Устройство для нанесения полупроводникового слоя на аноды конденсаторов

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Сощивпиетических

Ре@пубпик (ii)951436 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04.01.81 (21) 3229!38/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл. з

Н О1 G 13/00

Гааударстееиный камитет

СССР (53) УДК 621.319..4 (088.8) Опубликовано 15.08.82. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 25.08.82 па делам езабретеиий н открытий (72) Авторы изобретения

Б. И. Марченко, В. Х. Куфман, Е. Е. Нестерова и И. С. Потапенко (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

СЛОЯ НА АНОДЫ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к технологии производства радиоэлементов, в частности к оборудованию для производства оксиднополупроводниковых конденсаторов.

Известно устройство для нанесения полупроводникового слоя на аноды конденсаторов, содержащее транспортирующий механизм, ванну с рабочим раствором, механизм удаления излишков раствора с поверхности анодов и печь пиролиза (1).

Недостатком устройства является неравномерность наносимого слоя по высоте анода вследствие стекания пропиточного раствора к нижнему торцу анода, что ухудшает качество изделий. Производительность устройства также недостаточна, так как за один цикл обработки наносится только один слой.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности техническим решением является устройство для нанесения полупроводникового слоя на аноды конденсаторов, содержащее транспортирующий механизм в виде вертикально замкнутого конвейера, ванну с рабочим раствором и печь пиролиза, расположенные на верхней ветви конвейера (2).

Недостатками этого устройства также являются невысокое качество изделий, обусловленное неравномерностью наносимого слоя, и недостаточная производительность устройства, обусловленная тем, что за один цикл работы устройства наносится один слой.

Цель изобретения — повышение качества изделий и производительности работы.

Указанная цель достигается тем, что устройство для нанесения полупроводникового слоя на аноды конденсаторов, содержащее транспортирующий механизм и виде вертикально замкнутого конвейера, ванну для рабочего раствора и печь пиролиза, расположенные на верхней ветви конвейера, снабжено дополнительной ванной для ра" бочего раствора, установленной на верхней ветви конвейера и дополнительной печью пиролиза, установленной на нижней ветви конвейера, при этом каждая ванна для рабочего раствора снабжена механизмом сия о тия излишков раствора, выполненным в виде эластичного скребка, шарнирно установленного под ванной посредством оси, на конце которой установлен противовес.

На фиг. 1 изображена кинематическая схема устройства; на фиг. 2 — механизм

951436 снятия излишков раствора; на фиг. 3 разрез А — А на фиг. 2.

Устройство содержит транспортирующий механизм в виде вертикально замкнутого конвейера 1 с закрепленными на нем кассетами 2, на которых устанавливаются изделия 3 — аноды конденсаторов. На верхней ветви конвейера 1 расположены основная ванна 4, печь пиролиза 5 и дополнительная ванна 6, а на нижней ветви — дополнительная печь пиролиза 7. Каждая ванна 4 и 6 снабжена трубопроводами 8 для подачи воды и противточного раствора, соединенными с ваннами патрубками 9, посредством отверстий 10.

На каждой ванне 4 и 6 смонтирован механизм удаления излишков раствора, вы- )5 полненный в виде эластичного скребка 11, шарнирно установленного над ванной посредством оси 12, в опорах 13. На свободном конце оси 12 установлен противовес 14.

Устройство работает следующим образом.

Кассеты 2 с анодами 3, установленными выводами вверх, закрепляют на верхней ветви конвейера 1, который перемещает их в ванну 4. На выходе из ванны 4 аноды 3 входят в соприкосновение с эластичным 25 скребком 11 механизма снятия излишков раствора. При этом скребок 11 отклоняется на угол, величина которого тем больше, чем больше габариты анода 3. При этом прижим скребка 11 к анодам 3 обеспечивается противовесом 14. Затем кассеты 2 с анодами 3 подаются в печь пиролиза 5, в которой происходит разложение пропиточного раствора и формируется первый полупроводниковый слой на анодах 3, при этом, вследствие стекания пропиточного раствора, этот слой получается утолщенным в нижней части анодов 3. Затем кассеты 2 поступают в ванну 6, где аноды 3 вновь пропитываются.

На выходе из ванны 6 с анодом снимаются излишки раствора, после чего кассеты 2 переходят на нижнюю ветвь конвейера 1 и поступают в печь пиролиза 7. При этом аноды 3 располагаются уже выводами вниз и при стекании пропиточного раствора пропитка происходит у другого торца анода и неравномерность наносимого слоя уменьшается, что улучшает качество изделий.

Нанесение за цикл двух слоев и возможность работы без переналадки механизма снятия излишков раствора повышает производительность работы устройства.

Формула изобретения

1. Устройство для нанесения полупроводникового слоя на аноды конденсаторов, содержащее транспортирующий механизм в виде вертикально замкнутого конвейера, ванну для рабочего раствора и печь пиролиза, расположенные на верхней ветви конвейера, отличающееся тем, что, с целью повышения качества изделий и повышения производительности, оно снабжено дополнительной ванной для рабочего раствора, установленной на верхней ветви конвейера и дополнительной печью пиролиза, установленной на нижней ветви конвейера.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что каждая ванна рабочего раствора снабжена механизмом снятия излишков раствора, выполненным в виде эластичного скребка, шарнирно установленного под ванной посредством оси, на конце которой установлен противовес.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 711641, кл. Н 01 G 13/00, от 01.09.76.

2. Авторское свидетельство СССР № 452044, кл. Н 01 G 13/00, от 03.07.72 (прототип).

951436 л — А.

Составитель Г. Падучин

Редактор С. Запесочный Техред A. Бойкас Корректор,Л. Бокшан

Заказ 5632/62 Тиран ?61 Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по дела м изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4