Способ определения параметров варизонных структур

 

1. Способ определения параметров варизонных структур, основанный на измерении зависимости интенсивности фотолюминесценции от энергии квантов в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения экспрессности контроля параметров по площади варизонных структур с шириной запрещенной зоны, возрастающей от поверхности к указанной подложке, измеряют зависимость интенсивности фотолюминесценции в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения подложки и дифференциальных изменений интенсивности фотолюминесценции при модуляции длины волны возбуждающего излучения, от энергии возбуждающих квантов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности состава на поверхности варизонных структур, измеряют амплитуду низкоэнергетического пика дифференциальных изменений фотолюминесценции.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности состава вблизи подложки измеряют амплитуду высокоэнергетического пика дифференциальных изменений фотолюминесценции.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности толщины структуры, измеряют относительную величину дифференциальных изменений фотолюминесценции при энергии возбуждающих квантов, большей максимального значения ширины запрещенной зоны.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх