Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора

ОЛИСАНИЕ

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ е(ПАУЕНУ У

Союз Советских

Социалистических

Республик (ii) 586858 (61) Лополнитепьный к патенту (22) Заянлеио19.07.74 (2!)2059732/18-09 (23) Приоритет - (32) 20.07.73 (31) 3811 7 6 (33) США (51) М. Кл.е

Н 03 Р 3/34

Государственный комитет

Советв Иииистров СССР оо делам иэввретений и открытий (43) Опубликовано30.12.77.Бюллетень № 48 (53) УДК 621.375.024 (088.8) (45) Дата опубликования описания 22.12.77

Иностранец

Адель Абдель Азис Ахмед (США) (72) Автор изобретейия

Иностранная фирма

"РКА Корпорейшн" (США) (71) Заявитель (54) СХЕМА СМЕШЕНИЯ ПЕРЕХОДА БАЗА-ЭМИТТЕР

ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к устройстваг„, обеспечивающим соотношение между током коллектора и входным током, зависящее от отношения определенных физических параметров (размеров) данного транзистора к определенным физическим параметрам (размерам) других полупроводниковых элементов.

Известна схема смещения перехода база-амиттер транзистора, например,rip- tf > тО типа, база которого через ряд М. прямосмещенных переходов, например транзисторов в диодном включении, а амиттер через ряд М -прямосмешенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении; подключены к полоекительному полюсу источника тока Щ.

Однако известнэп схема смещения перв хода база - эмиттзр транзистора обладает недостаточно ширским динамическим @Mari 26 зоном разделения -,îêà.

11ель изобретения — расширение дивами ческого диапазона разделения тока.

Для этого в скат а смещения перехода база - эмиттер транзистора, например 25 гт-p""тт типа, база которого через ряд Мпрямосмешенных переходов, например трап зисторов в диодном включении, а эмиттер » через ряд и(-прямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, подключены к положительному! полюсу, источника тока, база транзистора через ряд дополнительных g-прямосмещенных полупроводниковых пере ходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер через ряд дополнительных М-прямосмешенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, подключены к отрицательному полюсу источника тока, причем аффективная плошадь каждого полупровод пикового перехода йе -ряда в и раэ бол ше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда, где тт -no» ложительное число.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема смешения перехода база — амиттер транзистора, Предложенная схема смещения содержит транзистор 1, например тт -p-тт типа, ба586858 за которого через ряд М»прямосмещенных переходов, например транзисторов 2 в диодиом включении, а эмиттер через ряд К прямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов 3 в диодном 4 включении, подключены к положительному полюсу источника 4 тока. База транзистора

1 через ряд дополнительных К -прямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов 5 в диодном включении, te а эмиттер - через ряд дополнительных

М-прямосмещенных полупроводниковых пере ходов, например транзисторов 6 в диодном включении, подключены к отрицательному

15 полюсу. источника 4 тока, эффективная площадь каждого полупроводникового перехода

Й -ряда в tf раз больше, чем эффективная плошадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л вЂ” положительное число. э

Схема смешения перехода база — эмиттер транзистора работает следующйм образом.

Падение напряжения V> на транзисторе 1, включенном как диод, будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером. Г1ри достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы эмиттера эначитель но меньше солротивления пограничного слоя а действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - д перехода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошением

ИТ ° e

+as

8 где 3 - -плотность эмиттерного тока триЮ ода в режиме диода; постоянная Больцмана; 40

à — абсолютная температура;

Π— заряд электрона;

3 - плотность тока насьпцения, кото8 рая смещает температурную зависимость, но является сушествен4 но одинаковой, ля полупроводниковых приборов, имеющих одинаковый профиль переходов поэтому из уравнения (I} следует йТ е

0rf (2)

9 кТ eå кТ < е5 д дЕ РИ (3) ИЕЬ Ч 3 Я 0 где Ч вЂ” падение напряжения на переходе транзисторов 5;

J — плотность тока через переход е5 транзисторов 5;

Ч - падение напряже«ия на перехо ь де транзисторов 6;..3 — плотность тока через переход Ь транзисторов 6.

Напряжение д ® равно разности межВк ду Ч . и Ч т. е.

Ь 6

ЬУ ЧЗЕ -ЧВЕ

Подставляя в это уравнение значения величин иэ уравнений (2) и (Э), получим

ЬЧ. = Pv

КТ

ЗЕ

Прибавляя величину)Я® к напряжению, ЭЕ приложенному от источника 4 тока к переходу база — эмиттер транзистора 1, можно увеличить коллекторный ток транзистора в д раз, отнимая величину AV от напряжения источника 4 питания, коллекторный ток можно уменьшить в д раэ. Если число прямосмещенных полупроводниковых переходов транзисторов 2 взять равным

М, а число прямосмещенных полупроводниковых переходов транзисторов 5 - равным

П (И - hatt 1), то коллекторный ток,Д будет составлять 3 / где Q — ток наol о грузки, ф - положительное число.

Предложенная схема смешения база-амиттер транзистора позволяет сделать коллекторный ток транзистора значительно мяньше его входного тока, без использования резисторов с большой величиной сопротив I пения.

Формула изобретения

Схема смещения перехода база - эмит тер транзистора, например Vf - р — 5 типа, база которого через ряд N-прямосмещенных переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер через ряд Я прямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в днодном включении подключены к положительному полюсу источника тока, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона разделения тока, база транзисто ра, через ряд дополнительных Я -прямосмешенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер — через ряд дополнительных

М- .рямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении,. подключены к отрицательному полюсу источника тока, причем эффективная плошадь каждого полупроводникового пере586 858

Составитель Э. Гилинская

Редактор Н. Купрякова ТехрепО.Луговаа Корректор И. Гоксич

Заказ 4667/717 Тираж 1065 Подписное

0НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород ул. Проектная, 4

5 хода Й -ряда в ц " раз больше, чем аффективная плошадь каждого полулроводникового перехода М-ряде, где п -tionoms тельное число.

Источники информадяи, иринятие во внФ мание при экспертизе:

1. Патент С ША % 3391 31 1, an. 317-235, опубл. 1968.