Способ подготовки к контактному экспонированию и устройство для его осуществления

 

Союз Советскик

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1750614 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12.01.77 (21) 2439404/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл

Н 01 L 21/00

Гасударственный комитет

Опубликовано 23.07.80. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 28.07.80 (53) УДК 621,382, .002(088.8) ло делам изобретений и открытий

Иностранцы

Детлеф Ульрих, Петер Вестфаль, Дитер Эскольд и Хельмут Штельценмюллер (ГДР) (72) Авторы изобретения

Иностранное предприятие

«ФЕБ Электромат» (ГДР) (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ К КОНТАКТНОМУ

ЭКСПОНИРОВАНИЮ И УСТРОЛСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов методом фотолитографии и может использоваться для повышения качества контактного экспонирования.

Известен способ подготовки к контактному экспонированию, включающий прижим подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхностей, фиксацию подложкодержателя в этом положении, совмещение их рисунков, повторный прижим подложки к фотошаблону для экспонирования (1).

Устройство для осуществления известного способа содержит подложкодержатель, узел фиксации подложкодержателя, шаблонодержатель, узел совмещения, вакуумнопневматическую систему.

Недостатком известного технического решения является то, что при прижиме подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхности происходит интенсивный износ фотошаблона.

Из известных технических решений наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ подготовки к контактному экспонированию, включающий прижим подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхности, фиксацию подложкодержателя в этом положении, создание микрозазора между подложкой и фотошаблоном, совмещение их рисунков, повторный прижим подложки к фотошаблону для экспонирования (2).

Способ осуществл яют устройством, содержащем подложкодержатель, узел фиксации подложкодержателя, шаблонодержатель, узел совмещения, вакуумно-пневма10 тическую систему.

Недостатком способа является большой износ фотошаблона.

Цель изобретения — уменьшить износ фотошаблона.

Это достигается благодаря тому, что в способе подготовки к контактному экспонированию, включающем прижим подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхностей, фиксацию подложкодержателя в этом положении, создание микрозазозп ра между подложкой и фотошаблоном, совмещение их рисунков, повторный прижим подложки к фотошаблону для экспонирования, перед прижимом подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхностей

750614 периферийную часть подложки упруго отгибают по направлению к фотошаблону, а после фиксации подложкодержателя возвращают периферийную часть подложки в исходное положение.

Такой способ может быть осуществлен устройством, содержащим подложкодержатель, узел фиксации подложкодержателя, шаблонодержатель, узел совмещения, вакуумно-пневматическую систему, .которое снабжено кольцом, установленным концентрично подложкодержателю с возможностью

1 перемещения вдоль его оси симметрии, причем на боковой поверхности подложкодержателя выполнено кольцевое углубление, а кольцо снабжено буртиком, образующим совместно с кольцевым углублением полость, соединенную с . вакуумно-пневматической системой.

На фиг. 1 изображено устройство для плоско-параллельного ориентирования полупроводникового диска относительно фотошаблона в осесим метрическом разрезе; на фиг. 2 — то же, после ориентации.

Устройство содержит подложкодержатель, выполненный в виде прижимного стола 1, к поверхности 2 прижима которого прижимается посредством вакуума подложка (полупроводниковый диск 3) . Напротив поверхности 2 прижима находится шаблонодержатель 4 для лежащего в параллельной плоскости фотошаблона 5. Прижимной стол 1 выполнен поворотным с помощью чашеобразной опоры 6, находящейся внутри гнезда 7 и состоящей из полусферы 8 и сферической чаши 9. Концентрично прижимному столу 1 размещено наружное кольцо 10, которое может перемещаться вдоль общей симметрической оси относительно прижимного стола 1. Общая поверхность соприкосновения 11, выполняющая функцию направляющей, расположена ступенчато, так что прижимной стол 1 принимает форму гриба, а наружное кольцо 10 — форму чаши. Полость 12, образованная поверхностями стола 1 и наружного кольца, соединена с системой откачки посредством канала 13. Канал 14 соединен с откачной системой.

Принцип действия и технологические операции заключаются в следующем.

