Устройство для измерения граничного напряжения транзисторов

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик пп77 i 578 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.12.78(21) 2702820/18-25

<51)М. К .

01 R 31/26 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 151080 Бюллетень ¹ 38

Дата опубликования описания 171080 (53) УДК621. 382. . 3 (088. 8) (72) Авторы изобретения

К. Б. Пукянец и А. Ю. Бингелис (71) Заявитель (54) УСТРОИСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ГРАНИЧНОГО

НАПРЯЖЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения статических.параметров транзисторов, в частНости, при исследованиях транзисторов в режиме насыщения.

В известных устройствах для измерения граничного напряжения транзисторов используется импульсный вольтметр, генераторы импульсов тока базы и коллектора (1) . В режим насыщения испытываемый транзистор вводится с помощью импульса тока базы, а через некоторое время подается импульс тока коллектора, после чего базовый !5 ток прерывается и транзистор вводится в область пробоя (благодаря про- теканию коллекторного тока). В качестве измерителя используется импульсный вольтметр. Известное уст- 20 ройство не обеспечивает высокой точности измерений, а в случае исследования высоковольтных транзисторов требуется сложный генератор импульсов тока коллектора. 25

Известно устройство для измерения граничного напряжения транзистора> содержащее генератор импульсов тока базы, импульсный вольтметр, источник коллекторного напряжения, соединен- 30 ный через токозадающий резистор и индуктивность с коллектором испытываемого транзистора С23.

Недостатком известного устройства является значительная погрешность установки тока кбллектора, при которогл измеряется граничное напряжение, так как из-за разрядки индуктивности область пробоя достигается при значении тока коллектора, отличающемся от установленного в режиме насыщения при помощи токоэадающего резистора.

Особенно это проявляется в случае высоковольтных транзисторов при глалых токах коллектора.

Целью изобретения является увеличение точности измерения.

Поставленная цель достигается тем, что в известном. устройстве введены схемы сравнения, выборки, запоминания и датчик тока коллектора, выход которого соединен через схему срав- . нения со. вторым входом схемы выборки и запоминания, а первый вход последней соединен с коллектором испытываемого транзистора, а выход — с импульсным вольтметром.

На чертеже приведена функционал» ная схема описываемого устройства.

771578

Формула изобретения

Составитель A. Пурцхванидзе

Редактор . Абрамова Техред Т.Маточка Ко ектор C. ЫекмарЗаказ 6688/57 1 ираж 1019

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство содержит генератор 1 импульсов тока базы, источник коллекторного напряжения 2, токозадающий резистор 3, индуктивность 4, испытываемый транзистор 5, датчик тока коллектора 6, схему сравнения 7, схему выборки и запоминания 8, имйульсный вольтметр 9.

Устройство для измерения граничного напряжения транзисторов работает следующим образом. Импульсом базового тока транзистор вводится в режим насыщения. При этом значение токоэадающего резистора 3 выбирается таким, чтобы значение тока коллектора исследуемого транзистора в режиме насыщения превышало на определенную величину значение тока, при котором производится измерение граничного напряжения.

После окончания импульса базового тока благодаря противо-ЭДС индуктивности транзистор переводится в область пробоя. Значение тока коллектора контролируется датчиком тока 6, выходной сигнал которого поступает на схему сравнения 7. При достижении коллекторным током значения, при котором измеряется граничное напряже ние, схема сравнения 7 выдает короткий строб-импульс, который управляет работой схемы выборки и запоминания 8. Коллекторное напряжение исследуемого транзистора, зафиксированное в момент строб-импульса схемой выборки и запоминанчя 8, поступа ет в виде расширенного импульса на импульсный вольтметр 9.

Положительный эффект получается за счет введения автоматического контроля тока коллектора в точке измерения параметра.

Устройство для измерения граничного напряжения транзисторов, содержащее генератор .импульсов тока базы, импульсный вольтметр, источник коллекторного напряжения, соединенный через токозадающий резистор и индук15 тивность с коллектором испытываемого транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности измерения, введены схемы сравнения, выборки, запоминания и датчик

Щ тока коллектора, выход которого соединен через схему сравнения со вторым входом схемы выб рки и запоминания, а первый вход последней соеди-! нен с коллектором испытываемого транзистора, а выход — с импульсным вольтметром.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Описание прибора Power transistor test set Туре TLM, BN2521/3.

2. Аронов В. Л., Федотов Я. A.

-- Испытание и исследование полупроводниковых приборов. М., "Высшая школа", 1975, с. 76 (прототип).