Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников
Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца 
л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света 
m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра л образца, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и расширения пределов измерения параметров электронов, параметры л и o измеряют при изменении длины волны света и находят длину волны 1, меньшую m, но наибольшую из удовлетворяющих условию равенства параметров л и o, затем измеряют параметры при других углах падения на двух или более длинах волн 
j в интервале 1< j< m, находят минимальные значения параметров л и o, расчетным путем определяют эффективную массу и концентрацию электронов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметр л измеряют на длине волны в интервале o
m, где o - красная граница полосы собственного поглощения эталона, при угле падения, равном углу наибольшей поляризации, и по известным значениям концентрации и эффективной массы электронов расчетным путем определяют их подвижность.
