Коммутационная плата
ОЛ МСАНИИ
И ЗОБ " ЕТЕ Н ИЯ 699683 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 07.01.72 (21) 1736442/18-2! с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет —— (51) М,К .
Н05 К1/04
Гесуднрвтвенный нввать
СССР нв двлам нэвбрвтвннй н нткрытнй
Опубликовано 25.11.79. Бюллетень № 43 (53) УДК621.396. .6-181.48 (088.8) Дата опубликования описания 30.11.79 (72) Авторы изобретения
С. А. Грамм и М. 3. Коган (71) Заявитель (54) КОММУТАЦИОННАЯ ПЛАТА
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в узлах, содержащих полупроводниковые интегральные схемы.
Известна конструкция коммунальной платы, содержащей диэлектрическое основа- 5 ние с пленочными проводниками и контактными площадками (1).
Недостатком коммутационной платы является ее высокая стоимость.
Цель изобретения — снижение стоимости коммутационной платы.
Это достигается благодаря тому, что в коммутационной плате, содержащей диэлектрическое основание с пленочными проводниками и контактными площадками, на ее рабочей поверхности выполнен выступ в форме правильной усеченной пирамиды, на верхнем основании которой расположены контактные площадки.
На фиг. 1 представлен микроузел, общий вид; на фиг. 2 — коммутационная плата с пирамидальным выступом, план.
Коммутационная плата представляет собой диэлектрическое основание (подложку) 1 с выступом в форме правильной усеченной пирамиды 2, вдоль края верхнего основания которой располагаются контактные площадки 3 с отходящими от них по боковым граням выступа пленочными проводниками 4. Кристалл 5 с полупроводниковой интегральной схемой при монтаже устанавливается лицевой стороной на плату так, что его контактные площадки совмещаются с контактными площадками 3 на выступе платы 2.
Процесс изготовления коммутационной платы микроузла не требует дополнительных операций, поскольку выступ на подложке может быть получен одновременно с изготовлением межслойной изоляции коммутирующей схемы путем напыления диэлектрика в вакууме через маску. За счет «подпыла» испаряемого диэлектрика под маску форма выступа получается в виде правильной усеченной пирамиды с закругленными краями. Контактные площадки на выступе платы можно облудить, а кристалл контактировать методом групповой пайки.
В результате процесс изготовления микроузла становится более технологичным и простым, за счет чего увеличивается процент
699683
Формула изобретения
Фиг.!
Составитель Л. Беспалова
Редактор Н. Разумова Техред О. Луговая Корректор Г. Назарова
Заказ 7245/60 Тираж 944 Подписное
ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал П П П а Патент>, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 выхода годных микроузлов и снижается их стоимость.
Коммутационная плата, содержащая диэлектрическое основание с пленочными проводниками и контактными площадками, отличаюи4аяся тем, что, с целью снижения стоимости коммутационной платы, на ее рабочей поверхности выполнен выступ в форме правильной усеченной пирамиды, на верхнем основании которой расположены контактные площадки.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР № 265203, кл. Н 05 К 1/04, 1969.

