Двухтактный усилитель

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

И ЗОБРЕТЕ Н И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<,690611 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) ЗаявлЕно 24.04.78 (21) 609202/18 09 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (5l) М. Кл

Н 03 F 3/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий

Опубликовано 05.10.79, Бюллетень _#_o37 (53) УДК 621.375. .026 (088.8) Дата опубликования описания 15.10.79 (72) Авторы изобретения р". " Рд .

«13 ф

В. В. Ратаев и П. 10. Струве (71) Заявитель (54) ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к радиотехнике и мо- жет использоваться в усилителях низкой часто- . ты.

Известен двухтактный усилитель, содержащий в каждом плече входной и выходной транзисторы разного типа проводимости, включен- 5

-ные по схеме с общим эмиттером, при этом эмиттер входного транзистора подключен к коллектору выходного 11).

Однако этот двухтактный усилитель обладает невысокой температурной стабильностью.

Цель изобретения — повышение температурной стабильности.

Для этого в двухтактный усилитель, содержащий в каждом плече входной и выходной транзисторы разного типа проводимости, включенные т5 по схеме с общим эмиттером, при этом эмиттер входного транзистора подключен к коллектору выходного, между базами выходных транзисторов плеч включен генератор тока, а в каждом плече параллельно переходу база-эмиттер выходного транзистора включен промежуток эмиттер- коллектор дополнительного транзистора, база которого подключена к коллектору входного транзистора, причем тип проводимости дополнительного транзистора противоположен типу проводимости выходного транзистора.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предложенного двухтактного усилителя.

Двухтактный усилитель содержит в каждом плече входной транзистор 1(2), включенный по схеме с общим эмиттером, дополнительный транзистор 3(4), выходной транзистор 5(6), включенный по схеме с общим эмиттером и генератор 7 тока, причем типы проводимости входного 1(2) и выходного 5(6) транзисторов различны, а тип Проводимости дополнительного транзистора 3 (4) противоположен типу проводимости выходного транзистора 5(6).

Генератор 7 тока включен между базами выходных транзисторов 5, 6, параллельно переходу база-эмиттер выходного транзистора 5(6) включен промежуток эмиттер-коллектор дополнительного транзистора 3(4), база которого под; ключена к коллектору входного транзистора

1(2), при этом эмиттер входного транзистора

3 6 )061

1(2) подключен к кол:)ектору выхо;нного транзистора 5 (6) .

Двухтактный усилитель работает следующим образом.

При поступлении ча вход двухтактного усилителя сигнала положительной полярности входной транзистор 1 первого плеча открывается, дополнительный транзистор 3 закрывается, что приводит к увеличению базового тока выходного транзистора 5 за счет тока генератора 7 10 .тока и, как следствие, к увеличению коллекторного тока выходного транзистора 5.

При поступлении на вход двухтактного усилителя сигнала отрицательной полярности открывается входной транзистор 2 второго плеча, и 15 дальнейшая работа плеча аналогична работе первого плеча.

При повышении температуры ток покоя двухтактного усилителя увеличивается за счет уменьшения напряжения на переходах база-эмиттеров транзисторов, однако уменьшение напряжения на переходе база-эмиттер дополнительного транзистора 3(4) приводит к уменьшению напряже. ния смешения на базе выходного транзистора

5(6) и уменъшению тока покоя.

Сравнительные испытания предложенного двухтактного усилителя с известным показали, что температурная стабильность увеличилась в 3 раза за счет взаимной компенсации темпе-. ратурных изменений напряжений на переходах

I 4 база--iмнттср транзисторов. Зто поэводясT испольэовать fo в усилителях низкой частоты, в которых необходима температурная стабильность режима.

Формула изобретения

Лвухтактный усилитсль. солержгнпнй в кажполя плече входной и выходной транзисторы разного типа проводимости, включенные по схеме с общим эмиттером, при эгом эмиттер входного транзистора подключен к коллектору выходного, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности, между базами выходных транзисторов плеч включен генератор тока, а в каждом плече параллельно переходу база-эмиттер выходного транзистора включен промежуток эмиттер-коллектор дополнительного транзистора, база которого подключена к коллектору входйого транзистора, причем тип проводимости дополнительного транзистора противоположен типу проводимости вьиодного транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Дж, Ленк. Справочник по современным твердотельным усилителям. М., "Мир", 1977, с. 300, рис. 4.26.

ЦНИИПИ Заказ 5980/52

Тираж 1060 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4