Одновибратор

О П И С А Н И Е (983987

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советсиик

Социалистические

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 20.06.79 (21) 2784456/18-21 (S l ) Кл с присоединением заявки М—

Н 03 Х 3/284

3Веудеретваивб комитет

СССР ае аелэм вэебретеивв и еткрытвй (23) Приоритет—

Опубликовано 23.12.82. Бюллетень № 47

Дата опубликования описания 03.01.83 (53) УДК 621;374. .5 (088.8) ° c

1 ю Ъ т;,»

Ъ

1 (72) Автор изобретения

М. И. Богданович

«()

Вычислительный центр Белорусской республик ской" ""--" ---; конторы Госбанка СССР

% (7l ) Заявитель

{54) OQHOBHEPATOP!

Изобретение относится к вычислительнои технике и может быть использовано в различных устройствах автоматики, телемеханики и вычислительной техники в качестве, например, формирователя импуль5 сов, элемента задержки, реле времени и т.д.

Известны одновибраторы, выполненные на полупроводниковых элементах с исполь-. зованием времяэадаюшей РС-цепи (1 3 щ ,и (23 °

Недостаток таких одновибраторов заключается в низком КПД, обусловленном малой амплитудой выходных импульсов, составляюшей часть напряжения источника15 питания.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является одновибратор, содержащий времязадаюшую Rtцепь и два транзисгора разного- типа про-20 воднмости Г3 3.

Недостаток известного устройстванизкий КПД, обусловленный малым отношепнем величины напряжения выходных импульсов к величине напряжения питания.

Бель изобретения — повышение КПД.

Бель достигается за счет того, ч го в одновибраторе, содеркащем подключенную между шиной питания и обшей шиной вре мязадаюшую Rt-цепь и. два транзистора разной проводимости, включанные по схеме эквивалента двухбазового диода, причем эмиттер р-и-р транзистора подсое« динен к выходу ЯС-цепи, а коллектор и-р-и транзистора, подсоединенного эмиттером к обшей шине, подключен к выходу устройства и через резистор - к шине питания, в качестве р-и-р транзистора использован двухэмиттерный транзистор, подключенный вторым эмитте ром через резистор к шине питания и, кроме того, введен стабилнтрон, подключенный анодом к коллектору p- -p транзистора, а катодом - к выходу Rc цепи.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора. и на выходе 6 возникнет высокий потея» циал. Конденсатор 3 начнет заряжаться через реэис гор 4 от шины 5 питания, через некоторое время, определяемое величиной резис гора 4 и конденсатора 3, напряжение на конденсаторе 3 превысит напряжение стабилизации стабилитрона .

8, и ток, возникший через стабилитрон, приведет к лавинообразному процессу включения транзисторов 1 и 2, в результате чего на выходе 6 исчезнет высокий потенциал, закончится формирование выход- ного импульса, Таким образом, стабилятрон определяет порог включения эквивалента двухбаэового диода, делает его независимым от напряжения питания устройства, и благодаря отсутствию резисторного делителя для задания порога достигается "увеличение амплитуды выхоцных импульсов до напряжения питания и повышается КПД устройства.

Одновибратор, содержащий подключенную между шиной питания и общей шиной времязадающую Rc öeïü и два транзистора разной проводимости, включенные по схеме эквивалента двухбаэового диода, причем эмиттер р-и-р транзистора подсоединен к выходу RC-цепи, а коллектор п-р-п гранзистора, подсоединенного эмит гером к общей шине, подключен к выходу .ус гройства и через резистор - к шине питания, отличающийся тем, что,с целью повьпцения КПД, в качестве

p- -p транзистора использован двухэми терный транзистор, подключенный вторым эмиттером через резистор к. шине питания и, кроме того, введен стабилитрон, подключенный анодом к коллектору р-п р транзистора, а катодом — к выходу Я -, цепи.

Источники информации, принятые во внимание при экспергизе

1. Патент США 34 3961207, кл. К ОЗ.К 3/284, опублик. 1967.

2. Авторское свидетельство СССР

% 832710, кл. H 03 К 3/284, 1979.

3. Авторское свидетельство СССР

% 739715, кл. и 03 К 3/017, 1976 (прототип).

3 МЗйй

Одновибратор содержит и-р-и транзистор 1, база и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой р п-р транзистора 2. Эмит гер транзисторе 1 соединен собшей шиной,,первый эмиттер транзистора 2, через конденсатор 3 времязадающей RC-цепи соединен с обшей шиной и через резистор 4 RC-цепи соединен с шиной 5 питания. Точка соединения коллектора транзистора 1 с базой транзис и тора 2 подключена к выходу 6 устройства и через резистор 7 нагрузки - к шине

5 питания. Анод стабилитрона 8 подключен .. к точке соединения первого эмиттера транзистора 2 с конденсатором 3 и ре» зистором 4, второй эмиттер транзистора

2 соединен с входом 9 запуска и через резистор 10 подключен к шине 5 питания.

Одновибратор работает следующим образ оме 20

После подключения питания конденсатор

3 разряжен и транзисторы 1 и 2 нахо дятся в закрытом состоянии. Конденсатор

3 заряжается через резистор 4 от шины 5 питания. Когда напряжение на кон; денсаторе 3 превысит напряжение стаби« лизации стабилитрона 8, последний откро ется. Ток стабилитрона 8 проходит через переход база - эмчттер транзистора 1, что прйводит к возникновению тока коллектора транзистора 1, который сместит переход база второй эмиттер транзистора 2 в пряМом направлении и приведет к возникновению тока коллектора транзистора 2 и к еще большему открыванию транзистора 1, в результате чего возникнет лавинообразный процесс открывания и насыщения обоих транзисторов. Конденсатор 3 - разрядится через первый эмиттер транэис гора 2 и через насыщенные транзисгоры 1 и 2.

Данный процесс приведет к исходному состоянию одновибратора, в котором оба транзистора открыты и удерживаются в насыщенном состоянии током через резистор 10, причем на выходе 6 поддеркивается низкий потенциал.

При подаче на вход 9 запуска отрицательного импульса (или закорачивания вхоца 9 на общую шину) ток второго эмиттера транзистора 2 уменьшается до нуля, а тока, протекающего через резистор 4 и первый эмиттер транзистора 2, недостаточно для удержания транзисторов

1 и 2 в насыщейном состоянии (для это го величина резистора 4 должна быть дос-, 55 таточно большой), транзисторы закроются, Формула изобретения

Составитель И. Горелова

Редактор Н. Егорова Техред Е.Xapsz ончик Корректор С. Шекмар

Заказ 9953/72 Тираж 959 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

l13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4