Способ определения магнитной структурымикроферромагнетика
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИЗЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 06,04.79 {21)2748456/18-21 (51)М. Клз
G 01 R 33/12 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—
Государственный комитет
СССР оо лелям изобретений и открытий
Опубликовано 070781,Бюллетень № 28 (53) УДК 621.317 .44(088.8) Дата опубликования описания 10.07.81 (72) Автор изобретения
Г. И. Ягло
Ростовский-на-дону институт сельхозмашиностроения (71) Заявитель
Изобретение относится к исследованию параметров микроскопических частиц, в частности, к определению их магнитных характеристик.
Известен способ определения магнитных характеристик, по которому на частицу, взвешенную в жидкости, воздействуют постоянными магнитными полями — однородным и неоднородным P1g.
Недостатком указанного способа является невозможность определения по нему характера процесса намагничивания и типа движения доменных границ, так как он позволяет определить состояние намагниченности при каком-то 15 одном совокупном .значении однородного и неоднородного магнитных полей.
Известен также способ определения магнитных характеристик отдельных частиц ферромагнетиков, по кото- 20 рому на взвешенную в жидкости магнитную частицу воздействуют ступенчато изменяющимся магнитным йолем и при постоянном значении однородного намагничивающего поля воздействуют неоднородным полем f2) .
Недостатком указанного способа является низкая точность, так как постоянное однородное и неоднородное магнитное поле создается электро- 30 магнитами, и только в поле электромагнита можно визуально наблюдать частицу.
С целью повышения точности при определении структуры микроферромагнетика способом, включающим намагничивание взвешенной в жидкости частицы постоянным и переменным магнитными полями, намагничивание осуществляют последовательно возрастакицим до насыщения импульсным магнитным полем с последующим после действия импульса воздействием на частицу постоянным однородным магнитным полем, а о магнитной структуре микроферромагнетика судят по ориентации частицы в постоянном однородном магнитном поле после воздействия каждого из импульсов.
На фиг. 1 представлена схема устройства, позволяющего реализовать предложенный способ; на фиг. 2 проиллюстрирован характер изменения магнитного поля; на фиг. 3-5 изображено движение 180о -ной доменной границы; на фиг. 6 изображен процесс намагничивания частицы вдоль одной из осей легкого намагничивания; на фиг. 7 изображен процесс намагничивания .частицы вдоль двух осей намагничивания; на фиг. 8 показано совпаде845123
40 поля. Затем напряженность поля уменьшается и принимает постоянное значение, когда питание катушки 3 идет только от аккумуляторов. Использование батарей конденсаторов дает возможность создать в импульсе длительностью несколько миллисекунд поле ние суммарной намагниченности частицы с направлением поля после прохождения импульса. устройство содержит микроскоп 1, который расположен над кюветой 2 а исследуемым объектом. Кювета 2 помещена в центр системы катушек 3 соленоидов, с помощью которых создается магнитное поле. Катушки 3 расположены соосно на расстоянии, равном радиусу катушек. Микроскоп располагается между катушками 3 на равном расстоянии от каждой таким образом, что
его ось пересекается с осью соленоидов под пряьым углом, и кювета 2 помещается в месте пересечения осей.
С помощью коммутатора 4 производится включение в работу катушек 3 соленоидов и их выключение, переключение полярности батареи конденсаторов 5, 6. Диод 7 предохраняет,от разрушения низковольтный источник 8:питания постоянным током катушек 3 соленоидов при разряде одной из батарей конденсаторов 5, 6. Амперметр 9 предназначен для измерения величины постоянного тока от источника 8. Размыкание цепи питания соленоидов постоянным током производится ключом 10, а размыкание цепи зарядки конденсаторов
5 и 6 от высоковольтного источника
11 — ключом 12. Ключ 13 служит для включения соленоидов в работу.
Частицу помещают в масло, запол-. няющее кювету 2. Вследствие большой вязкости масла (например, касторового или глицерина) частица в процессе опыта остается взвешенной в жидкости.
Вязкость масла велика, время воздействия однородным магнитным импульсом мало, и частица в процессе этого .воздействия остается неподвижной.
