Способ изготовления непроволочных резисторов
Союз Соввтскнк
Свцналнстическик
Реслублнк
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОИЖОМУ ИИЛЬСМВУ (61) Дополнительное к ввт. свид-ву— (22) Заявлено 021078 (21) 2600659/18-21 с присоединением заявки 89— (23) ПрморитетОпублнковвно 15.0%81. Бюллетень HR 34
Дата опубликования описания 15,0981
<51) м. к.з
Н 01 С 17/00
IPH 01 В 1/06
Государственный комитет
СССР но деаан изобретений н открытий (53) УДК621. 316. . 86 (088. 8) (72) Автор изобретения
В.И. Задорожный (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
Изобретение относится к производству непроволочных резисторов.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ изготовления непроволочных резисторов, включающий смешивание токопроводящего материала с наполнителем, пластификатором, отвердителем и связукщим, введение полученной резистивной композиции в форму из непроводящего материала и отверждение резистивной композиции j1).
Известный способ не позволяет получить равномерное распределение непрерывных проводящих цепей в реэистивной композиции, что приводит к локальным перегревам и к сужению диапазона номинальных значений сопротивления резисторов.
Цель изобретения — расширение диапазона номинальных значений и повыаение точности резисторов.
Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления непроволочных резисторов, включающем смешивание токопроводящего материала с наполнителем, пласТнфикатором отвердителем и связующим, введение полученной резистнвной композиции в форму иэ диамагнитного непроводящего материала и отверждение резистивной композиции, перед отверждением резистивной композиции форму иэ диамагнитного непроводящего материала помещают в однородное магнитное поле и осуществляют изменение величины магнитной индукции до значения, при котором величина электрического соп10 ротивления резистора достигает номинального значения, и поддерживают его неизменным в процессе отверждения резистивной композиции.
Пример . Осуществляют смешивание токопроводящего элемента, например магнитного материала, с органическими или неорганическими связующими, например фенольными и эфирными смолами (эпоксидной, терефталевой или кремний-органической смолой) с наполнителем, пластификатором и отвердителем,приготовленную композицию вводят в форму из диамагнитного непроводящего материала с размещенными в .ней головками (злектродами) с выводами, при этом помещают форму с изготовляемым резистором в однородное постоянное магнитное поле и осуществляют магнитную встряску. Магнитную встряску токопроводящего магнит- ЗО ного материала осуществляют для сок864349 ращения времени на структирование проводящих цепей и более равномерного распределения токопроводящего материала по всему объему композиции резистора путем увеличения магнитной индукции поля от нуля до величины
В„е = 200
"*с
Км
-25
-37
-5
-4 SS
Обезжиренный и просушенный порошок никелевый посеребренный смешивают с фенольной смолой в мешалке для приготовления контактолов в течение 1
2 ч при скорости вращения мешалки bO
115-160 об/иин. Полученную смесь смешивают в течение 1-2 ч с полиэфиром
Э 220, просушенным кварцем, молотым пылевидным и смолой эпоксидной. В приготовленную смесь вводят малеино- 45 где  — величина магнитной индукции магнитного поля, в Тл; вязкость диэлектрического связующего в нормальных условиях на вискоэиметру
В3-4, в с
К вЂ” коэффициент магнитной восприимчивости токопроводяще- 15
ro материала, и поддерживают при этом значении до момента снижения электрического сопротивления изготовляемого резистора до величины 0,7 — 0,9 от номинальной зо величины резистора. Если при изготовлении мощ ых низкоомных резисторов при магнитной встряске величина электрического сопротивления не снижается до величины 0,7 — 0,9 от номинальной величины резистора, то величину магнитной индукции необходимо однократно или многократно увеличить на
0,3 В >, добиться снижения электрического сопротивления резистора до величины 0,7 - 0,9 от номинальной ве- Зы личины сопротивления резистора.
Для изготовления резистора, например, номиналом 10 кОм+1% мощностью
100 Вт в качестве диэлектрического связукщего применяют смолу фенольную, Ы смолу эпоксидную диановую ЭД - 16
ГОСТ 10587-72 и наполнитель кварц молотый пылевидный ГОСТ 9077-59 марки
КП-1, в качестве токопроводящего элемента - порошок никелевый посереб- 4р ренный Ту 48-07-104-71, в качестве пластификатора — полиэфир Ф 220
Ту МХП Р КУ-487-57, в качестве отвердителя — ангидрид ГОСТ 5854-54.
Для приготовления 100 г резистивного материала для резисторов номиналом 10 кОм количество входящих в него компонентов составляет (в г): порошок никелевый -25 посеребренный кварц молотый пылевидный смола фенольная смола эпоксидная полиэфир Р 220 мал еи новый ан гидр ид вый ангидрид и перемешивают. Полученный резистивный материал вводят в форму из фторопласта. Форма представляет собой пустотелый объем в виде прямоугольника размерами 100х25х25 мм с отверстиями для вывода в нижней стенке и в верхней {крышке). Головки (электроды) размерами 95х20х20 мм изготовляют из никеля толщиной 1,5 мм.
