Усилитель тока в.и.турченкова

Союз Севфтскнк

Сецналнетнческнв

Рфсиублик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОИ:КОМУ Св ТЮЛЬСТВУ («)890542 (61) Дополнительное к авт.сеид-ву р 351298 (22) Заявлено 318130, (21) 2879784/18-21 (51)M. Кл3

Н 03 F 3/04 с присоединением заявки Но

Государственянй аонятет

СССР ло делан нзобретекнЯ я открмтяЯ (23) Приоритет

Опубликовано 1512.81.Бюллетень Н9 46 (53) УДК 621.375..083(088.8) Дата опубликования описания, 15.1281

P2) Автор изобретения

В.И.Турченков (7! ) Заявитель (54) УСИЛИТЕЛЬ ТОКА В.И.ТУРЧЕНКОВА

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике.

По основному авт.св. Р 351298 известен усилитель тока, содержащий транзистор, включенный по схеме с общей базой, источники тока в цеGRx коллектора и эмиттера и цепь нелинейной обратной связи между цепями эмиттера и коллектора, а источник управляющего тока включен в цепь коллектора (1).

Недостатком известного устройства является отсутствие ограничения насыщения с транзистора при малых входных токах. 15

Цель изобретения - уменьшение степени насыщения.

Для достижения поставленной цели, в усилитель тока введен дополнительный транзистор другого типа проводи- 20 мости, база и коллектор которого соединены соответственно с базой и эмиттером основного транзистора, а эмиттер подключен к общей шине.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Устройство включает основной транзистор 1, источник 2 тока, шина 3 источника входного тока, элемент 4 обратной связи, например базо-эмит- ЗО терный переход следующего транзистора, дополнительный транзистор 5 и диоды.

Устройство работает следующим образом.

Когда ток от входной шины становится меньше тока от источника 2, то разность этих токов начнет протекать через базы транзисторов 1 и 5, вследствие чего часть тока от источника 2 протекает через коллектор транзистора 5, уменьшая тем самым как степень насыщения транзистора 1, так и ток через него, а следовательно,и расход мощности на основном транзисторе.

Формула изобретения

Усилитель тока по авт.св.в 351298, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени насыщения, введен дополнительный транзистор другого типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответственно с базой и эмиттером основного транзистора, а эмиттер подключен к общей шине.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 351298, кл.Н 03 F 3/04, 1967;

890542

Составитель A.ßíîâ

Редактор Н,Минно Техред З.фанта Корректор Н.Стец

Заказ 11024/86 Тираж 991 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,Москква, Ж-35,Раушская наб.,д.4/5 филиал ППП Патент, r.ужгород,ул,Прбектная, 4