В случае изменения направления вектора остаточной намагниченности
J относительно объема частицы изменение ориентации самой частицы будет происходить уже в постоянном поле Н
Создание импульса Н„, осуществляется разрядом конденсатора б на соленоиде, а постоянная составляющая .
Н создается током от источника 8.
Вектор напряженности магнитного поля, создаваемого током при разрядке конденсаторов1и вектор напряженности магнитного поля, создаваемого током от источника постоянного тока совпадают по направлению. В начальныи момент времени при включении конденсаторов происходит резкое возрастание напряженности магнитного
45 напряженностью в несколько миллионов
Ампер/метр.
Современная теория магнитной структуры позволяет объяснить процессы, происходящие в кристаллах при перемагничивании, следующим образом.
Даже небольшой ток в катушках соленоида создает магнитное поле, достаточное для того, чтобы размагниченную частицу намагнитить вдоль одной из осей легкого намагничивания, и она,,будучи свободно взвешена в жидкости, ориентируется таким образом, что ее вектор суммарной намагниченности совпадает по направлению с полем Н> (как магнитная стрелка в магнитном поле Земли) .
Если частица имеет одну ось легкого намагничивания или 100%-ную текстуру (технология получения частицы предполагается известной), то при действии на нее импульсным полем, величина которого от импульса к импульсу возрастает, движение доменных границ (только 180О-ных) будет осуществляться вдоль этои оси, и ориентация частицы остается неизменной в процессе ее намагничивания импульсами Н> и в постоянном поле Н„. Остаточная намагниченность возрастает.по величине, а направление ее остается постоянным 1фиг. 3-5).
Иное дело — частица, у которой не однà ось легкого намагничивания, или частица состоит из нескольких магнитодноосных кристаллитов с различным расположением осей. В слабом поле произойдет намагничивание вдоль одной из осей легкого намагничивания, которая оказалась наиболее благоприятнб расположенной по отношению к намагничивающему полю, например 1-1, или по причинам технологического характера получилась легчайшей среди легких). Частица повернется этой осью вдоль поля, и вектор 7 будет совпадать по направлению с пЪлем
1фиг. 6) . Дальнейшее увеличение намагниченности будет при увеличении поля происходить уже не только вдоль этой оси, но и вдоль других (например
I! — I1 будет этой второй осью). Появится намагниченность J<. (фиг. 7) за о счет движения 90 -ных границ или взаимосвязанного движения 90 -ных и
180о-ных, или любого другого типа, отличного от 180 -ного.
Частица в поле Н л повернется до совпадения с полем Нп (фиг. 8).
Таким образом, возможно два типа поведения частицы во внешнем поле.
Если частица имеет одну ось легкого намагничивания или 100%-ную тексту" ру, то в процессе импульсного увеличения ее остаточной намагниченности в постоянном поле ориентация ее не будет изменяться.
Если текстура не 100%-ная, или частица имеет несколько осей легко845123
Ни
Но го намагничивания, то в процессе намагничивания будет изменяться ее ориентация в поле. Поскольку магнитная структура и ее динамика в процессе намагничивания самым непосредственных образом связана с состоянием кристаллической структуры, то ,по характеру изменения намагниченности частицы можно судить о состоянии кристаллической структуры.
Формула изобретения
Способ определения магнитной структуры микроферромагнетика, вклЮчающий намагничиванИе взвешенной в жидкости частицы постоянным и переменным магнитным полями, о т л и ч а ю щ и и - 45 с я тем, что, с целью полнения точности, намагничивание осуществляют последовательно воэрастакщим до насыщения импульсным магнитным полем с последукщим после действия каждого импульса воздействием на частицу постоянным однородным магнитным полем, а о магнитной структуре микроферромагнетика судят по ориентации частицы в постоянном однородном магнитном поле после воздействия каждого из импульсов.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
9 387279, кл. G 01 N 27/72, 1971.
2. Авторское свидетельство СССР 9 543902, кл. G 01 R 33/16, 1975 (прототип).
845123
Ии
Нп
Ии
НП
I ! !
1 !
ФигЗ
Фиг.4 Hè
Йа
Фиг.б
Фиг.7. Нп
Фиг.д
Составитель Ф. Тарнопольская
Редактор Б. Федотов Техред М.Голинка Корректор Н. Швыдкая
Тираж 732 Подпис ное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Заказ 4137/3
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4



