Электрографический носитель информации

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски к

СОЦиблистичбеиик

Республик (1)) 579594 (6!) дополнительное к авт. свил-ву (22) ЗаЯВЛЕНо1 0273 (21) 1883265/12 (51) N. Кл.

5 03 G 5/02 с присоеяинением заявки Ph—

Геерщетеееек1 ееаетет

Вееете Юенетрее еЮ ее деева IaeipI IIIi

I етермтей (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.11.77. Бюллетень М 41 (45) Дата опубликования описания 2411.77 (Q) УДК 772.93 (088. B) (72) -Автор изобретения

B.À.ÈèêoëàAòèñ

I::.-:, Научно-исследовательский институт электрографии (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к области электрографии.

Известен электрографический носитель информации, содержащий проводящую подложку с фотополупроводниковым 5 и запоминающим слоями. При этом запоминающий слой представляет собой диэлектрическую. пленку.

Недостатками такого носителя являются невозможность получения с не- 10 го большого количества копий из-за контактной нейтрализации заряда на поверхности диэлектрика проявляющими частицами, а также небольшой срок запоминания информации. 16

Цель изобретения — увеличить длительность запоминания информации.

Это достигается тем, что в качестве запоминающего слоя используют слой ферроэлектрика, расположенный непос- 20 редственно на подложке.

Сущность изобретения поясняется чертежом.

Носитель состоит иэ проводящей 25 жесткой или гибкой основы 1, в качестве которой могут быть использованы, например, ситалл, стекло с прозрачным проводящим слоем 3 01, алюминиевая фольга, либо электроды из

Sn0g, JngOy, напыленные на ферроэлектриках; ферроэлектрического слоя 2, изготовленного иэ Ват10т или РЬ 0,97

8(0,02 (Zr 065 ti 0,35) Оз в виде керамического или напиленного на основу слоя, и тонкого слоя полупроводника 3 толщиной 100-500 мкм, например яз Se Сдбе, CdB и других, обеспечивающих получение ферроэлектржческого эффекта поля. При записи к поверхности полупроводника прижимается электрод. Во время поляризации ферроэлектрика индуцируется компенсационный заряд в слое полупроводника.

В связи с тем, что компенсационный заряд расположен в тонком слое фотополупроводника, электрическое поле, созданное этими зарядами, простирается на сравнительно большее расстояние, чем поле компенсационного заряда ферроэлектрика при отсутствии фотополупроводника, и может многократно считЫваться электрическим методом или проявляться электрографическим способом без разрушения зарядного рельефа.

Память записанного изображения обуславливается поляризацией ферроэлектрика и сохраняется до нескольких месяцев. Время памяти зависит от свойств феррозлектрика и свойств контактного

579594!

Составитель В.Ипполитов

Техред 3.Фанта Корректор П.Макаревич

Редактор Г.Кузьмина

Заказ 4392/44 Тираж 574 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР пО делам изобретений и открытий

113035, Москва, ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 слоя между Ферроэлектриком и фотополупроводником. Остаточная поляризация ферроэлектрика имеет значение до 50 мккул/смв и, например, прй

40 мккул/см ферроэлектрический эффект поля может;индуцировать в фотополупроводиике до 5 х 10 носителей

1 см, в то время как обыкновенный эффект поля в диэлектрическим пленках индуцирует лишь до 1 х 10 носителей

1 смЗ

Фоомчла изобретения

Электрографический носитель информации, содержащий проводящую подложку с фотополупроводннковым н запоминающим слоями, о т л н ч а ю— щ н и с я тем, что, с целью увеличения длительности запоминания информации, в качестве запоминающего слоя используют слой феррозлектрнка, который расположен непосредственно на под. ложке.