Способ обработки полупроводников и структур полупроводник- диэлектрик (его варианты)
1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.
2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят импульсом СВЧ-излучения длительностью не более 10-4 с, основной частотой излучения 100 МГц - 10 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-импульса 100 - 3000 Дж/см3, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения длительностью 
= 10-4 - 10-9 с, основной частотой излучения f ~ 2550 - 3000 МГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-импульса ~ 1600 - 1800 Дж/см3.
= 10-4 - 10-9 с, основной частотой излучения f ~ 900 - 1150 МГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-импульса ~ 500 - 540 Дж/см3. 5. Способ по п.2, отличающийся тем, что производят нагрев структуры антимонид индия - двуокись кремния, легированной ионами примеси, импульсом СВЧ-излучения длительностью = 10-4 - 10-9 с, основной частотой излучения f ~ 100 - 120 МГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-импульса ~ 420 - 450 Дж/см3. 6. Способ по п.2, отличающийся тем, что нагрев кремния, легированного ионами бора, производят импульсом СВЧ-излучения длительностью = 10-4 - 10-9 с, основной частотой излучения f ~ 2870 - 30000 МГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-импульса ~ 2200 - 2400 Дж/см3.
