Устройство термокомпенсации прямых характеристик полупроводниковых диодов

<щ 871103

ОП ИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22)Заявлено 24 ° 04. 79 (21) 2759731 /18-25 с присоединением заявки М (23 ) П рнори тет (51)М. Кл.

G 0l Й 31/26

1осудеретееииый комитет

СССР ио делам иэабретеии11 и открытий

Опубликовано 07, 10. 81. Бюллетень J4 37

Дата опубликования описания 10. 10. 81 (53) УДК 621.

382 2 (088 8) (72) Автор изобретения

Б. Г. Рожков

f (7I) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРИОКОМПЕНСАЦИИ ПРЯМЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДОВ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть исполь= зовано в радиотехнических устройствах для повышения температурной стабильнос. ти диодных ограничителей, балансных смесителей, логарифмических усилителей с нелинейными нагрузками и подобных схем с применением полупроводниковых диодов.

Известны устройства для термоком10 пенсации полупроводниковых приборов, использующие в качестве опорного элемента терморезисторы (1), (2 ) ..

Недо ст ат ком из ве ст ных чстр ой ст в является то, что вольт-амперная харак3$ теристика таких опорных элементов линейна и при термокомпенсации приборов с нелинейными характеристиками, например диодов, возникают большие ошибки.

Наиболее близким техническим oemeкием к изобретению является устройство содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напряжения смещения и вычитающее устройстно. В качестве компенсирчемого диода в устройстве применен варикап, и иэ напряжения чправления, подаваемого на него, вычитается напряжение снимаемое с опорного диода (3.).

Однако это устройство не может быть использовано для термокомпенсации прямых характеристик диодов, т.е. варикап работает в режиме обратного смещения. Компенсация на прямом участке. вольт-амперной характеристики оказывается неполной из-эа трудностей обеспечения режима прямого смещения.

Целью изобретения является повышение точности компенсации при заданном уровне прямого смещения.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для термокомпенсации прямых характеристик полупроводниковых диодов, содержащем генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемой диод, источник напряжения смещения и вычитающее устройство, последнее выполнено в виде дифферен3,8711 циального усилителя. Первый его вход соединен с опорным диоДом, второй вход- с источником напряжения смещения, а выход подключен к компенсируемому диоду.

На фиг. 1 представлена функциональ- 5 ная схема предлагаемого устройства на фиг. 2 — вариант принципиальной схемы устройства с элементами задания режимов опорного диода и вычитающего устройства, в качестве которого может >g быть использована схема на основе oneрационного усилителя с дифференциальным входом.

Предлагаемое устройство (фиг. 1)

:соцержит генератор тока 1, опорный диод 2, вычитающее устройство 3 и термокомпенсируемый диод 4 °

Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее

На первый вход вычитающего устройства

3, на второй вход которого подается напряжение смещения О

С выхода вычитающего устройства на вход термокомпенсируемого диода 4

Упает напРЯжение 1.1 В -(.1од 11см

Бык о см (О д — напряжение на ойорном диоде), которое будет меняться с изменением температуры окружающей среды.

При достаточно близких прямых вольт.

30 амперных характеристиках диодов 2 и 4 рабочая точка диода по току {при отсутствии сигнала) будет фиксирована (ток через диод 4 не зависит от температуры).

При использовании диода 4 в высокочастотных цепях ток через диод меняет- 5 ся в широких пределах — от тока смещения в рабочей точке до прямого тока через диод при наличии сильного сигнала (отношение максимального и минимального токов может составлять десятки и сотни).

03

В этих условиях предлагаемая схема дбеспечивает качественную фиксацию рабочей точки диода 4 как при изменении сигнала, так и при колебании температуры, т.е. устройство обеспечивает по сравнению с известными устройствами более точную температурному компенсацию прямых характеристик полупроводниковых диодов при заданном уровне прямого смещения.

Формула изобретения

Устройство для термокомпенсации прямых характеристик полупроводниковых диодов, содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напряжения смещения и вычитакнцее устройство, отличающееся тем, что, с целью. повышения точности компенсации при заданном уровне прямого смещения, вычитающее устройство выполнено в виде дифференциального усилителя, первый его вход соединен с опорным диодом, второй вход — с источником напряжения смещения, а выход подключен к компенсируемому диоду.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Кривоносов А. И. Температурная компенсация электронных схем. М., "Связь", 1977, с. 65-75.

2. Авторское свидетельство СССР

В 560192, кл. G 01 Г(31/26, 1977.

3. Радиоприемные устройства на полупроводниковых приборах. Проектирова" ние и расчет. Под ред. P. А. Валитова и А. А. Куликовского. М.,"Сов. радио"

1968, с. 357 (пвототип).

871 103

Составитель Ю. Брызгалов

Техрей М.Рейаес Коко акте С. Мекмар

Редактор Л. Утехина

8430/I8 Тираж 735 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Раушская наб.д д. 4/5 Заказ

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4