Электронный эмиттер с пониженным электронным сродством

Союз Советских

Социалистических

Республик

on ислние изОБРетен ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕПДЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свитву—

1 (22) Заявлено .30.03.76 (21) 2339854/25 (11> 575711 (51) Я. Кл, Н 01 У 1/30 с присоединением заявки №

Государственный квинтет

Саввтв Инннатрав СССР аа девам нэабретеннй н аткрытнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.10.77. Бюллетень №3 (45) Дата опубликования описания 02.11.77 (53) УДК 621.389.28 (088.8) (72) Автор изобретения

И. В, Стригущенко

Ордена Tpypoaoro Красного Знамени институт радиотехники

° и алектроники АН СССР (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР С ПОНИЖЕННЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ

С РОДСТВОМ

1

Изобретение относится к эмиссионной катодной электронике и микроалектронике.

Известен электронный эмиттер на основе полупроводникового материала, в котором значительное понижение электронного сродства, вплоть до отрицательного, достигается за счет большого поверхностного изгиба зон в полупроводнике р-типа и создания на поверхности активирующего покрытия, сильно понижающего электронное сродство. Однако атот амиттер обладает малым сроком службы и недостаточной термостабильностыо.

Известен также другой алектронный амит- 5 тер с пониженным электронным сродством. содержащий подложку и эмиттирующий слой на основе сегнетоэлектриков (11 . В нем используется монокристалл сегнетоэлектрика, полярная ось которого направлена пер- 20 пендикулярно к плоскосч и алектродов, а поверхность обработана Сз или Cs 0 поI нижающим потенциальный барьер.

Недостатком этого эмиттера является относительно низкая эффективность эмис- gб сии, низкая термостабильность и малый срок службы.

11елью изобретения является повышение аффективности эмиссии, увеличение термостабильности и срока службы амиттера.

Указанная цель достигается тем, что амиттирующий слой выполнен из ниобата лития в смеси с 10-20 вес.Ъ титана.

При изготовлении эмиттера на молибденовую подложку наносится слой, состоящий из смеси ниобата лития н порошкообраз

Ф ного титана,с биндером (раствор нитро клетчатки в амилацетате). Затем произво-т дится термообработка в вакууме 10 ммрт.ст, при температуре 600-1000 К в течение

20-40 мин. Приготовленный таким способом амиттер при напряженностях поля

Е 10 в/см и температуре 300 К дает

3 плотность тока эмиссии 10 а/см . 1 эменение температуры эмиттера от 300 К о до 1000 К практически не влияет на эмиссионный ток в течение 200 ч работы

575711 титана.

Составитель В. Белоконь

PegaKTop С. Иванова Техред A. Демьянова. Корректор ц. Сердюк.

Заказ 4044/37 Тираж 976 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород„ ул. Проектная, 4

Формула изобретения

Электронный эмиттер с пониженным электронным сиодством, содержащий подложку и эмиттирующий слой на основе сегнетоэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности эмиссии, увеличения термостабильности и срока службы, эмиттируюший слой выполнен из ниобата лития в смеси с 10-20вес.%

5 Источники информации, принятые BD внимание при экспертизе:

1, Авторское свидетельство N 404142, кл. Н 01.1 1/30, 1973