Способ формирования амплитудно-частотной характеристики устройств на поверхностных акустических волнах

Союз Советски и

Соцнапнстнчесннк

Респубпнн

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А8ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

< ц919051 (6l ) Дополнительное к авт. свнд-ву— (22) Заявлеио01.03.76 (21) 2328174/1 8-23 с прнсоеднненнем заявки № 2513484/18-23 (23) Приоритет

Опублнковано О, .04.82 Бюллетень №1 3

Дата опуб:нковання описания 07.04.82 (51)M. Кл .

Н 03 }1 9/64 осударствеикый конитет ссср оо делан изабретеиий и открытий.(53) УД К 621 . 396.

6 6(088. 8) Б. Е. Петров, B..È. Гвоздев, Л.A. Джонсон и А . C, Зибров (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АМПЛИТУДНО-ЧАСТОТНОЙ

ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ

АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Изобретение относится к радиотехнике и радиоэлектронике и может быть использовано для экспериментальной обработки формы амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) устройств с использованием поверхностных акустических волн (ПАБ) .

Известен "пособ формирования амплитудно-час . от ной характеристики устройств на ПАВ, заключаюшийся в изменении веl0 личины перекрытия соседних пар электродов (апертуры) по длине преобразователя по определенному закону(1) .

Недостаток этого способа - сложность определения точной формы аподизирую15 шей кривой расчетным путем, так как для этого необходимо учитывать явление дифракции поверхностной акустической волны в анизотропных средах, конечную проводимость электродов, отражение и рассеяние энергии волны в местах рассогласования акустического нмпеданса и т. д. Экспериментальное же определение наилучшей формы аподизации преобразователя требует для каждой новой формы аподизнруюшей кривой изготовления нового преобразователя (фотошаблона), что делает отработку формы амплитудно-частотной характеристики устройств на ПАБ трудоемкой и длительной. е1ель изобретения — упрошение экспериментальной оптимизации формы амщн тудцо-частотной характеристики устройств на ПАВ.

Поставленная цель достигается тем, что в способе формирования амплитудночастотной характеристики устройств на

ПАВ путем изменения величины перекры.. тця соседних пар электродов по длине преобразователя по заданному закону сс стороны электродов параллельно нм на расстоянии, меньшем длины ПАВ, располагают электропроводяшую пленку с отверстием, форма которого соответствует расчетному закону перекрытия электродов по длине преобразователя, и изменяют контур отверстия до получения требуемой амплитудно-частотной характеристики.

ЫО061

На фиг. 1 изображено устройство, реализующее данный способ; на фиг. 2 форма отверстия в электропроводяшей пленке, на фиг. 3 — распределение элект рического поля между электродами преобразователя.

Диэлектрическая пластина 1 с многоэлементными встреч но-штыревыми преобразователями 2 наложена на пьезоэлект рический звукопровод 3, отделенный от пластины 1 воздушным зазором, величина которого определяется толшиной разделительной пленки 4, нанесенной по краям рабочей плоскости пластины-звукопровода 3. Величина воздушного зазора меньше длины акустической волны в звукопроводе 3. Преобразователи 2 покрыты защитной диэлектрической пленкой 5. Злектропроводяшая пленка (металлический экран) 6 с отверстием 7, контуры которого имеют форму кривой аподизации, расположена параллельно преобразоват елям 2 на рассгоянии от цих, меньшем длины ПАВ. Для уменьшения статической емкости между электродами преобразователя и металлическим экраном 6 последний выполнен в виде сетки - размерами ячеек, меньшими длины акустической волны в звукопрово= де. При подведении электрического сигнала к встречнс-ш-:ыревому преобразователю 2 между электродами возникает элекгрическое поле (фиг. 3). Часть

CH. rOIrÛÕ ЛИНИЛ ПОЛЯ ПРОНИКаЕт B ПЬЕЗОэлектрический звукопровод, вызывая в нем упругие деформации с пространственным периодом, равным периоду разме= щения электродов на пг астине 1. Энергия упругих деформаций распространяет.= ся в виде поверхностной акустической волны в направлениях, указанных crpeTT= ками на фут. 3. Наличие экрача 6 при=водит к тому, что электрические поля проникают B звукопровод 3 только B области, расположенной непосредс. воино под отверстием- 7., поэгому зона возбуж= дения ПАВ orpâèè÷èâàårcÿ конг-.ром отверстия 7, Таким образом, влияние =:лектропрс-водяшей пленки (экрана) с отверстием приводит к тому же эффекту, к которому приводит изменение перекрытия соседних электродов преобразователя. Изменяя размеры и конфигурацию аподизируюшего отверстия 7, можно управлять величиной аггивной апертуры электродов и, тем самым, производить взвешивание, аналогичное тому, которое достигается подрезанием электродов при обычном способе аподизации.

Поскольку изменение геометрии отверстия в электропроводяшей пленке может производиться независимо от преобразователя, возникает возможность проведения оптимизации АЧХ устройств на

ПАВ, не изменяя геометрии встречноштыревого преобразователя, изготовление которого является наиболее трудоемким процессом при изготовлении устройств на ПАВ.

20 Предлагаемое изобретение позволяет значительно упростить экспериментальную отработку формы аподизируюшей кривой и, следовательно, формы АЧХ устройств, а также упростить технологию изготовления аподизированных преобразсьвателей.

Формула изобретения

Способ формирования амплитудно-частотной характеристики устройств на поверхностных акусти:еских волнах, заключаюшийся в изменении величины перекрытия соседних пар электродов по длине преобразователя по заданному закону, отлича юшийся тем, что, с

35 целью упрошения экспериментальной оптимизации формы, со стороны электродов параллельно им на расстоянии, меньшем длины поверхностчой акустической волнь1,,„ располагают электропроводяшую пленку с отверстием, форма которого соответствует расчетному закону перекрытия электродов по длине преобразователя, и изменяют контур отверстия до получения требуемой амплитудно-частотной харак45 теристики.

Ц сточ ники у нфолмации при;штые во внимание при эксrr.p "Hee

1. Патент Франции К 20 10881, к" ff 0 - Н 3/00 олублик 197 (прс

r"r тотип), Со . ввитель Л. Алексеев

Текреп И. Гайду Корректор Ю,Макаренко ь

Редактор И. Ковальчук

Фнднал ППП "Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Закаэ 21 60/38 Тираж 954 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 130:35. Москва, Ж-Э5, Раушская наб., а, 4/5