К головкам приваривают выводы иэ медного провода диаметром 5 мм. После нанесения на внутреннюю поверхность формы антиадгезионного (разделительного) слоя вставляют в нижнюю часть формы электрод и жестко закрепляют его с помощью вывода с внешней стороны формы приспособлениями иэ диамагнитного материала и после герметизации отверстия для вывода вводят в форму резистивный материал, закрывают форму крыакой с вставленной в нее второй головкой. Головки вставляют в форму таким образои, чтобы они полностью находились в резистивном материале и располагались параллель-. но друг другу.
Вывод электрода жестко скрепляют с крышкой формы диамагнитными приспособлениями.
Для создания магнитного поля используют дроссель с воздушным зазором длиною 100 мм с магнитопроводом сечением 180х90 им, внутри которого можно создавать однородное постоянное магнитное поле величиной 1 Тл путем подачи постоянного напряжения на выводы дросселя от регулируемого источника постоянного тока с напряжением от 0 до 200 В и током до 20 A.
Дроссель помещают в установку для вакуумирования, а в воздушный зазор дросселя помещают и жестко закрепляют форму с изготовляемым резистором аким образом, чтобы геометрические центры резистора и воздушного зазора совпадали, а плоскости головок резистора оказались параллельными сеченияи магнитопровода дросселя. Приспособления для жесткого крепления формы в воздушном зазоре изготовляют иэ диамагнитиого материала.
К выводам дросселя подсоединяют источник постоянного тока для создания магнитного поля таким образом, чтобы можно было управлять величиной магнитного поля при закрытой вакуумной установке. Таким же образом подсоединяют к выводам изготавляемого резистора выход регулируемого источника постоянного тока, предназначенного для нагревания резистора путем пропускания через него постоянного тока. При этом величина электрического сопротивления определяется по показаниям амперметра, соединенного последовательно ó выводом источника постоянного тока и выводом резистора, и вольтметра, подсоединенного параллельно выводам резистора, 864349
Формула изобретения
200 ° 58 мв = — д - 0,12 Тл
Составитель Т. Баранова
Редактор N. Бандура Техред M. Табакович КорректорЮ. Макаренко
Заказ 7806/75 Тираж 787 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Класс точности приборов в сумме должен быть на порядок выше точности изготовления номинальной величины резистора, т.е. не хуже 0,1.
Величина электрического сопротивления резистора определяется по фор- . 5 муле к -Г, U где R — - величина электрического сопротивления, Ом;
I — величина тока, проходящего через резистор, А;
U - величина напряжения, приложенного к выводам резистора
В.
В ре зульт ате 3 акрыв ают вакуумную установку, создают в ней вакуум с остаточным давлением 1-2 мм рт.ст., подают напряжение на выводы резистора и повышают его до значения, при котором температура внутри резистора Щ достигает величины 120-180 С и поддерживают ее в этих пределах при всех изменениях электрического сопротивления, происходящих магнитной индукции поля до величины и поддерживают при этом значении до тех пор, пока электрическое сопротивление изготовляемого резистора не достигнет величины
R = 1,003 ° 10 = 10030 Ом, соответственно поддерживают ее до окончательной полимеризации диэлектрического связующего (до трех часов с момента ввода отвердителя). После этого выключают источники питания, извлекают резистор из формы и размагничивают его. 40
Использование данного способа изготовления непроволочных резисторов с обработкой в магнитном поле обеспечивает по сравнению с известными способами увеличение вероятности обра-4 эования непрерывных цепей из контактирующнх частиц проводника, дисперги- рованного.в композицию, и исключает ее зависимость от объемной концентрации проводника в композиции резистора, при этом равномерное распределение проводника в композиции позволяет исключить локальные перегревы в композиции резистора и значительно уменьшить собственные шуьы резистора, кроме того, расширяет диапазон номинальных значений электрического сопротивления резистора и увеличивается точность изготовления резисторов, а также расширяется диапазон управления величиной электрического сопротивления резистора и полностью обеспечивается выход резисторов в заданный канал.
Способ изготовления непроволочных резисторов, включающий смешивание токопроводящего материала с наполнителем, пластификатором, отвердителем и связующим, введение полученной резистивной композиции в форму из диамагнитного непроводящего материала, отверждение реэистивной композиции, о т л и ч ю шийся тем, что, с целью расширения диапазона номинальных значений и повышения точности резисторов, перед отверждением резистивной композиции форму из диамагнитного непроводящего материала помещают в однородное магнитное по« ле и осуществляют изменение величины магнитной индукции до значения, при котором величина электрического сопротивления резистора достигает номинального значения, и поддерживают его неизменным в процессе отверждения резистивной композиции.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
Авторское свидетельство СССР
Р 166068„ кл. Н 01 С 17/00, 1963. (прототип) °


