Активное веществе субмиллиметровоголазера c накачкой излучением -лазера

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик он719444 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01,0878 (21) 2651286/18-25 (51) м. кл. с присоединением заявки Ио

H 01 S 3/22

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и. открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.03.81, Бюллетемь N9 10 (53) УДН 621,375,8 (088. 8) Дата опубликования описания 1803,81 (72) Авторы изобретения

В.А. Бугаев, В.A. Кудряшова и Э.П. Шлитерис

Ф (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники AH СССР (54 ) АКТИВНОЕ ВЕЩЕСТВО СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ЛАЗЕРА

С НАКАЧКОИ ИЗЛУЧЕНИЕМ СО -ЛАЗЕРА

2 й.;--;.1 ". ;.;,.- „ - ;;.i.". 1р Ь дя3

Изобретение относится к области Недостатком известных технических квантовой электроники. решений является узкий частотный диаИзвестны субмиллиметровые (СБМ) ° пазон, перекрываемый лазерным иэлулазеры с накачкой излучением СО -ла- чением внутри интервала 148-.990 мкм. вера, включающие источник накачки и .Целью изобретения является расширезонатор, заполненный газообразным рение частотного диапазона, эанимае-. активным веществом 11). мого линиями субмиллиметрового лазерК настоящему времени получено не- ного излучения. сколько сотен линий в диапазоне Эта цель достигается применением

30 мкм вЂ, 3 мм, находящих все более паров бромистого этила в качестве ак10 широкое применение в различных об- тивного вещества субмиллиметрового ластях науки и техники. лазера с накачкой излучением СО -лаг

Частота излучения на каждой из зера. линий перестраивается в пределах уз- На чертеже представлена схема реакого интервала, определеяемого в ос- 15 лизации изобретения, где изображены новном столкновительным уширением газоразрядная трубка 1 с внутренним линий в газе низкого давления. Сум- зеркалом СО -лазера, дифракционная марный диапазон перестройки всех из- решетка 2, поворотное зеркало .3, фовестных линий составляет менее одной кусирующее зеркало 4, субмиллиметродесятитысячной доли частотного интер- 20 вый резонатор 5, входнос окошко 6, вала, в котором они расположены. выходное Окошко 7, излучение 8 наИзвестен субмиллиметровый лазер с - . качки., субмиллиметровое излучение 9 накачкой излучением СО - лазера, вклю - лазера. чающий источник накачки и резонатор, СБМ лазер работает следующим обзаполненный газообразным активным 25 разом. веществом (2) . При заполнении резо- Выходное излучение СО -лазера, идунатора парами 1,1 -дифторэтилена, ви- щее в нулевом порядке дифракционной нилцианида и метиламина получена ге-. решетки 2, попадает на поворотное нерация на 18 линиях в интервале . зеркало 3, а затем с помощью зеркала длин волн 148-990 мкм. 30 4 фокусируется на входное отверстие

719444

Формула изобретения

« + "

Составитель А. Царев

Редактор Т. Морозова Техред М.Рейвес Корректор. ". Щомак

Заказ 1598/42 Тйраж 634 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР пб делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35,. Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

СБМ резонатора 5. Резонатор 5 заполнен газообразным рабочим веществом при давлении меньше одного мм рт.ст.

Излучение накачки, поглощаемое на вращательно-колебательных переходах, приводит к возникновению СБМ излучения на чисто вращательных переходах в заполняющем резонатор 5 веществе..

Излучение 9 СБМ лазера выводится иэ резойатора через отверстие в одном из зеркал. Перестройка СБМ лазера по длинам волн осуществляется путем из- 1О менения длины волны излучения накачки с помощью дифракционной решетки 2 и подстройкой длины резонатора 5.

Эффективность изобретения подтверждается тем, что при заполнении СБМ 35 резонатбра парами бромистого этила (C H+3r) и перестройке СΠ— лазера по линиям R ветви полосы 9, 6 мкм получена генерация в субмиллиметро-

«вом диапазоне на двух длинах волн

692 и 714 мкм, которые не наблюдаются при использовании известных активных веществ.

- Применение паров бромистого этила в качестве активного вещества субмиллиметрового лазера с накачкой излучением СО>-лазера.

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

1. Э . 7. Ga1 l age r et a l l, 3 a f ra red

Phys, 1977, ч. 17, р. 43.

2. Дюбко,С. Ф. и др. Газовые лазеры субмиллиметрового дйапазона с накачкой излучением СО -лазера. Письма в ЖЭТФ, 1972, т. 16, вып. 11, с. 592594.