Резистор
ИЕ
Союз Советских
Социалистических
Республик
-(i ii -6514:20 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 25.10.77(21) 2540433/18-21 с присоединением заявки №(51) М. Кл.
Н 01 С 7/00
Гооудвротвеииый комитет
ЕЕсО по делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 05.03.79Бюллетень № 9 (53) УДК 621.316, ..8(088. 8) Дата опубликования описания 08,03.79 (72) Авторы изобретения
Я. М. Беккер и Б. Д. Платонов (71) Заявитель (54) РБ ЗИСТОР
Изобретение относится к конструированию и изготовлению высокостабильных резис горов, может быть использовано в линиях задержки.
Известен резистор, содержащий нанесенное на диэлектрическое основание электропроводящее покрытие в виде сплава нескольких металлов и контактные площадки I1J.
Этот резистор недостаточно термостоек.
Известен также резистор в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контактных площадок. В качестве материала контактных площадок использован arnoMHний (21.
Данный резистор наиболее близок к предлагаемому по технической сущности и достигаемому эффекту.
У этого резистора ограниченный диапазон сопротивлений.
Цель изобретения — расширение диапазона номиналов резистора.
Указанная цель достигается тем, что в резисгорерыполненйом. в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контактных плошадок, электропроводящее покрытие выполнено
5 из феррита.
Конструкция описываемого резистора изображена на чертеже.
Резистор содержит диэлектрическую подложку 1, например из ситалла, элек>В тропроводящее покрытие 2 из феррнта, обогащенного кислородом, например, (м ) Fe 0,, + Т ° KoHrax mre ппощадки 3 из алюминия и стабилизирующий переходной слой 4 из окисла алюмиь ния - АР Oз
Ферритовое покрытие (пленку) синтезируют на диэлектрической подложке из поликристаллических материалов, например, способом газотранспортных химичес ких реакций в парах соляной кислоты НСВ с небольшим содержанием воды» В зависимости от условий синтеза получают поликристаллические пленки с различ с У ...,, ;и« Мам .",Д, „. 651420 ф
Ю ВЕПЕ >аюкл иым удельным сопротивлением и создают Вследствие твердофазных прадасов, текстуру, обеспечивающую анизотропню протекающих в приконтактных зонах, электропроводности пленки. поверхностное сопротивление резистора
Сопротивление резистора Я обуслов- в делом стабилизируется. лено сопротивлением ферритного покрытия 3
Р, w сопротивлением контактных переходов Яп, т. еЯ R + R„.
Формула изобретения
-. 4
Составитель В. Куликов
Редактор В. Федотов Техред И. Асталош Корректор И. Ковальчук
Заказ 816l50 Тираж 922 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, >К-35, Раушская наб. д., 4/5
Филйал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Величина % может в зависимости от условий синтеза и последующей тех- 10 нологической обработки изменяться в !
ННроКоМ диапазоне (go десятков Мом).
Термостабилнзация сопротивления происходит за счет величины R,,которая превосходит R, . Повь|шение
R достигается путем образования в:
Эойе контактного перехода феррит-алюминий тонкого слоя окиси алюминия
)@ О ., Необходимым условием образоия 4С З яВляется получение феррито- и
Z 3 вой пленки, обогащенной кислородом, и возможность протекания твердофазовой окислительной реакиии между кислородом феррита и алюминием, Резистор, выполненный в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электронроводящего покрытия и контактных площадок, о т л и ч а ю m и йс я тем, что, с пелью расширения диа» назона номиналов резистора, электропроводящее покрытие выполнено из феррита.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент СШД % 3833410, кл. 117-227, 1974, 2, Микроэлектроника. Теория, конструирование и производство. Под ред. Н, П, богородицкого М., «Сов, радио", 1966, с. 246-247,
