Способ создания металлизации свч-транзисторов
Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6 исходной толщины слоя.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии и производству интегральных микросхем повышенной степени интеграции (БИС, СБИС), СВЧ-транзисторам
Источник рентгеновского излучения // 746771
Травитель для германия // 713410
Способ изготовления интегральных схем // 667011
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Устройство для обработки кромок пластин // 2109370
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов
Устройство для шлюзования // 2133521