный каскад, включенный йо схеме с общим эмиттером между шиной питания и общей точкой схемы, коллектор которого через резистор соединен с одной обкладкой доэирующего конденсатора накопителя, а его вторая обкладка соединена с змиттером транзистора линейного ключа, выпрлненного по схеме с общей базой на транзисторе р-п-р типа проводимости, и катодом диода, анод последнего и резистор базовой цепи у омянутого р-и-р транзистора соединены с шиной питания, при этом к общей точке подключения коллекторов ключеного транзистора фантастрона и р-и-р транзистора подсоединена одна обкладка накопительноГо конденсатора, а другая .- к базе токостабилизирующего транзистора фантастрона.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 506939 кл. H 03 5/13, 13.08.73 °

2. Важенина 3.П. и др. Методы и схемы временной задержки импульсных сигналов. М., Советское радио, 1971, с. 46-62 (прототип).

993473

Тираж 934 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 507/76

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул, Проектная, 4

Составитель И.Радько

Редактор Н.Ковалева ТехредТ.Фанта Корректор А.Ференц