Устройство для раскрытия двухслойнойтары

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

ОП ИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К .АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистически к

Республик

<,819854 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (51) М. Кл.з (22) Заявлено 07.01.74 (21) 1983750/18-21

Н 01 L21/00 с присоединением заявки №вЂ”, (23) ПриоритетвЂ”

Гееудлретееииый кемитет

СССР ае делам,, наееретеиий н еткрытнй (53) УДК 621.798.4 (088.8) Опубликовано 07.04.81. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 17.04.81 (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАСКРЫТИЯ ДВУСЛОЙНОЙ

ТАРЫ

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, а именно к устройствам для раскрытия двуслойной тары.

Известно устройство для раскрытия двуслойной тары, содержащее вакуумные присосы, расположенные на связанном с приводом возвратно-поступательного движения захватном элементе и на рабочем столе, и закрепленный между присосами захватного элемента прижим (11.

Данное устройство является наиболее близким к описываемому изобретению по технической сущности и достигаемому результату.

Недостатком известного устройства является то, что в процессе раскрытия тары происходит перемешивание полупроводниковых,кристаллов.

Цель изобретения вЂ” сохранение ориентации находящихся в таре полупроводниковых кристаллов.

Указанная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем вакуумные присосы, расположенные на связанном с приводом возвратно-поступательного движения захватном элементе и на рабочем столе, и закрепленный между присосами захватного элемента прижим, прижим выполнен в виде объемно-упругого элемента с выпуклой сферической рабочей поверхностью, а вакуумные присосы расположены по периферии прижима.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство с прижимом в верхнем положении; на фиг. 2 вЂ” устройство с прижимом в нижнем положении.

Рабочий стол 1 снабжен средством для удержания пакета 2, выполненным в виде

10 вакуумного присоса. Центральный осевой канал 3 соединен с откачной магистралью 4, щелевой канал 5 расположен по периферии рабочего стола 1. Ряд каналов 6 открывается к поверхности 7 стола.

Устройство снабжено также захватным элементом 8 в виде конического стакана, соединенным с приводом возвратно-поступательного движения. На периферии стакана выполнены щелевые вакуумные присосы

9, которые каналом 10 соединены с вакуум2О ной магистралью 11. Между присосами 9 внутри стакана 8 закреплен прижим в .виде объемно-упругого элемента, состоящего из упругого демпфера 12 с выпуклой сферической поверхностью 13 и прокладки 14.

819854

Риг. /

Составитель А. Елкин

Редактор Б. Федотов Техред А. Бойкас Корректор. E. Рошко

Заказ 1291 30 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д..4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Пакет 2 состоит из нижней пленки 15 и верхней 16.

Устройство работает следующим образом.

После размещения на столе 1 пакета

2, 11з которого откачан воздух, приводится в действие вакуумный присос, расположенный на столе. В результате этого нижняя пленка 15 пакета 2, а, следовательно, и весь пакет 2 фиксируется на поверхности стола.

Затем производятся обрезание герметизирующих швов пакета и снятие верхней пленки

16. Для этого захватный элемент 8 опускается и прижимается к пленке 16. Затем приводится в действие щелевой присос 9, при помощи которого захватывается и удерживается пленка 16.

Захватный элемент 8 с помощью привода возвратно-поступательного движения поднимается; при этом пленка 16 отделяется от кристаллов полупроводника постепенно по всей поверхности каждого отдельного кристалла. Сферическая поверхность демпфера

12 обеспечивает неподвижность кристаллов.

Обрезка герметизирующих швов пакета. 2 производится после опускания захватного элемента 8 любым известным режущим инструментом.

Изобретение позволяет сохранять ориентацию полупроводниковых кристаллов в процессе их отбраковки.

Формула изобретения

Устройство для раскрытия двуслойной тары, содержащее вакуумные присосы, расположенные на связанном с приводом возвратно-поступательного движения захватном элементе и на рабочем столе, и закреп» ленный между присосами захватного элемента прижим, отличающееся тем, что, с целью сохранения ориентации находящихся в таре полупроводниковых кристаллов, прижим выполнен в виде объемно-упругого элемента с выпуклой сферической рабочей поверхностью, а вакуумные присосы расположены по периферии прижима.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 274700, кл. В 65 В 43/30, 1969 (прототип) .

Устройство для раскрытия двухслойнойтары

Способ определения эффективноймассы носителей b полупроводникахи полуметаллах // 817808

Полирующий травитель для иодида ртути // 816331

Способ селективного травления полупроводниковых структур // 816327

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов // 814175

Способ изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьер шоттки // 814168

Изобретение относится к электронной технике, и может быть реализовано при изготовлении полевых транзисторов преимущественно на арсениде галлия и интегральных схем субнаносекундного диапазона и СВЧ-транзисторов

Способ измерения параметровглубоких центров b полупроводниках // 813329

Способ исследования областей конвер-сированного типа проводимости b об'емеполупроводника // 811370

Кассета // 809436

Устройство для химического трав-ления изделий по заданному рисунку // 809435

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ нанесения пленок // 2102814

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2102817

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией