Способ получения фотографий
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ х a8T0vcxoev cseggraascmv
Союз Советских
Социалистических
Республик
<и>980055 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09,04. 81 (21) 3278803/28-12 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет
Опубликовано 07.12.82, Бюллетень ¹ 45
Дата опубликования описания 071282 (5 ) Я. Яд.з
G 03 С 5/00
Государственный комитет
СССР по делам изобретений н открытий
РЗ) УДК 771,5 (088 ° 8) ! (f
f !
t
4 (72) Авторы изобретения
Б.Т.Коломиец, В.М.Любин и В.П.Шило
Ордена: Ленина физико"технический институт им. A.ô.ÈîÔôå (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФО1ОГРЛФИЯ
Изобретение относится к способу получения фотографий и может быть ис-. пользовано в области фотографии.
Известны способы получения фотог рафий на пленках эмульсий, содержащих значительное количество солей серебра и напыленных на подложки иэ лавсана или бумаги, причем способы осуществляются путем проектирования на пленки эмульсий оптического иэображения и последующей химической обработки, включающей этапы проявления, промывания и фиксации (1).
Наиболее близким к предлагаемому является способ получения фотографий с использованием уменьшенного количества серебра, в котором пленку халь когенидного стеклообраэного полупроводника (ХСП), находящуюся на стеклянной, лавсановой или металлической подложке и покрытую тонким слоем серебра, проектируют оптическое иэображение, после чего осуществляют не-. которую обработку (2).
Сущность этого способа заключается в том, что в освещенных участках происходит ускоренная диффузия серебра в пленку ХСП, в результате чего изменяются оптические свойства этих участков. Процесс последующей химической обработки заключается в растворении остатков серебра.
Цель изобретения - улучшение передачи полутонов, повышение разрешающей способности и срока хранения фоточувствйтельных материалов при одно. временном обеспечении воэможности изготовления как негативных, так и
1О-позитивных фотографий.
Указанная цель достигается тем, что в способе получения фотографий, включающем напыление на подложку халь. когенидного стеклообразного полупроводника на основе As и $е, экспонирование оптического изображения и химическую обработку, согласно изоб» ретению, в качестве халькогенидного стеклообразного полупроводника используют соединенные формулы
As тОО-Х Ве„, гДе 60 т X З 35, а в качестве подложки - бумагу, и химическую обработку ведут аминосодержащим органическим соединением в случае негативного изображенйя, или раствором щелочи в случае получения позитивного изображения.
При увеличении параметра х>60 резко снижается светочувствительность процесса, а при уменьшении параметра х<35 не удается подобрать раствори980055
Формула изобретения
Составитель B.Безбородова
Редактор Н.Безродная Техред М.Надь
KoppeêToð Г.Решетник
Заказ 9356/37 Тираж 488 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5
Филиал ППП Патент, r.Óæroðoä, ул.Проектная, 4 тель,обеспечивающий требующееся различие Скоростей растворения облученных и необлученных участков пленки ХСП.
Получение фотографий на основе использования пленок ХСП осуществляется эа счет эффекта фотоструктурных превращений в ХСП, сопровождающегося изменением ряда оптических и .фиэикохимических csoAcTB Эта возможность основывается на том факте, что при фотоструктурных превращениях в гете" роатомных ХСП одни межатомные связи усиливаются, а другие ослабляются.
Если выбрать растворитель, взаимодействующий с теми связями, которые при освещении усиливались, то освещенные участки будут растворяться медленнее, чем неосвещенные и в результате будет получено негативное изображение.
При выборе растворителя, взаимодействующего с ослабленными связями, освещенные участки будут растворяться быстрее, создавая позитивное изображение.
В случае использования в данном процессе ХСП состава. As sg y Se npu
60 3 х .35 негативные изображения могут быть получены при применении в качестве растворителей органических веществ аминного ряда, в частности диметиламина. Для получения позитивных изображений в качестве раствори- 3() телей могут быть взяты щелочные растворы, преимущественно растворы КОН.
Таким образом, вся совокупность признаков обеспечивает достижение поставленной цели и является сущест- 35 венной.
Способ апробирован в лаборатории фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
Пленку ХСП системы As " Se соста" 4О ва Ав5 Яе4 наносят на подложку из бумаги (марка основа фотобумаги с плотностью 235 г/м ) путем saкуумного напыления со скоростью
0,125 мкм/мик.Пленка имеет толщину .0,5-1,0 мкм. Проектирование на пленке ХСП проводят полихроматическим светом с помощью диапроектора Свитяэь (освещенность 2;10 лк) в тече ние 3 мин. В качестве растворителя применяют растворы диметиламина и бихромата калия. Травление проводят при комнатной температуре в течение
1-2 мин. Для получения позитивного изображения цроВодят ту же технологию получения пленки и проектирование,а химическую обработку осуществляют в
10%-ном растворе калиевой щелочи в те чение 0,5-1,0 мин ° Отпечатки получают в зависимости от вариаций состава ХСП в прецелах 60 .х)35 от светло-корйчневого до темно-коричневого цвета.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет получить бессеребряную фотографию; высокую разрешающую спо» собность (5500 лин/мм †. получено изоб. ражение дифракционной решетки с таким разрешением); высокий контраст ,(при Я = 0,48 мкм и толщине пл.As
Se х 0,5" 1,5 мкм, К = 103- 10 ), а (00-% также высокое качество передачи по1лутонов.
При этом долго хранятся Материалы. Деградации материало. н, наблюдается в течение 1,5-2 лет.
Предлагаемое изобретение д:..ет возможность осуществить экономию серебра в год до 100 т на сумму 150 м †.н.руб.
Способ получения отогрлфкй, включающий напыление на подложку халькогенидного стеклообразного полупроводника на осн"ве Аз, экспон..po:-:<..яе оптического изображени: вЂ, и химическую обработку, о т л и г к шийся тем, что, с целью улучшения ;=.редачи полутонов, повышения разрешающе .; "пособности и срока хранения фоточувствительных материалов при одновре,.:енном обеспечении возможности нзгот, зления как негативных, так н позити= -x фо- тографий, в качестве хальког --,.дного стеклообразного полупроводни . используют соединение формулы
Аз оо х Бе„, где 60 Ъ х, =, а в качестве подложки — бумагу, и химическую обработку ведут аминосодержащим органическим соединение:. в случае получения негативного изображения или раствором щелочи в случае получения позитивного изображенн ., Источники информации, принятые во внимание ри экспертизе
1. Миз К. Теория фотогр .фических процессов. Пер. c e.Hr . roc q ред.
I0,М.Гороховского.М,-Л., Гостехиэдат, с. 214-228, 357"382, 1949, 2. Патент Франции Р 2135. C (B), кл. 603 С 5/00, 1971 (прототип) °

