Способ изготовления эмиттера электронов

Авторы патента:

АФОНИНА Л.Ф.

КЛИМИН А.И.

СОТНИКОВА Н.И.

СТУЧИНСКИЙ Г.В.

H01J9/12 - фотокатодов и электродов с вторичной электронной эмиссией

О П САЙИE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1ц 58 I 742

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополмительное к авт. саид-вувЂ” (22) заввлено 230773 (21) 1947761/18-25 (51)М. Кл.

Н 01 J 9/12 с присоединением заявки М

ГосударственНый комитет

СССР но делам изобретений н открытий (23) Приоритет (53) УДН б 21. 383.. 29 (088. 8) Опубликовано 150979. Бюллетень Йо 34

Дата опубликования описания 150979

3I. Ф. Афонина, А. И. Климин, Н. И. Сотникова и Г, Б. Стучинский (72) Авторы изобретения (73) Заявитель (5 4 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ЭЛЕКТРОНОВ

Изобретение относится к электронной технике и может найти применение при разработке фотоэлектронных приборов, содержащих эмиттеры электронов.

Известен способ активирования эмиттера электронов на основе полупроводниковых соединений А В путем

5 нанесения цезия или цезия и кислорода при комнатной температуре до получения максимальной эффективности эмиттера (1).

Однако при таком способе сложно проведение технологического цикла совместного изготовления вторичных эмиттеров и фотокатодов из разных материалов.

Известен также способ изготовления эмиттера электронов, выполненного из алмазоподобного полупроводника А В, включающий активирование поверхности цеэием в объеме фотоэлектронного прибора (2).

При этом способе сложна технология при активировании эмиттера в фотоэлектронном приборе при комнатной температуре.

Цель изобретения вЂ” упрощение технологии.

Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при

100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводников и других элементов фотоэлектронного прибора, в частности фотокатода и динодов, что упрощает технологию

10 прибора.

Примером изготовления эмиттера электронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал15 лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным фотокатодом. Во время активирования при 100-250 С достигается динами20 ческое равновесие между процессами адсорбции и десорбции цезия на поверхности эмиттера, приводящее к образованию покрытия, обеспечивающего высокую эффективность эмиттера.

25 Формула изобретения

Способ изготовления эмиттера электронов, выполненного из алмазоподобного полупроводника, включающий активирование поверхности цезием

30 в объеме фотоэлектронного прибора, 581742

Составитель В.Белононь

Техред 3.фанта Корректор С.Иекмар

Редактор Т.Колодцева

Заказ 5500/58 Тираж 923 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæãîðoä, ул.Проектная,4 о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения технологии, активирование ведут в парах цезия при

100-250 С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Spicer W. E., Moll J, Е. Zin j z

"App1. Phys", 1969, 14, М 9, р.275-277.

2. Hebfing J.J. James Z.W.

"Appl. Phys" 1970, 41, М 11, р.4505-4516.

Способ изготовления фотокатода на основе арсенида галлия // 537408

Способ изготовления многощелочного фотокатода // 476620

Мишень видикона // 454606

Способ изготовления массивного фотокатода // 434515

Способ изготовления многощелочного фотокатода // 434514

Способ изготовления фотокатодов для электроннооптических преобразователей // 429480

Способ изготовления фотокатодов для ультрафиолетовой области спектра // 424255

Способ изготовления спиральных канальных умножителей // 396744

Способ изготовления фотокатода // 385346

Источник щелочного элемента для устройства получения паров щелочного элемента // 2225656

Изобретение относится к получению паров щелочных элементов, в частности к источникам паров калия, рубидия и цезия, которые используются при изготовлении эммитеров в термоэмиссионных и электронно-оптических преобразователях

Металлосплавной катод // 2231855

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции катодных узлов на основе металлического эмиттера

Способ обезгаживания микроканальной пластины // 2304821

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения качества микроканальных фотоэлектронных приборов

Способ изготовления фотокатода (варианты) // 2346352

Изобретение относится к фотоэлектронным приборам, а более конкретно к технологии изготовления фотокатода

Способ одновременного активирования нескольких фотокатодов // 2361311

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу одновременного активирования нескольких фотокатодов, которые используются в электронно-оптических преобразователях (ЭОП), фотоэлектронных умножителях, счетчиках фотонов и других фоточувствительных приборах

Способ изготовления устройства электронной эмиссии, источника электронов, использующего его, устройства формирования изображения и устройства отображения и воспроизведения информации // 2399983

Способ изготовления многощелочного фотокатода // 2424597

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления многощелочного фотокатода в индивидуальном стеклянном вакуумном баллоне, так называемом контейнере

Генератор пара щелочных металлов и способ его изготовления // 2056661

Источник для вакуумного напыления марганца // 2017256

Изобретение относится к пленочной технологии и может быть использовано в производстве фотоэлектронных электровакуумных приборов (ФЭП), в частности для формирования подложки к фоточувствительному слою фотокатодов

Испаритель для получения фоточувствительных слоев // 2020635

Изобретение относится к пленочной технологии и может быть использовано в производстве фотоэлектронных электровакуумных приборов (ФЭЦ), в частности для формирования фоточувствительных слоев фотокатодов