Способ получения многослойных lc-структур

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик фф

/I -

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву(22) Заявлено ОЬ0680 (21) 2938070/18-21 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—

Р М К„з

H 01 G 4/26

H 01 F 41/00

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий

Опубликовано 300782 Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 300782 ($3) УДК 621. 3. 049. .75 002(088.8) (72) Автор, изобретения

В.В. Александров

Харьковский институт радиоэлект оникй . ! (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ LC-СТРУКТУР

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании частотно-избирательных устройств.

Известен способ создания многослойных структу, включающий формирование пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, формирование в пленке основания и сборку путем сворачивания в рулон с зазором, заливаемым диэлектриком для.обеспечения изоляции слоев Г1).

Однако способ характеризуется большим числом операций, сложностью сборки, низкой надежностью устройства.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ,получения многослойных структур, включающий формирование пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, формирование в пленке основания и сборку путем перегибания основания на 180 в противоположные стороны (23.

Недостатком известного способа является невозможность создания изоляции между структурами, трудность и нетехнологичность сборки.

Цель изобретения — повышение технологичности и упрощение процесса сборки.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения многослойный LC-структур, включающем создание пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, формирование в пленке основания и сборку путем перегибания основания на 180о в противоположные стороны на границах пространственно разделенных структур, при формировании основания напротив структур создают выступы, а при сборке закладывают их между структурами, причем при формировании основания и выступов в основании на границах структур, а также между основанием и выступами формируют пазы.

На чертеже иллюстрируется способ создания многослойных резонансных

LC-структур.

На гибком диэлектрическом основании 1 имеются выступы 2, на границах пространственно разделенных

947921

Формула изобретения структур 3, а между основанием и выступами сформированы пазы 4. Сборка многослойной резонансной

LC-структуры осуществляется путем поочередного перегибания основания

1 на 180О на границах пространствен- 5 но разделенных структур, причем выс— тупы 2 закладываются между структурами 3, а пазы 4 служат для облегчения процесса сборки.

Выступ 1 накладывается на выступ Я

2 основания путем перегибания íà 180О по границе паза, полученная конструкция накладывается на структуру 3 основания путем перегибания по стрелке на 180 по границе паза в основа0 нии и т де

Выступы могут быть сформированы с двух сторон основания.Их общее число определяется расстоянием между структурами конструкции.

В результате получается многослойная конструкция, содержащая резонансные структуры, расположенные друг над другом и разделенные слоями диэлектрика выступами.

Способ изготовления многослойных структур включает напыление сплошного слоя между толщиной 0,5 мкм (подслоем хрома для обеспечения адгезии) методом термовакуумного ис30 парения на установке УВН-2М на противоположные стороны гибкой полимидной пленки толщиной 20 кмк; двухстороннее гальваническое наращива,ние слоя меди до толщины 10-30 мкм из сернокислого электролита; формирование кетодамифотолитографии в проводящем слое пространственно разделенных структур с двух сторон гибкой диэлектрической пленки; формирова40 ние,в гибкой диэлектрической пленке методами фотолитографии основания выступов, а на границах перегибов пазов; сборка путем поочередного перегибания основания на 180 в противополож-45 ные стороны на границах пространственно разделенных структур, причем выступы закладывают между структурами.

На основании полученной многослойной конструкции могут быть реализованы различные микроэлектронные частотно-избирательные устройства, особенно аналоговые наносекундные линии задержки с малой дискретностью отводов.

Использование предлагаемого способа создания многослойных резонансных LC-структур обеспечивает уменьшение габаритов иэделия, упрощает технологический процесс изготовления, повышает выход годных изделий до

100%„ и повторяемость электрических параметров устройств.

Способ получения многослойных

LC-структур, включающий создание пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, формирование в пленке основания и сборку путем перегибания основания на 180О в противоположные стороны на границах пространственно разделенных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и упрощения процесса сборки, при формировании основания напротив структур создают выступы, а при сборке закладывают их между структурами, причем при формировании основания и выступов в основании на границах структур, а также между основанием и выступами формируют пазы.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Англии Р 1391.038, кл. Н 01 F 17/02, 1975.

2. Патент франции М 1596154, кл. Н 01 6 5/00, опублик. 19.01.70 (прототип).

ВНИИПИ Заказ 5663/76

Тираж 630 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул. Проектная, о