Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов в блоках памяти

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТГЛЬСТВУ

Союз Советских

Сециапнстнческнх

Респубпик (ii) 6330 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 290176 (21) 2318634/18-24 с присоединением заявки %в (23) Приоритет (43) Опубликовано 1511,78. Бюллетень № 42 (45) Дата опубликования описания 16,1 1,78

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (72) Авторы

ИЗОбрЕтЕНИя A.K. Андреев, В.К. Раев и М.П. Шорыгин

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ В БЛОКАХ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики.

Известно магнитострикционно-пьезоэлектрическое устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), содержащее пластины из магнитострикционного и пьезоэлектрического материала, расположенные на магнитоодноосной пластине с ЦИД (1) . Также известно магниторезистивное устройство для регистрации ЦМД, содержащие датчик в виде тонкопленочной ферромагнитной аппликации и толстопленочной шевронной аппликации (2J . ! б

Известные устройства обладают сравнительно невысокой надежностью.

Наиболее близким техническим решением является акустическое устройство для регистрации ЦМД, содержащее магнитоодноосную пластину с каналом продвижения доменов, на поверхности которой расположена пьезоэлектрическая пластина,на которой последовательно расположены приемник и поглотитель поверхностных акустических волн (ITAB) и излучатель ПАВ, выводы которого подключены к источнику питания, а выводы приемника поверхностных акустических волн — ко входу. Усилителя(3

Известное устройство обладает невысокой надежностью за счет использования в качестве приемника ПАВ совокупности магнитострикционной пластины и изолированных проводников на ее поверхности, что требует создания изолирующего слоя между проводниками и этой пластиной.

Целью изобретения является повышение надежности устройства.

Указанная цель достигается тем, что устройство содержит магнитострикционную пластину, расположенную на поверхности пьезоэлектрической пластины между излучателем и приемником

ПАВ.

На фиг. 1 изображено устройство (вид сверху); на фиг. 2 — разрез части устройства, размещенной на магнитоодноосной пластине.

Устройство содержит магнитоодноосную пластину 1 с каналом 2 продвижения доменов, условно обозначенным штриховой прямой линией.

На поверхности пластины 1 расположена пьезоэлектрическая пластина 3, в качестве которой используется, например, напыленная пленка ниобата лития.

633072

На пьезоэлектрической пластине 3 расположен излучатель 4 ПАВ, состоящий, например, иэ металлических электродов гребенчатой конструкции, расположенных на одной стороне пластины 3. Излучатель 4 проводниками 5 и

6 подключен к источнику питания 7 излучателя. Источник питания 7 содержит генератор переменного электрического напряжения, подводимого к электродам излучателя.

Над выбранным участком канала 2 l0 продвижения ЦИД на пьезоэлектрической пластине 3 расположена магнитострикционная пластина 8, например, иэ пермаллоя. В качестве такой пластины можно использовать ферромагнит- )5 ный элемент, с помощью которого образован канал 2 продвижения ЦМД. На пластине 3 расположен приемник 9 ПАВ, состоящий из двух электродов, выполненных в виде металлических пластин g0 гребенчатой формы, размещенных на одной. стороне пластины 3 и подключенных с помощью проводников 10 и ll ко входу усилителя 12 выходного сигнала. Излучатель 4 и приемник 9 расположены на одной прямой с магнитострикционной пластиной 8 по разные стороны от нее. Таким образом, их размещение и ориентация таковы, что магнитострикционная пластина 8 и приемник 9 лежат последовательно на

Пути распространения IIAB от излучателя 4. Параметры излучателя 4 и приемника 9 ПАВ согласованы с их частотой. На пьезоэлектрической пластине

3 расположен поглотитель 13 IIAB, 35 выполненный из материала с большим коэффициентом затухания этих волн.

