Линия задержки
О П И С А Н И K („)9021
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 09.07.79 (21) 2795242/18-09 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М Ка з
Н 01 Р 9/00
H 03 Н 7/30
Государственный комитет
Опубликовано 30.01.82. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 05.02.82 (53) УДК 621.372 (088.8) ло делам изобретений к открытий
А. М. Медников, П. Е. Зильберман, И. А. Игнатье и Ю. В. Гуляев 1
1:
I (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах обработки сверхвысокочастотного сигнала в аналоговой форме.
Известна линия задержки, содержащая ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны (1).
Однако известная линия задержки характеризуется сравнительно высокими потерями.
Цель изобретения — уменьшение потерь сверхвысокочастотного сигнала.
Для достижения поставленной цели линии задержки входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.
При этом входная и выходная антенны, а также омические контакты расположены на одной поверхности полупроводникового слоя, или входная и выходная антенны и омические контакты расположены на противоположных поверхностях полупроводнико.вого слоя.
На фиг. 1 представлена предлагаемая линия, общий вид, поперечное сечение (при
2 расположении входной и выходной системы антенны и омических контактов на одной поверхности полупроводникового слоя); на фиг. 2 — то же, при расположении входной и выходной антенны и омических контак5 тов на противоположных поверхностях полупроводникового слоя.
Линия задержки содержит фервитовый 1 и полупроводниковый 2 слой, омические контакты 3, входную 4 и выходную 5 антенны. На фиг. 1 и 2 показаны также диэлектрическая подложка 6 и металлическое основание 7.
Предлагаемая линия задержки работает следующим образом.
Слоистая структура из ферритового 1 и полупроводникового 2 слоев, у краев которой имеются входная 4 и выходная 5 антенны, намагничивается системой подмагничивания (не показана) в плоскости структуры перпендикулярно направлению распространения волны. На входную антенну 4 подается сверхвысокочастотный (СВЧ) сигнал, который возбуждает в ферритовом слое 1 спинсвую волну. Синхронно с СВЧ-сигналом на омические контакты 3 подается импульс тока, который отдает свою энергию спиновой
902122 волне при соблюдении взаимодействия электронов полупроводникового слоя 2 с спиновой волной. Потери, претерпеваемые волной при распространении, таким образом, частично компенсируются. В силу меньшей скорости распространения волны в ферритовом слое 1, чем в вакууме, на выходной антенне 5 регистрируется задержанный СВЧ-сигнал с соответствующей амплитудой.
Предлагаемая линия задержки позволяет уменьшить потери сигнала и увеличить эффективность работы примерно в 10 раз. î
Фориула изобретения
Источники информации, 4s принятые во внимание при экспертизе
1. Szustakowski М., Wegki В. — - Proc.
of wibration Problems» 1973„ч. 14, № 2, р. 155 — 162 (прототип).
Составитель Е. Пестрова
Редактор Л. Пчелинская Техред А. Бойкас Корректор М. Коста
Заказ 12399/64. Тираж 628 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4
1. Линия задержки, содержащая ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потерь сверхвысокочастотного сигнала, входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.
2. Линия по п. 1, отличающаяся тем, что входная и выходная антенны, а также омические контакты расположены на одной поверхности полупроводникового слоя.
3. Линия по п. 1, отличающаяся тем, что входная и выходная антенны и омические контакты расположены на противоположных поверхностях полупроводникового слоя.
