Раствор для химического полирования

 

О П И С А Н И Е 01)833648

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 20.08.79 (21) 2810381/29-33 (51) М.К.

С 03 С 15/00 с присоединением заявки №вЂ”.Гесударстееннмй комитет

СССР (23) Приоритет— (53) УДК 666.1. .512 (088.8) Опубликовано 30.05,81. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 05.06.81 аа делам изобретений и открытий

В. П. Маслов, Н. Н. Новиков, Н. Я. Горидько и А. П. Жужнева (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ

1S

Изобретение относится к технологии химического полирования оптических деталей из монокристаллов, например сурьмянистого кадмия, и может быть использовано в оптико-механической и оптико-электронной промышленности.

Известен травильный раствор для сурьмянистого кадмия (1), включающий, мл:

Глицерин. 60

30%- н а я перекись водорода 60

37%-ная плавиковая кислота 40

Применение этого раствора позволяет получить полированную поверхность. Однако на ней после травления образуются ямки.

Наиболее близким к изобретению является раствор (2), содержащий, мл:

Глицерин 50

30%-ная перекись водорода 27

37%-ная плавиковая кислота 10

Такой раствор не образует ямок травления на поверхности кристалла, но не позволяет получить удовлетворительное оптическое качество полированной поверхности, в частности, наблюдается волнистость на поверхности. Кроме того, большое содержание глицерина снижает скорость травления.

При этом интенсивно чернеют поверхности монокристалла.

Цель изобретения — улучшение качества поверхности и увеличение скорости травления.

Указанная цель достигается тем, что раствор содержит компоненты в соотношении,мл:

Глицерин 5 — 15

30%-ная перекись водорода 35 — 45

37%-ная плавиковая кислота 12 — 20

Этим раствором обрабатывают промышленные изделия из сурьмянистого кадмия, представляющие собой цилиндры диаметром 3 мм и высотой до 5 мм, предварительЗО но отполированные алмазной пастой М2/1 и М 1/О. Травление производят вначале без перемешивания в течение 40 — 50 с, в результате чего на поверхности заготовки об833648

Известный 1 20 1 0-1 2

Предла гаемые 1

60 15 20 14 Поверхность чистая

50 20-25 14 То же

58 15-20, 14

Формула изобретения

Составитель О. Самохина

Редактор Н. Безродная Техред А. Бойкас Корректор Н. Степ

Заказ 3915/24 Тираж 520 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 разуется окисной слой, который легко удаляется кратковременным (5 — 10 с) перемешиванием полирующего раствора непосредственно перед окончанием процесса

Таким образом, использование предлагаемого раствора позволяет улучшить частоту поверхности на 1 класс и снизить время травления в 2 раза, получить на поверхности кристалла во время травления тонкую пленку, способствующую равномерному стравливанию материала. При этом отсутствует почернение поверхности кристалла.

Раствор для химического полирования оптических деталей из монокристалла сурьмянистого кадмия, включающий глицерин, 30%-ную перекись водорода и 37%-ную плавиковую кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхполировки. После травления образца промывают проточной водой.

Результаты испытаний приведены в таблице. ности и увеличения скорости травления, он содержит указанные компоненты в соотноЗО шенин, мл:

Глицерин 5 — 15

30%-ная перекись водорода 35 — 45

37%-ная плавиковая кислота 12 — 20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Пшеничнов Ю. П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М., «Металлургия», 1974, с. 369 — 370.

4о 2. Шлаевский В. Э., Шкрибано Ю. М., и Лавренюк М. С. Определение кристаллической структуры сплава состава ZnCdSbq.«Вестник Львовского университета», сер. физич., № 3 (11), 1968, с. 113 — 114.

Раствор для химического полирования Раствор для химического полирования 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к химическому удалению тонкослойных покрытий германий-моноокись кремния с поверхности арсенидов индия и галлия и может быть использовано в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности в технологии изготовления оптических деталей, в частности интерференционных фильтров и полупроводниковых изделий интегральных микросхем, для замены механического способа удаления отбракованных покрытий химическим травлением

Изобретение относится к областям регистрации информации путем литографического формирования рельефных микроструктур и может быть использовано в оптотехнике, голографии, электронной технике, полиграфии и прочее
Изобретение относится к обработке стекловолокнистых нитей, в частности к изготовлению микроканальных пластин МКП, и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях
Изобретение относится к технологии обработки стекла и изделий из него для получения декоративного эффекта в виде матового рисунка

Изобретение относится к технологии изготовления макропористых стекол оптического качества из натриевоборосиликатного стекла типа ДВ-1 и может быть использовано для создания объемных микрогетерогенных сред как элементной базы в системах записи, хранения и обработки информации, в волоконно-оптических системах передачи информации, в голографии и лазерной технике
Изобретение относится к составам растворов, применяемых для полировки изделий из стекла
Изобретение относится к составам травильных растворов для обработки поверхности стекла, нанесения на нее маркировочных обозначений, рисунков и другого
Изобретение относится к составам травильных растворов, используемых в стекольной промышленности
Изобретение относится к составам растворов для травления стекла
Наверх