Блокинг-генератор
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
«н771854 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 150179 (21) 2713162/18-21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет
Опубликовано 151080. Бюллетень ¹ 38 (51}М. К,.з
Н 03 К 3/30
Государственный комитет
СССР по делам изобретений н открытий (53} УДК 621 ° 373.
° 18(088.8) Дата опубликования описания 151080 (72) Авторы изобретения
Н.Т. Гайдов и H.A. Дряпочко (71) Заявитель (54) БЛОКИНГ-ГEHEPATOP
Изобретение относится к импульсной технике. Устройство может быть использовано для генерирования импульсов со стабилизированными -параметрами (длительностью и периодом повторения).
Известны схемы блокинг-генераторов со стабилизированными параметрами выходных импульсов. Для- этого используются различные варианты вклю-1О чення транзисторов (с общей базой, с эмиттерной времязадающей емкостью) или вводятся дополнительные элементы: обмотки на импульсном трансформаторе, мостовые и задержанные время- 15 задающие цепи, 1,С-контуры, длинные линии, транзисторы и источники питания 61.
Известные схемы не обеспечивают 2О стабилизацию .какого-либо одного иэ параметров выходного импульса.
Известен блокинг-генератор, содержащий транзистор и трансформатор,пер-, вичная обмотка которого включена меж 25 ду источником питания и коллектором транзистора, начало вторичной обмот ки соединено с общей шиной через времяэадающий конденсатор и с шиной питания через резистор (21. 36
Недостатками такого блокинг-генератора являются низкая стабильность длительности и частоты повторения выходных импульсов, а также невысокий КПД.
Целью изобретения является повышение стабильности длительности и периода повторения выходных импульсов, увеличение КПД устройства.
Цель достигается тем, что в блокинг-генератор, содержащий первый транзистор и трансформатор, первичная обмотка которого включена между ,источником питания и коллектором первого транзистора, начало вторич-. ной обмотки соединено с общей шиной
1 через времяэадающий конденсатор и с шиной питания через резистор, вве:ден второй транзистор, причем конец вторичной обмотки непосредственно подключен к коллектору и через второй резистор к базе второго транзистора, эмиттер которого подключен к базе nepsox o транзистора, На чертеже изображена принципиальная схема блокинг-генератора.
Блокинг-генератор содержит тран,зистор 1, трансформатор 2, времязадавщий конденсатор 3 обратной связи, дополнительные транзистор 4 и резис771854 го резистора 6iU =4 „ L3 (3 - м(н) наибольшее напряжение на конденсаторе 3, лолучающееся к моменту окончания рабочего импульса, где U Есколлекторное напряжение; Т Е вЂ” обСЕ РА ратный ток коллектор-эмиттерного пе5 рехода дополнительного транзистора.
Как следует из приведенных выражений (1), (2), длительность („) и период повторения Тд выходных импуль- . сов в основном зависят от величины
Э =f3gqpтранзистора 1, сопротивления
RCq обратного тока ХсЕ ддополнительного транзистора. При этом изменение параметровЪ2 е,1 Š— компенсируется- противоположным изменением величи.А 2ЛЕ В
Уэ — коллекторное напряжение, ста- . тический коэффициент передачи и ток
2О базы дополнительного транзистора.
Дополнительная стабилизация периода повторения импульсов достигается за счет уменьшения тока разряда конденсатора 3 через базу транзис2$ тора 1 путем включения в эту цепь сопротивления сЕ коллекторно-эмитА терного перехода дополнительного транзистора.
Таким образом, стабилизация длиЯ тельности и периода повторения выходных импульсов обеспечивается без затраты дополнительной энергии от источника питания.
Предлагаемый блокинг-генератор .
gg позволяет повысить стабильность длительности и периода повторения выходных импульсов и расширить температурный диапазон, а также имеет высокий
КПД.
% 40 б т„ — величина, nponop 21E 1еH1 циональная статическому коэффициенту передачи транзистора, где
Вн 45
CIA безразмерная величина; В = И Е- интегральный коэффициент передачи тока транзистора 1 в схеме с общим эмиттером, Сн — время жизни неосновных носителей в насыщенной базе;
I Н, СŠ— > К = приведенные,к пер
А
П 1 СЕр п2,( вичной обмотке величины сопротивлений нагрузки 7 и дополнительного транзистора; и „ =ю /а, И „=и и -коэф-. фициенты трансформации us, ж>д, m количество витков обмоток импульсно- е0 го трансформатора; Го = „- приведенная постоянная времени первичной обмотки, где 4 =- L< — эквивалентная индуктивность намагничивания трансформатора к — величина времязадатще- 65
Формула . изобретения тор 5, времязадающий резистор 6,нагрузку 7.
В момент времени, принятый за исходное состояние, транзистор 1 закрыт отрицательным напряжением, образованным на конденсаторе 3 в момент генерации предшествующего импульса. Это напряжение приложено к базе транзистора 1 через коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора 4 и обмотку обратной связи трансформатора 2.
По мере перезаряда конденсатора
3 от источника питания через времязадающий резистор 6 запирающее напряжение на базе транзистора 1 уменьшается. Как только запирающее напряжение на базе транзистора 1 достигает нулевого значения, транзистор 1 открывается и под действием положительной обратной связи лавинообразно входит в режим насыщения, во время которого формируется выходной импульс и происхоцит заряд конденсатора 3 отрицательным напряжением. После заряда конденсатора 3 транзистор 1 закрывается и схема возвращается в исходное состояние.
Длительность t è период повторения Tð выходных импульсов блокинг-ге нератора определяются следующими выражениями:
-4
=-@ P 5 4+ и к и . д (s) " (" е, х ч ),(<) где eH RGE С постоянная Времени цепи базы, где R СŠ— сопротивление
С A коллекторно-эмиттерного перехода дополнительного транзистора 4;
Блокинг-генератор, содержащий первый транзистор и трансформатор,первичная обмотка которого включена между источником питания и коллектором первого транзистора, начало вторичной обмотки соединено с общей шиной через времязадающий конденсатор и с шиной питания через резистор, отличающийся тем, что,с целью повышения стабильности длительности и частоты повторения выходных импульсов, увеличения КПД, в него введен второй транзистор, причем конец вторичной обмотки непосредственно подключен к коллектору и через второй резистор к базе второго.транзистора, эмиттер которого подключен к базе первого транзистора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
9 422075, кл. Н 03 К 3/30,07.12.71.
2. Авторское свидетельство СССР
Р 597069, кл. Н 03 К 3/30,01.08.74 (прототип).
771854
Составитель A. Тимофеев
Редактор T Юрчикова Техред . H.Koâàëåâà Корректор И. Коста
Эаказ 6716/70 Тираж 995
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Разыская наб., д. 4/5
«
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4


