Устройство для измерения магнитного поля
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДИВЛЬСТВУ
<и 637688 (61) Дополнительное к авт, свйд-ву (22) Заявлено04.07.77 (21) 2504353/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.12.78. Бюллетень №46 (45) Дата опубликования описания 18.12.78 (51) М. Кл (3 07 R 33/02
Государственный комнтет
Совета Мнннстров Сй",Р по делам нзооретеннй н OTNpbtTHN (53) УДК 621.317.. 44(088.8) 72) Авторы
Сомов (54) УСТРОЙСТВО ИЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОЮ ПОЛЯ
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к измерителям магнитных полей.
Известно устройство для измерения магнитного поля, содержащее полупроводниковую пластину и электроды.
Известное устройство имеет низкую точность измерения.
Наиболее близким по своей технической сущности и достигаемому результату является устройство, содержащее полупроводниковую пластину с токопроводящнм растром, нанесенным параллельно основанию пляс тины °
Недостатком известного устройства яв ляется погрешность измерения магнитного поля., вызываемая изменением сопротивления полупроводниковой пластины в результате разогрева носителей заряда электрическим полем, а также в результате изменения температуры.
1Лель изобретения - повышение точности измерения магннтного поля.
Для этого в предлагаемое устройство дополнительно введена вторая полупровод-. ннковая пластина с растром, нанесенным перпендикулярно основанию пластины, прн этом вторая полупроводниковая пластина соединена с первой полупроводниковой пластиной мостовым компенсационным уэ лом.
На чертеже изображено предлагаемое устройство для измерения магнитного поля> обш ий вид, Устройство содержит прямоугольные полупроводниковые пластины 1 и 2,иэолн» руюшую подложку 3, токопроводяший растр
4, электроды 5 и мостовой компенсацнон ный узел 6.
Устройство работает следующим обра зом.
Изменение сопротивления полунроводниковых пластин в результате изменения температуры и разогрева носителей заря да электрическим полем одинаково и не вызывает разбалансировки мостового узла
При воздействии магнитного поля ию» мененне сопротивления пластины с раст» ром в т -раз превышает изменение сопро тивлення пластины беэ растра, что приво
637688 узлом.
Составитель Л, Чоронппа
Редактор Т. Янова Текред Н, Бабурка Корректор С, Гарасиняк
Заказ 7093/32 Тираж 688 Подписное
UHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушскаа наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 дит к появлению в диагонали мостовой
1 схемы сигнала, пропорпиональиого величине приложенного магнитного поля.
Использование предлагаемого устройства для измерения магнитного поля значительно уменьшает погрешность при изменении магнитного поля, обусловленную разогревом носителя зарядов в полупроводнике электрическим полем и изменением ц температуры полупроводника, в резул тате пЪвышается точность измерения и расширяется область применения магниторезистора, в частности он может быть применен для измерения магнитных полей 45 в СВЧ-каналпзируюших системах при воздействии на него сильных электрических полей.
Формула изобретенная
Устройство для измерения магнитного пола, содержащее полупроводниковую пластину с токопроводящим растром, нанесенным параллельно основанию пластины, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения точности измерения, в нэго дополнительно введена вт орая полупроводниковая пластина с растром, нанесенным перпендикулярно основанию пластины, при этом вторая полупроводниковая пластина соединена с первой полупроводниковой пластиной мостоьым компенсационным
