Способ определения параметров магнитных полей

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик (it>868659 (61) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 16,0180 {21)2 873187/18-21 с присоединением заявки М (23) Приоритет—

Опубликовано ЗМ9,81. Бюллетень N9 36

Дата опубликования описания 30Р9,81 (51)М. Клз

G 01 R 33/02

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий (53) УДК621. 317. 44 (088. 8) {72) Авторы изобретения

В .И. Ряби нкнн н И .В. Салин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МАГНИТНЫХ

ПОЛЕЙ

Изобретение относится к способам исследования магнитных полей, а также полей рассеяния у поверхности тел, помещенных в магнитное поле, н может ,быть использовано для измерения величин, характеризующих магнитное поле в ваданных точках на заданной линии или поверхности, контроля полей рассеяния деталей с ферритными сердечниками, дефектоскопни ферромагнитных и металлических изделий, изучения записи информации на магнитных лентах и пластинах и воспроизведения этих записей при относительных скоростях записи датчика оТ нуля до максимально возможных, определяемых прочностью носителя записи.

Известен способ исследования магнитных полей, заключающийся в том, что выбитым с поверхности фотокатода электронам придают нужное распреде= ление по энергиям и направлению, обеспечивающее фокусировку и изменение контрастности, позволякщее при необходимости получать изображение с преобразованием длины волны электромагнитного излучения. В этом способе применяется освещени фотокатода как неподвижным изображением, так н сканированием луча света по поверх- ности фот окат ода Г11 .

Недостатком способа является то, что он не дает возможности получить картину распределения исследуемой величины, характеризующей магнитное поле в заданных точках на заданной

- линии поверхности, сеущей поле исследуемого объекта.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей способа, а именно получение картины распределения измеряемой величины, характеризующей магнитное поле в заданных

15 точках на заданной линии или поверхности, секущей .поле исследуемого объекта.

Для достижения укаэанной цели в способе, основанном на получении в

29 вакууме фотоэлектронов, выбитых на поверхности фотокатода фиксированным или сканирукщим лучом света, фотокатод помещают в исследуемое магнитное поле, измеряют изменение тока

25 электронов, вызванное этим полем в районе светового пятна на фотокатоде, а изменение тока фотоэлектронов синхронно со сканированием пятна света по фотохатоду развертывают на экра3Q не электронно-лучевой трубки.

868659

Формула изобретения

Редактор С. Юско

Корректор Л. Бокшан

Техред И.Асталош

Заказ 8319/66 Тираж 735 Подпи сн ое

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

На чертеже показана структурная схема устройства °

В схеме обозначен фотокатод 1, исследуемый объект 2, луч света 3, фотоэлектроны 4, анод 5, блок 6, формирующйй световой луч, сетка 7, блок

8 синхронизации и развертки, усилитель 9, электронно-лучевая трубка 10.

Способ осуществляется следующим образом.

Фотокатод 1, выполненный в форме заданной поверхности сечения магнитного поля, располагают в стенке вакуумного баллона и помещают в исследуемое магнитное поле объекта. 2, находящегося вне вакуумного объема.

Лучом света 3 выбивают из поверх- 15 ности фотокатода фотоэлектроны 4, которые собирают анодом 5. Ток фотоэлектронов между фотокатодом 1 и анодом 5 измеряют. Он зависит от вели,чины напряженности магнитного поля 20 (Н) или индукции (В) у поверхности катода. Чувствительным элементом, определяющим область усреднения измеряемой величины, является объем, прилегающий к пятну света на фотокатоде. Форма катода определяет геометрию поверхности, секущей магнитное поле, для которой получают распределение исследуемой величины по заданной программе сканирования светового луча по фотокатоду. При ЗО синхронной развертке сигнала на экрана электронно-лучевой трубки 10 получают изображение или кривые распределения исследуемой величины, характеризующей магнитное поле (напряженность Н или индукция В).

Реализация предлагаемого способа в устройствах позволяет применить его не только для измерений при исследованиях, но и для дефектоскопии изделий из ферромагнитных материалов и металлов, а также при обработке информации с магнитных пленок и пластин.

Способ определения параметров магнитных полей, основанный на получении в вакууме фотоэлектронов, выбитых из поверхности фотокатода фиксированным или сканирующим лучом света, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, фотокатод помещают в исследуемое магнитное поле, измеряют изменение тока электронов, вызванное этим полем в районе светового пятна на фотокатоде, а изменение тока фотоэлектронов синхронно со сканированием пятна света по фотокатоду развертывают на экране электронно-лучевой трубки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Электронная оптика и электромагнитные приборы. М., "Высшая школа", 1972, с. 442-459.