Масс-спектрометр
3 1
<н>843027
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
J
У X
Ф
«". " (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (5l)M. Кл. (22) Заявлено 17. 08. 79 (21) 2810353/18-25
Н 01 J 49/26 с присоединением заявки №вЂ”
{23) П риоритет
Государственный комитет по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.384 (088.8) Опубликовано30.06.81- Бюллетень ¹ 24
Дата опубликования описания 30.06.81 (72) Авторы изобретения к
Г.М. Тер-Акопьян и Д. Д. Богданов
r, I г.
1.
1 1
Объединенный институт ядерных исследований(71) Заявитель (54) МАСС-СПЕКТРОИЕТР мов основы
Изобретение относится к масс-спектрометрам и может быть использовано в физических, химических и геологических лабораториях, занимающихся исследованиями, связанными с определением следовых количеств химических элементов.
Известны время-пролетные массспектрометры, содержащие источник ионов, устройство извлечения ионов и формирования пучка, пролетную базу, детектор ионов и устройство для измерения времени пролета ионов от щели источника до детектора 11.
Недостатком время-пролетного массспектрометра является невысокая чувствительность, достигающая для не-, которых наиболее благоприятных ; хи6 мических элементов 1 атом на 10 атоИзвестны также масс-спектрометры, содержащие ионный источник, ана- лизатор и детектор ионов j?).
Недостатком известного масс-спектрометра является невысокая чувствительность, достигающая для лучших приборов 1 атом íà 10 атомов осно8 вы.
Цель изобретения — повьппение чувствительности масс-спектрометра.
Указанная цель достигается тем, что в масс-спектрометре, содержащем ионный источник, анализатор и детектор, между ионным источником и анали-, затором последовательно установлены газовая мишень, отклоняющий конденса тор и стигматическая ахроматическая ионно-оптическая система, Стигматическая ахроматическая ионно-оптическая система состоит из двух или более дипольных магнитов и одной или более квадрупольнйх электронных линз, причем изображение, создаваемое этой системой, служит для диспергирующей системы в качестве объектной . щели источника.
Союз Советских
Социалистических
Реслублик
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1806.79 (23) 2780938/18-21 (53) M. КЛ. Н 01 Ь 21/00 с присоединением заявим М (23) Приоритет
Государственный комитет
СССР ло делам изобретений и открытий
Опубликовано 30.06.81, Бюллетень М 24
Дата опубликованмяописания 300681 (53) УДК 621.382 (088. 8) В.Н. Баранов и В.И.Иванов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) УС1 РОЙС1ВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
Изобретение относится к изготовлению установок для осаждения слоев из парогазовой фазы с лучистым нагревом и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем для проведения процессов эпитаксиального наращивания кремния,. нитрида кремния, низкотемнературного осаждения леги. рованных слоев S10 и т.д.
Известна установка осаждения слоев иэ парогазовой фазы с лучистым нагревом (1).
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является !5 устройство для осаждения слоев из газовой фазы, содержащее реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкодержа- 20 телем, водоохлаждаемые отражатели с излучателями, расположенные с его внешней стороны, и систему подачи и отвода газовой смеси (2) .
Недостатками известных устройств. являются неравномерность нагрева подложек и низкая надежность.
Цель изобретения — повышение равномерности нагрева подложек и повышение надежности. 30
Указанная цель достигается тем, что в устройстве для осаждения сло-, ев иэ газовой фазы, содержащем реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкЬдержателем, водоохлаждаемые отражатели с излучателями, расположенные с его внешней стороны, и систему подачи и отвода газовой смеси, наружная кварцевая оболочка реактора выполнена в виде набора цилиндрических стержней, плотно прилегающих друг к другу по образующим.
На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 — разрез A-A на фиг. 1.
Устройство для осаждения слоев иэ газовой фазы включает .в себя четыре водоохлаждаемых отражателя 1, внутри которых установлены в шахматном порядке по высоте излучатели
2 типа галогенных или газоразрядных ламп. С отражателями 1 состыкованы фланцы 3 с коллекторами подачи 4 и отвода 5 воздуха, охлаждающего уплотненный в них кварцевый реактор 6.
В фланцах 3 закреплена кварцевая оболочка 7, являющаяся внешней стенкой реактора 6. Кварцевая оболочка 7




