Аналоговое запоминающее устройство

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП КСАН изоь етв

Х ТОУС О У CSHQRT (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 07.04.76 (21) 2344413/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл. "

G 11 С 27/00

Государственный ксмктет

СССР па делам нзсбретеннй н сткрытнй

Опубликовано 05.04.79. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 05.04.79 (53) УДК681.327..67 (088.8) (72) Автор изобретения

В. И. Турченков (71) заявитель (54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники, а именно, к устройствам запоминания аналоговых измерительных сигналов, выраженных в виде электрического напряжения.

Известно аналоговое запоминающее устройство, содержащее источник входного постоянного напряжения, последовательно с которым включен ключ, и выходной эмиттерный повторитель на транзисторе, база которого соединена с выходом ключа, коллектор — с источником питания, а эмиттер— с накопительным элементом, например конденсатором (11.

Недостатком этого устройства является малая точность запоминания входного сигнала в том случае, если перед отключением

его от накопительного элемента происходит уменьшение входного напряжения.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее входной и выходной усилители, выполненные на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером, эмиттерный повторитель на транзисторе, эмиттер которого подключен к накопительному элементу, например, конденсатору (2).

Однако точность запоминания этого устройства в момент уменьшения входного сигнала недостаточна..

Целью изобретения является повышение точности работы устройства.

Эта цель достигается введением в предложенное устройство транзистора и-p-n типа, эмиттер и коллектор которого соединены соответственно с ключом и через резисторы с базой и коллектором второго и третьего транзисторов р-и-р типа и базой третьего транзистора р-и-р типа, а база — с базой первого транзистора р-и-р типа.

На чертеже приведена принципиальная схема предложенного устройства.

Устройство содержит транзисторы 1 — 3 р-" p типа, транзистор 4 и-р-п-типа, коллектор которого через резистор 5 соединен с базой транзистора 3, эмиттер через резистор

6 — с базой и коллектором транзисторов 2 и 3 соответственно. Коллектор. транзистора

2 соединен с эмиттером транзистора 1, связанным с одной из обкладок накопительного конденсатора 7. Змиттер транзистора 4 че656108

Составитель И. Загинайко

Техред О. Луговая Корректор E. Дичинская

Тираж 680 Подписное

Редактор Л. Утехина

Заказ 1535/42

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изОбретений и открыл-ий

П 3035, Москва, )К 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 рез ключ 8 соединен с входом 9 устройства.

Другая обкладка конденсатора 7 и эмиттеры транзисторов 2 и 3 соединены с шиной

10 нулевого потенциала. Коллектор транзистора 1 соединен с шиной питания 11.

Устройство работает следующим образом.

При замкнутом ключе 8 и повышении напряжения Ug„конденсатор 7 заряжается по цепи: источник U (на чертеже не показан) ключ 8, эмиттер-база транзистора 4 и база-эмиттер транзистора 11. При этом током щ коллектора транзистора 4 транзистор 3 насыщен, поэтому транзистор 2 заперт. При понижении напряжения U транзисторы 3, 4, 1 тока не проводят, а транзистор 2 открыт током через резистор 6, и конденсатор

7 быстро разряжается до величины напряжения 11вх

При размыкании ключа 8 все транзисторы 1 — 4 надежно закрыты и конденсатор 7 запоминает амплитуду напряжения сигнала Uy, предшествующего размыканию ключа 8.

Формула изобретения

Аналоговое запоминающее устройство, содержащее транзисторы р-и-р типа, коллектор первого транзистора р-и-р типа соединен с шиной питания, а эмиттер — с одной из обкладок накопительного конденсатора, другая обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, связанной с эмиттерами второго и третьего транзисторов р-и-р типа, резисторы и ключ, соединенный со входом устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности работы устройства,в него введен транзистор и-р-и типа, база которого соединена с базой первого транзистора р-и-р типа, эмиттер которого соединен с коллектором второго транзистора р-и-р типа; коллектор транзистора и-р-и типа соединен через первый резистор с базой третьего транзистора р-и-р типа, а эмиттер — с ключом и через второй резистор с коллектором и базой третьего и второго транзисторов р-и-р типа соответственно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 391611, кл. G 11 С 27/00, 1967.

2. Авторское свидетельство СССР № 326642, кл. G 11 С 27/00, 1969.