Поглотитель 13 расположен на прямой линии с пластиной 8 и приемником 9, т.е. на пути распространения ПАВ, 40 прошедшей последовательно пластину 8 и приемник 9, и служит для поглощения этой волны с целью предотвращения ее вторичного параэитного воздействия (например, вледствие отражения 45 от краев пластины 3) на приемник 9.

В качестве волновода ПАВ может быть использован не только пьезозлектрик, но и другие материалы, являющиеся хорошими звукопроводами, а в качестве магнитострикционной пластины может быть использована сама пластина магнитоодноосного материала, обладающего магнитострикционными свойствами.

Устройство работает следующим образом.

От источника питания 7 через проводники 5 и б на излучатель 4 ПАВ подается переменное напряжение, возбуждающее ПАВ в пластине 3, которая используется как воЛновод, Волны расПространяясь от излучателя 4 ПАВ по пластине 3, проходят через канал 2 продвижения ЦИД под магнитострикционной пластиной 3 и далее к приемнику 9. г.аспростраяяясь по пьезоэлектрической 65 пластине 3, ПАВ вызывают появление электрических потенциалов, переменных во времени и в пространстве — на поверхности пластины 3, поскольку пьезозлектрик является хорошигл электромеханическим преобразователем. В области расположения приемника при прохождении ПАВ указанные переменные потенциалы возбуждают на электродах переменное электрическое напряжение, фиксируемое с помощью проводников

10 и 11 усилителем 12 выходного сигнала. Распространение ПАВ по пьезоэлектрику в большой степени зависит от наличия и распределения глеханическнх напряжений в пьезоэлектрической пластине 3 волновода на пути прохождения этих волн. Это свойство обусловлено высокими электромеханическими свойствами пьезоэлектрика и использовано в настоящем изобретении следующим образом. При прохождении

ЦИД, показанного позицией 14, по каналу 2 продвижения ЦИД, под магнитострикционной пластиной 8 поле рассеяния ЦМД, изменяя намагниченность пластины 8, вызывает ев деформацию. Деформация пластины 8 вызывает деформацию и появление механических напряжений в области пьезоэлектрической пластины 3 на пути распространения

ПАВ от излучателя 4. Это изменение свойства волновода вызывает изменение свойств амплитуды, спектрального состава и скорости прохождения волн. Таким образом, наличию или отсутствию регистрируемого ЦМД соответствует раэличное переменное электрическое напряжение и фаза сигнала на выходе приемника 9, что и фиксируется усилителем 12 выходного сигнала. ПАВ, генерируемые излучателем 4, пройдя последовательно магнитострикционную пластину 8 и приемник 9, гасятся поглотителем 13, что повышает соотношение сигнал — шум.

Формула изобретения

Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов в блоках памяти, содержащее магнитоодноосную пластину с каналом продвижения доменов, на поверхности которой расположена пьезоэлектрическая пластина, на которой последовательно расположены приемник и поглотитель поверхностных акустических волн и излучатель поверхностных акустических волн, выводы которого подключены к источнику питания, а выводы приемника поверхностных акустических волн — ко входу усилителя, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит магнитострикционную пластину, расположенную на поверхности пьезоэлектрической пластины между излучателем

633072

2. Патент С!11А 9 370299, кл. 340174, 1971.

Фие. t

Составитель М. Шорыгин

Редактор Д. Зубов Техред К.Гаврон Корректор Н. Ковалева

Заказ 6561/42 Тираж 67 5 Подписное

ЦHHHIIH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва4 Ж-354 Раушская наб. д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 и приемником поверхностных акустических волн.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

L,"hhagtIetostrictiv-р е оебесЕг<с Bubble

Detect or "W.Dehak etab.,2О-th.Cmmrn, АЭР Conk.

Proc. 24,р.556-559.

5,"Acouetic Bubble I)ehect.or" W.Minster, Е.ИеИа Torre, АЬМлгасхе of Conf.oo nputer

Hardware and Gqet ems,РаРо ACt n.Слб (, II5A, Dec. 1974.,р. 5Ь -4.