Способ создания силицидов металлов

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10^-5 с и временные промежутки между ними 10^-2 -10^-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формуле E c Т_п d_м (Дж/см²), где С - теплоемкость пленки металла Т_п - температура плавления металла, d_м - толщина пленки металла.

Похожие патенты:

Способ получения покрытий // 880178

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам // 865065

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, использующей полупроводниковые соединения типа АIII ВV такие как арсенид галлия, фосфид галлия, фосфид индия и твердые растворы на их основе, касается проблемы формирования оптических контактов к перечисленным материалам и может быть использовано при разработке и изготовлении светодиодов, лазерных диодов, транзисторов, диодов Ганна и других приборов