Устройство для регулирования температуры
О ll И С А Н И Е „пв2в,эв
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 03,10.7 5 (21) 218027 2/18-24 (51) М. Кл. с присоединением заявки № (23) Приоритет
G05 З 23/19
Гасударственный камнтет
Совета Мнннстров СССР оо делам нэобретеннй н открытей (43) Опубликовано 25.09,78,Бюллетень рА 35 p3) уйти 621.555.6 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 00.08. 78
E. Г. Левчук и В. 11, Шупьган (72) Автори изобретения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ
Изобретение относится к радиоэпектронной промышн и предназначено дпя постоянного пропорционального регупирования температуры радиотехнических термостатов.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является устройство дпя регулировании температуры, содержащее поспедоватепьно подключенные к источнику питания основной нагреватепь и коллектор-эмиттерный переход транзистора и подключенный одним выводом к источнику питания допопнитепьный нагреватель (1 ).
Низкая точность этого устройства обусловлена скачкообразным изменением мощности, выделяемой допопнитепьным нагревате пе м.
Белью изобретения является повышение точности устройства.
Достигается это тем, что оно содержит стабипитрон, вкпюченный между другим выводом дополнительного нагревателя и коллектором транзистора.
На чертеже дана схема устройства дпя регупирования температуры.
Устройство содержит транзистор l, основной нагреватепь 2, допопнитепьный нагреватепь 3, стабипитрон 4 и источник питания (на чертеже не показан).
B одном состоянии транзистор 1 насыщен и мощность разогрева термостата определяется в основном током наг1п реватепей 2 и 3. В процессе регупирования напряжение на транзисторе меняется от нуля до напряжения источника питания в зависимости от температуры окружающей среды, следовательно, в зависимости от нее автоматически посредством стабипитрона 4 регулируется ток через допопнитепьный нагреватель 3.
Мощность, рассеиваемая нагревателем 3 и стабипитроном 4, также меняется в
20 зависимости от температуры окружающей среды. Стабипитрон 4 и транзистор 1 конструктивно располагаются на общем радиаторе внутри термостата. Мощность, рассеиваемая радиатором, который рас25 сматривается как дополнительный наг

