Вторичноэлектронный эмиттер, работающийна прострел

Союз Советских

Социалистических

Республик

IiiI 743469

-И E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 281077 (21) 253884 2/18 — 25 (я)м. кл. с присоединением заявки Но

Н 01 1/32

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 070831 Бюллетень М 29

Дата опубликования описания 070881 (53) УДК 621. 3. 032..217(088.8) B.Õ.,I1èõòåíøòåIIH, В.С.Николаенко, А.Э.Шабельникова и Н.Л.Яснопольский (72) Авторы изобретения

Институт радиотехники и электроники аН СССР (71) Заявитель 54) НТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫИ ЭМИТТЕР,РАБОТАЮЩИЙ

НА ПРОСТРЕЛ

Изобретение относит-.я к элементам конструкции вакуумных приборов вторично †электронн эмиттерам, а более конкретно к вторично-электронным эмиттерам, работающим на прострел.

Известны вторично-электронные эмиттеры, работающие на прострел, которые состоят изеопорного слоя окиси алюминия толщиной 600-1000 а или в виде мелкоконструкторной сетки, на который нанесен тонкий (200 д) проводящий слой, изготовленный всегда из металла, обычно алюминия, и слой эффективного эмиттера, например KCI или K Cs Sb (1j .

Известен также эмиттер, в котором опорный слой выполнен в виде мелкоструктурной металлической сетки (2).

На опорный слой нанесен тонкии проводящий слой алюминия. Слоем эффектив-20 ного эмиттера является CsСI (2 j.

Такие эмиттеры со слоем Г С дают (3мсткс — — 13 при Е р,„е,кс= 3 5 кэв и Q >1 5 при 5р = 1 кэв.

Несмотря на fo, что B:эмиттерах с опорным слоем на мелкоструктурной сетки рабочие напряжения снижены почти в два раза по сравнению с другими, такие эмиттеры практически не нашли применения в приборах. 30

Недостатком этих эмиттеров являются низкие значения Г при малых значениях Ep (-1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных электронов в проводящем слое.

Цель изобретения — снижение ускоряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (при малых Ер (1 кэв).

Для этого в предлагаемом устройстве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером, меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмиттера, например из тонкого слоя углерода.

Такой проводящий слой обладает малым коэффициентом неупругого рассеяния электронов (примерно в два раза меньшим, чем у алюминия), что способствует увеличению коэффттциента вторичной эмиссии на прострел. Кроме того, на таком слое не образуется окисел при рабочих температурах эмиттера, в то время как алюминий даже при комнатной температуре образует устойчивую пленку окисла (диэлектрик), что ухудшает проводящие свойства слоя и ограничивает возможность уменьшения его толщины. Это

Источники информац..1и

l 5 принятые но внииа;-пле при =. ксперт:- зе

Формула изобретения

1. Вторично-электронный эмиттер, работающий ка прострел, содержащий

Составитель 1 . Жукова

Техред д. Ач Корре к тор E ° РО1 11"->

Редактор В. Фельдман

Заказ 5923/50 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и Открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/=.

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, уг. Проектная,,..;,м

4, ф 6 .;и

Обеспечивает большую, чем у алюминия, Оп15рный слой из мелкоструктурной проницаемость и меньшие потери энер- сетки, проводящий слой и слой эмитгии перничными электронами в прово- тирующего вещества, О т л и ч а ю дядем слое. Углеродная пленка изго- шийся тем, что, с целью снижетонляется распылением углерода в ва- ния ускоряющего напряжения, пронодякууме и наносится на мелкоструктур— щий сз1ОП ныпОлкеи и 3 эл Рмент а !е ри— кую опорную сетку методом флотации. ОД И Ч Е С К О и С H O Т P MH O Л Т О М К Ы М !! О1 Х . -1 О М р

Ватем на нее наносят слой эффективМЕНЬШ М, e: У -1-1 .;11 "ИЯ

1 кого эмиттера, например, из щелочно. образукщего ок лсла 1ри ра=оте эмит— галоидного соединения или К СьБЬ тера.

JIP °

Экспериментальные образцы предла- 2. Э 1иттер ПО п.1, з т л и ч а ю гаемых эмиттеров, изготовлекные на и C H 1ЕЛ,. Q O II ЗОВОДЯ1r1 и < Лой мелкоструктурных сетках проницае- вы лолнен из углерода. мостью 809, с проводящим слоем из

Л углерода толщиной - 50 А и с эмиттирующим слоем из СьС!, дают с хорошей воспроизводимостью (прь 7 „ . --15 при

E „ = 2,5 кэв) несыта высокую эфЪС1КС

1. 7 фокина 7I. Ф. и др .."-. .:«,:ичная фективност ь (9 при " р = 1 кэв элок трОИ на л эмиссия суp»1И и Π— ха. иеБО— существенно превьIIIIающую эффективность пение выx слоев, Электро;.Иая техника, всех известных эмиттеров при таких зП сер, I J, 1973, в. 9, с. 126, низких Ер, что ОбеспЕчивается указанными выше свойстнами углеродистого кона й. Э. Исследование втори 1" О11 слоя. -..миссии эмиттеров на основе ще.-1оч11огалоидных соединений, Радиотех1 ика и электроника, 1976, г. XX :, В 12, с. 2574 протот1лп .