Резиновое уплотнение 16 при контактной копии уплотняет фотошаблон 5. Для позиционирования наружное кольцо 10 опускается настолько, что резиновое уплотнение 16 не соприкасается с фотошаблоном 5.

Кроме того, дальнейшее опускание наружгь ного кольца 10 облегчает съем полупроводникового диска 3 со стола 1. Все положения могут ориентироваться посредством прижимного приспособления.

Формула изобретения

При наложении полупроводникового диска 3 поверхность прилегания наружного кольца 10 находится снизу поверхности 2 прижима. При ориентировании поверхность прилегания наружного кольца 10 приподнимается на определенную величину над поверхностью 2 прижима с помощью пониженного давления, создаваемого в полости 12 через канал 13. При этом полупроводниковый диск

3 на столе 1 прижимается к поверхности 2 прижима через канал 14 и легко концентрически изгибается по кромке. В этом положении за счет откачки через канал 15 ориентируются полусфера 7 и прижимной стол 1.

После осуществления ориентации полупроводникового диска 3 к фотошаблону 5 поверхность прилегания наружного кольца 10 снова опускается путем вентилирования полости 12. Благодаря этому полупроводниковый диск 3 возвращается в верхнее исходное положение и находится на расстоянии позиционирования от фотошаблона 5.

После позиционирования может быть установлено расстояние для экспонирования за счет движения всей опоры 6. 3а счет движения опоры 6 вверх вентилирования полости 12 через канал 13 и аннулирования полости 12 между фотошаблоном 5 и полупроводниковым диском 3 может быть осуществлена контактная копия.

S В другом конструктивном варианте выполнения изобретения на поверхности прилегания наружного кольца 10 находится резиновое уплотнение !6.

Благодаря изобретению уменьшаются

30 входящие в контакт поверхности соприкосновения фотошаблона и полупроводникового диска, уменьшается опасность загрязнения и повреждения и повышается производительность и качество структур полупроводника. Тем самым значительно снижаются эксплуатационные расходы на изготовление полупроводниковых конструктивных элементов.

1. Способ подготовки к контактному экспонированию, включающий прижим подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхностей, фиксацию подложкодержан теля в этом положении, создание микрозазора между подложкой и фотошаблоном, совмещение их рисунков, повторный прижим подложки к фотошаблону для экспонирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения износа фотошаблона, перед прижимом подложки к фотошаблону для выравнивания их поверхностей, периферийную часть подложки упруго отгибают по направлению к фотошаблону, а после фиксации подложкодержателя возвращают периферийную у часть подложки в исходное положение.

2. Устройство для осуществления способа по п. 1, содержащее подложкодержатель, узел фиксации подложкодержателя, шаблонодержатель, узел совмещения, вакуумно75061

Фиг <

1Риг 2

СовT ii3HT«;ib . 1. 5c cil««oii«

Редактор О. Стенина Те.,ред К.Шугрин Корр«лтор П. Стен

Заказ 4660/41 Тираж 844 Подниснос

LlHHHl1H Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий

1 i 3035. Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал Г!П Г1 «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пневматическую систему, отличающееся тем, что устройство снабжено кольцом, установленным кон центрично подложкоде ржателю с возможностью перемещения вдоль его оси симметрии, причем на боковой поверхности подложкодержателя выполнено кольцевое углубление, а кольцо снабжено буртиком, образующим совместно с кольцевым углублением полость, соединенную с вакуумнопневматической системой.

6

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Рубцов И. Н., Хруничев Ю. А., Цветков Ю. Б. Установки совмещения и экспонирования. Обзоры по электронной технике, сер. 2, «Полупроводниковые приборы», ЦНИИ «Электроника», 1976, вып. 6(3781, с. 42 — 44.

2. Патент СШЛ № 3705769, кл. 355- -9!. опублик. 1972 .(прототип) .

Способ подготовки к контактному экспонированию и устройство для его осуществления Способ подготовки к контактному экспонированию и устройство для его осуществления Способ подготовки к контактному экспонированию и устройство для его осуществления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии и производству интегральных микросхем повышенной степени интеграции (БИС, СБИС), СВЧ-транзисторам

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления транзисторных структур с полным эмиттером

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх