Фотографический способ нанесения экранных структур на экраны электронно-лучевых трубок

Союз Советскик

Социалистические

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТЕНТУ (1ц 89896 1

* ф 7 (61) Дополнительный к патенту(22) Заявлено 21.06 72 (21) 1799554/18-21 (23) Приоритет - (32) 28. 06, 72 (31) 157502 (33) С111А (5l) М. Кп.

Н 01 У 9/22

Гееудератееииый комитет

СССР

Опубликовано15. 01. 82. Бюллетень JA 2

Дата опубликования описания15. 01. 82 по делам иаабретений и открытий (53) Й1 621.385.. 832 (088. 8) Иностранцы

Эдит Эллен Маяуд и Самуэль Пирлаее Г

I ) (72) Авторы изобретения

Иностранная фирма

"РКА Корпорейшн" (СНА) (71) Заявитель (54) ФОТОГРАФИЧЕС!(ИЙ СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЭКРАННЫХ

СТРУКТУР НА ЭКРАНЫ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЫХ

ТРУБОК

Изобретение относится к методам нанесения экранов электроннолучевых трубок (ЭЛТ) с матрицей с отрицатель. ным допуском, используемым в известных телевизионных приемниках. 5

Известны способы нанесения экранов ЭЛТ, в которых используется светопоглощающая матрица. Для экрана с матрицей с положительным допуском выбирают диаметр электронного пятна 10 большим, чем гнездо матрицы (1).

Однако такой способ сложен в реализации в промышленных условиях. Поэтому предпочтительнее вначале производить нанесение матрицы и использо- 15 вать теневую маску ЭЛТ в качестве фотошаблона.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обратной печати. Этот способ 20 заключается в том, что поверхность экрана покрывают пленкой из полимерных материалов, растворимость которых меняется от уровня светового воздействия источника света, экспонируют 25 пленку через отверстия маски, удаляют неэкспонированные участки пленки с помощью растворителя, наносят поливиниловый спирт и затем люминофорное покрытие f2f

При удалении участков полимерной пленки образуется светопоглощающая матрица со множеством гнезд, каждое

/ из которых имеет ту же форму, но большие размеры, чем отверстия маски, через которые производилось экспонирование.. Для получения экрана с матрицей с отрицательным допуском после окончания этапов фотопроцессов необходимо увеличить отверстия s маске.

На практике вначале маска изготавливается с отверстиями меньшего размера, а затем, после нанесения люминофорного покрытия, подвергается травлению для увеличения отверстий до заданных размеров. Возможно использование смежных масок и других подобных приемов. Описанный процесс позволяет получить высококачествен898961

1$

Формула изобретения

2$

3$

Редактор О.Персиянцева

Заказ 11985/76 Тираж 757 Под пи сное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиап ППП "Патент",r. Ужгород, ул Проектная, 4 ный экран с матрицей с отрицательным допуском, Однако этот процесс оказывается сложным для контроля качества экранов.

Целью изобретения является упрощение контроля качества экранов в процессе их изготовления

Укаэанная цель достигается тем, что согласно фотографическому способу нанесения экранных структур на экраны ЭЛТ, включающему покрытие, поверхности экрана пленкой из светочувствительных полимерных материалов, экспонирование пленки через отверстия маски, удаление неэкранированных участков пленки с помощью растворителя, нанесение поливинилового спирта и затем люминисцентного покрытия, пленку из полимерных материалов наносят по весу до величины

0,1-0,3 мг/см, а экспонирование

2 пленки производят с недодержкой при чувствительности к печати не более

1,5 и эквивалентном диаметре источника света. l,5-3,3 мм.

Особенностью предложенного способа является то, что полимерную пленку подвергают недодержке в отличие от нормальной выдержки или передержки. По существу, уменьшается среднее время освещения при экспонировании, В результате становится возможным ослабление печати, т,е. получение участков фотослоя, идентичных по фор ме, но меньших по размерам, чем отверстия-маски, которая использовалась при экспонировании. Таким образом, исключается необходимость расширения отверстий или другого изменения маски после проведения этапов фотопроцессов.

Выбор верхней границы чувствительности к печати обусловлен тем, что при больших величинах иэделие получается кромчатым и пятнистым. Целесообразно выбирать наименьшие достижимые величины, определяемые как отношение прозрачности матрицы к уров" ню световог потока (уровню экспониСоставите

Техред А рования) . Диапазон наиболее оптимальных диаметров источников света определяется тем, что при меньших величинах печать слишком мелкая, время экспонирования требуется большое, и возникают явления дифракции. 3а верхним пределом диапазона проявляется заметная неоднородность покрытия.

Полученный оптимальный диапазон количественного нанесения полимерной пленки связан с компромиссным решением получения оптимальных адгезионных и резистивных характеристик покрытия.

Использование предлагаемого изобретения позволяет более точно контро лировать технологические процессы при изготовлении экранов ЭЛТ и,следовательно, их качество, что приводит к увеличению выхода годной продукции. фотографический способ нанесения экранных структур на экраны электроннолучевых трубок, включающий покрытие поверхности экрана пленкой из светочувствительных полимерных материалов, экспонирование пленки через отверстия маски, удаление неэкспонированных участков пленки с помощью растворителя, нанесение поливинилового спирта и затем люминесцентного покрытия, отличающийся тем, что, с целью упрощения контроля качества экранов в процессе их изготовления, пленку из полимерных материалов наносят по весу до величины 0,10,3 мг/см, а экспонирование пленки производят с недовыдержкой при чувствительности к печати не более 1,5 и эквивалентном диаметре источника света 1,5-3,3 мм.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США У 3I46368.

2, Патент Англии Ф 1180194, кл. Н l D, опублик. 1971 (прототип). ага I

slb В . Гаврюшин

Ач Корректор Г, Решетник