Способ контроля качества поверхности пластин

Союз Советских

Социалистических

Республик

783653 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 010279 (21) 272107 /18 25 с присоединением заявки Ио (23) Приоритет

Опубликовано 30,1180. Бнзллетень 44

Дата опубликования описания 30,1 1ЯО (51)М. Кл.З

G 01 N 13/ОО

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621. 382 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Е. A. Бизинская и В. В. Баковец (73) Заявитель

Институт неорганической химии СО AH СССР (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ

RHACT ИН

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля поверхности полупроводниковых и диэлектрических пластин.

Известен способ контроля качества поверхности пластин f,l)„ основанный на наблюдении поверхности пластины с помощью микроскопа. l0

Недостатком этого способа является е о непригодность для выявления загрязнений в результате адсорбции из индустриальной атмосферы и из растворов, в которых производится обработка пластин.

Известен также способ контроля качества поверхности пластин по углу смачивания при нанесении на поверхность пластины капли жидкости (2).

Недостатком этого способа является то„ что в процессе контроля исследуемые пластины соприкасаются с индустриальной атмосферой, что приводит к загрязнению пластин. Загрязнение при-25 водит к понижению качества контроля, Целью изобретения является улучшение качества контроля путем исключения загрязнения пластины в процессе контроля. ЗО

Поставленная цель достигается тем, что пластину погружают в деионизованную воду и наносят на ее поверхность каплю диэтилового эфира.

Пример. После химико-механической полировки пластины подвергали ст андарт ной техн оло гиче ской о бра ботк е:

1 перекисная обработка (кипячение в аммиачно-перекисном растворе 5 мин, промывание в деионизованной воде, кипячение в соляноперекисном растворе

5 мин, промывание в деионизованной воде) .

2. кистевая мойка.

3. сушка в токе азота 2 мин при комнатной температуре

Затем пластина подавалась в термостатированную кювету (25 + 0,5аC) для измерения у ла смачивания. С помощью кварцевого кайилляра, заполненного диэтиловым эфиром, на поверхности контролируемой пластины формировались три капли, разнесенные по диаметру пластины. Диаметр капель 1 — 2 мм.

Для пластин с одной или разных полировальных головок, прошедших один и тот же режим химической обработки и сушки, угол смачивания составил

iI57 + 3 . Количество проконтролирован-! ных пластин — 25 штук.

783653

Стандартная обработка без кистевой мойки

Стандартная обработка без кистевой мойки с изменением времени хранения пластин в кассетах в индустри альной атмосфере

Стандартная обработка с изменением времени хранения пластин в кассетах в индустриальной атмосфере

Р го ловки

Q+ разброс, град.

8 + раз брос град.

Р го- Р пласловки тины время хранения

Р го- Р плаловки стины

6+ разброс„ град время хранения

139+4 О

1304148 О

l 2 ч 143+2

2 24 ч 147+3

3 24 ч 139+3

2 Змин

ЗОьин

60мин

24 ч

О 3

146+ 3

148+2

142+ 3

138+4

24 ч

24 ч Величина углов смачивания для пластин, прошедших обработку без нарушения режима составляет 157 +3 .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

BHHHIIH Заказ 8532/45 Тираж 1019

Подписное

Филиал ППП "Патент"„ г. Ужгород, ул. Проектная, 4 для определения чувствительности способа контроля к изменению режима обработки пластин проводилось специальное нарушение технологического процесса. Представленные в таблнце результаты контроля показали, что способ выявляет факт нарушения технологического процесса с достаточной надежностью, при этом угол смачивания значительно уменьшается.

Контроль не изменяет качество поверхности. Последующее окисление и измерение порогового напряжения показало, что величина последнего одинакова для пластин, прошедших и не прошЕдших упомянутый контроль.

Предлагаемый способ является эффек- Я тивным для контроля качества поверхФормула изобретения

Способ контроля качества поверхности пластин по углу смачивания при нанесении на поверхность пластины капли жидкости„ отличающийся я тем, что, с целью улучшения качества контроля путем исключения загрязнения пластины в процессе контроля, пластину погружают в деиониэованную воду и наносят на ее поверхность каплю диэтилового эфира. ности не только пластин кремния, но и

:пластин иэ кварца, окисленного кремния, кремния, покрытого окисью алюминия.

Предлагаемый способ позволяет проводить операцию контроля непосредственно после окончательной отмывки пластин в технологическом процессе и испольэовать проточную деиониэованную воду»

Использование диэтилового эфира для формирования капли позволяет получить углы смачивания, удобные для измерения с и не загрязняет поверхности пластин.

Способ может применяться для контроля всех пластин при массовом производстве.

156+ 3

154+ 3

152+ 3

146+2

149+3

149+ 3

1.. Ерусалимчик Н.Г., Никонов А.С., Старшинов И.IT, Сонов О.В. Предварительная очистка кремния. Электронная техника, сер. 2, вып. 1 (119) 1978, с. 81.

2. Патент США Р 3505006, кл. 21-61, опублик 1970. (прототип).