Резистивный материал и способ изготовления толстопленочных резисторов на его основе

t (72) Авторы изобретения

Г. А. Калашников, Н. Н. Кучеренко, А. И. Генес и Г. М. Белицкая (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, наIIDHMpp в микроэлектронике для изготовления толстопленочных резисторов.

Известен резистивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор. Толстопленочные резисторы на его основе. изготовляют путем нанесения на диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее (1) .

Недостатки известного резистивного материала и способа изготовления толстопленочных резисторов на его основе состоят в высоком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС), низкой влагоустойчивости и термостабильности.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор. Способ изготовления толстопленочных резисторов на основе этого резистивного материала включает нанесение иа диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее С2) .

Недостатки известного резистивного материала и способа изготовления толстопленочных резисторов на его основе заключаются в высоком ТКС, низкой влагоустойчивости и термос табильности.

11ель изобретения — снижение темпера10 турного коэффицйента сопротивления, повышение влагоустойчивости и термостабильнос ти.

Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий

15 мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор, содержит в качестве мелкодисперсного порошка пинкалюмоборатного стекла смесь оксидов ZnO — 020

&2 3 - Mo0> — В2ОЗ при следующем о соотношении компонентов, вес. %:

Смесь оксидов Z n 0 — М., 0—

Ь20Ь МОЕ,— 82О, 9 = 99

Бор 1-8

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США ¹ 3503801, кл. Н 01 С 7/00, 1970.

2. Патент Великобритании № 1130575, кл. Н 01 С 7/00, 1968 (прототип) .

Тираж 761 Подписное

32, 93

30,80

6,44

15,13

14,70 55

В «0

2пО

ЯЕ0, МоО

В110

33,69

32,82

5,48

15,49

12,52

35,92

36,39

5,85

16,50

5,34

ВНИИПИ Заказ 7301/67 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 960969 ф

При этом оксиды смеси 2nO - М О - В изготовленной партии иэ 400 толс5 «0 - МОО - В1О взяты в следующих топленочных резисторов уход номинальных количествах, вес. %: значений сопротивления резисторов после

30,80-36,39 роздействия пяти термоциклов от -60 С

AOg0y 5,48-6,44 S до + 125 С составляет не более 0,5%.

B «ОЗ 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто О03 «5,13 16 50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30сут

Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос- >о составляет не более 1%. нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от — 60оС до .вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125оС не хуже + 1 ° 10 1/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-:15 Предлагаемое изобретение позволяет о ние 8.- 12 мин. повысить надежность гибридных интегральдля получения резистивного материала ных микросхем с толстопленочными резис, подготовлено четыре смеси компонентов,- торами и снизить их себестоимость. содержащие каждая, вес. %: Смеси окси- Ф o p M у л а и э о б р е т е н и я

1 дов ZnO -AC 0> — В1 0 - Мо0 - ВоО щ, 1. Резистивный материал, содержащий

92; 98; 99 и 96 и бора 8; 2; 1 и 4. мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатКаждую смесь приготовляют следующим ного стекла и бор, о т л и ч а ю щ и й. обраэом. с я тем, что, с целью снижения темпеМелкодисперсный порошок смеси окси-;ратурного коэффициента сопротивления, дов 2п0 -APSO>- Bi 0> — MoO> — B>p> 5 повышения влагоустойчивости и термостасваривают в стеклообразное, состояние с бильности, он содержит в качестве мелкопоследующим помолом, смешивают с бо- дисперсного порошка цинкалюмоборатного ром и органическим связующим в виде стекла смесь оксидов ZnΠ— АР О смеси ланолина, вазелина и циклогексано- 61 «0 — МО 0 - В1О при следующем ла, взятых в соотношении 4,5 - 1 5: 1, соотношении компонентов, вес. %: и тщательно перемешивают компоненты. Смесь оксидов Zn0 — АЕ О—

Для получения высокоомных резисторов Bi gO — Мо 0 — 8 0

92-99 мелкодисперсный порошок стекла предва- Бор 1-8 рительно подвергают термообработке при 2. Материал по и. 1, о т л и ч а ю600 + 20 С в течение 2 - 10 ч перед шийся тем, что оксиды смеси ZnOсмешиванием с бором и органическим свя- АЕ 0 «8 «0 — Mo 0 — B P> взяты в

35 зуюшим. Полученную композицию наносят следующих количествах, вес. %: методом трафаретной печати на керамичес- . 2п 0 30,80 -36,39 кую подложку 22 С с контактными пло- АР10 5 48 6 44 щадками, например из сплава Aq — Pd ео

611203 5,34 - 14,70 и проводят вжигание в воздушной среде Мо03 конвейерной электропечи при 635; 630, SyOy 32,93-35,92

640 и 638оС в течение 8, 12, 11 и 3. Способ изготовления толстопленоч10 мин соответственно. ных резисторов на основе реэистивного.

Оксиды смеси ZnO - АР О - Bi>0>- материала по и. 1, включающий нанесение

МоΠ— В,1О использованы в количест- на диэлектрическую подложку резистивной

45 вах, указанных в таблице. композиции с последующим вжиганием ее, отличающийся тем,что вжигание проводят при 630-640 Ñ в течение 8-12 мин.