Халькогенидное стекло

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 6QE238 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.1,1.76 (21) 2424082/29-33 с присоединением заявки №вЂ” (23} Приоритет— (43) Опубликовано 05.04.78. Бюллетень № 13 (45) Дата опубликования описания 17.05.78 (51) М.Кл.э С 03 С 3/12

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 666.117.9 (088.8) по делам нэобретений и открытий (72) Авторы изобретения

3. У. Борисова, В. P. Панус, М. Д. Михайлов и T. С. Рыкова

Ленинградский ордена Ленина и ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет им. А. А. Жданова (71) Заявитель (54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол и может быть использовано в электронике, а именно в за поминающих уст,POHCTiBBX.

Извесгно халькогенидное стекло следующего со става, вес. %: As 1-13; Те 44 — 46;

Т1 30 — 50 (11.

Наиболее близким по технической сущности и .достигаемому,,результату .к изобретению является халыкогенидное стекло, включающее

As и Те в следующих количествах, атом.

As 40 — 60; Те 20 — 80 (2).

Это стекло имеет следующие физические характеристики:

Плотность, г/см 5,48.

Микротвердость, кГ/ммэ 161.

Температура размягчения, С 132.

Энергия актива ции электропроводности, эВ 0,45.

Проводимость при комнатной температуре, Ом — см 6-10

Время записи .низкоомного состояния при эффекте памяти, сек 10 — е.

Недостатком этих стекол является большое время записи;ниэкоомнсго состояния .при эффекте памяти, что приводит к малому быстродействию и высокой мощности источника тока.

Целью изобретения является уменьшение времени за писи низкоомного состояния при эффекте памяти.

Достигается это тем, что стекло,,включающее As и Те, дополнительно содержит серебро при следующих соотношениях компонентов, атом. %: As 18 — 48; Те 43 — 76; Ag 5 — 25.

Пример 1. Берут .мышьяка 1,5948 г, теллера 2,7164 г, серебра 0,6888 г, помещают в кварцевую ампулу, которую вакуумируют до

10-э мм,рт. ст. и залаивают. Синтез проводят в пламени кислородно-газовой горелки с непрерывным перемешиванием .в течение 20—

25 мин. Расплав подвергают, резкой закалке в лед я ной воде. Получают стекло состава, атом. %: As 43,5; Те 43,5; Ag 13, которое имеет следующие физические характеристики:

Плопность, г/смэ 5,95.

Микротвердость, кГ/мм 150.

20 Температура размягчения, С 120.

Энергия активации электролроводности, эВ 0,4.

Проводимость при комнатной температуре, О. .ь см — 4. 10 4

25 Вовремя записп нцзкоомного состояния прп эффекте памяти, сек 10 — .

Пример 2. Исходные компоненты: мышьяк 0 8552 г, теллур 2 9134 г, серебро

1,2313 г, помещают в вакуумированную ампу

30 ",, згпапвают и синтезируют таким же обра6,01238

Ф о р,м у л а,и з о б р е т е.н и я

Составитель Г. Буровпева

Редактор И. Квачадзе Техред И. Рыбкина Корректор И. Снмкина

Заказ 182/339 Изд. № 142 Тираж 596 Подписное

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35. Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент> зом как описано в примере 1. Получают стекло следующего состава, атом. /0 .. As 25;

Те 50; Ag 25, имеющее физические характеристики:

Плотность, гсм 6,39.

Ми крот вер дость, кГ/мл42 149.

Температура размягчения, С 112.

Э нергия активации электропроводности, эВ 0,33.

Проводимость лри комнатной темлературе, Ом — см 5.10

Время за пи си ниэкоом ного состояния при эффекте памяти, сек 10 .

П р,и.м в р 3. Исходные, компоненты: мышья к 0,3038 г, теллер 2,4789 г, серебро

0,1571 г синтезируют аналогичным образом как описано в примере 1. Получают стекло следующего состава, атом %. As 18,9; Те

75,5; Ag 5,6, имеющее физические характе.ристи,ки:

Плот ность, г/см 5,88.

Микротвердость, кГ/мм 124.

Энергия активации электр олрон одно сти, эВ 0,34.

Проводимость прои комнатной температуре, Ом см 4. 10

Вовремя залиси Бизкоомного состояния при эффекте п а мяти, сек 10 4. Стекла имеют высокую кристаллизацион ную способность, устойчивы по отношению к разбавленным растворам кислот и щелочей, а также к влаге воздуха, прозрачны в ИК-об5 ласти CIIIBKTlp2.

Стекла TBIKIIõ составов имеют м инимальное среди известных халькогенидных стекол время записи ни зкоомного состояния при удовлетворительной обратимости эффектов

10 памяти.

Халькогенидное стекло для запоминающих устройств, включающее As и Те, отл яч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения времени за писи, оно дополнительно содержит

Ag при следующем cooIIIIoIIIeIIIIII компонентов, атом. %. As 18 — 48; Те 43 — 76; Ag 5 — 25.

Источники информа ц ии, лринятые во вниман ие п.ри,экспертизе:

1. Авторское свидетельство № 451648, 25 кл. С 03 С 3/30, 1973.

2. Патент Франции № 1465528, кл. С 03 С, опу бл. 1967.