Фоточувствительный материал
О П И С А Н И Е (ц 574788
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Соаизлистическкх
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.06.76 (21) 2372338/04 с присоединением заявки Л% (23) Приоритет
Опубликовано 30.09.77. Бюллетень Ле 36
Дата опубликования описания 20.10.77 (51) M. Кл. Н OIL 31/08
Государственнык комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.383.4 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель
П. Г. Рустамов, О. М. Алиев, Р. Ф. Мехтиев и В. Г. Сафаров
Институт неорганической и физической химии АН
Азербайджанской CCP (54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ о = 10-- "— 10 — 4см — см —
ЛЕопт = 2,00 эв>
Изобретение относится к созданию новых фоточувствитсльных материалов, используемых и качестве фоторезисторов, которые могут быть применены в измерительной технике и автоматике.
Известен фоточувствительный материал
GaSe, используемый в качестве фоторезисторов и обладающий следующими физическими параметрами р-типом проводимости, может работать при малых освещениях (5 10 — лк) при длинах волн 0,60 — 0,65 мк (1).
Недостатком указанного фоточувствительного материала является малая фоточувствительность в видимой области спектра — максимальный фототок составляет 0,15 а/лм.в, что недостаточно при работе материала в условиях низкой освещенности (порядка 3 — 5 °
10 — злк).
Целью изобретения является создание фоточувствительного материала с повышенной чувствительностью в видимой области спектраа.
Поставленная цель достигается тем, что в состав материала дополнительно введен селенид иттербия и полученный состав соответстВ1 еТ форм Ie (GBSe)! — А т (YbqSeq)x, где
Х =- 0,01 — 0,03.
Лучшими физическими параметрами фото увствительный материал обладает при
Х=0,009, т. е. когда материал имеет в своем составе 99,1 мол. /о GaSe и 10,9 мол. /о
YbqS ez.
Пример. Фоточувствительный материал получают путем сплавления исходных элементов, взятых в следующих соотношениях:
99,9 — 97,0 мол. /о GaSe, 0,1 — 3,0 мол. /о YbgSeq (Ga 0,4676 — 0,4182 г, Yb 0,0023 — 0,0642 г
Se 0,5300 — 0,5176 г) при оптимальном варианте 99,1 мол, /î GaSe+0,9 мол т Ь.$ез (Ga — 0,4527 г, Yb — 0,0204 г, Se — 0,5268 г для получения одного грамма материала) в эвакуированных кварцевых ампулах (до 10 — мм рт. ст. при 980 — 1000 С в течение 3 час, с последующей гомогенизацией при 750 С в течение 2 час. Монокристаллы сплавов указанных составов выращивают методом Бриджмена.
Температурный градиент Т1(980 С)
Т,(840 С) со скоростью движения ампулы
3,5 — 4,0 мм/в час.
Изготавливают несколько образцов фоточувствительного материала состава (GaSe)1 + (т Ь Ьез)х при Х=0,001 — 0,03.
Результаты. испытания образцов представлены в таблице и на графиках фпг. 1 и 2.
Изменение физических свойств сплавов состава (GaSe) х —, (1 Ь.Без) х (Х=0,001 — 0,03) при 300"К 574788
Удельный интегредиент чувствительности, а/лм в
Удельное электросопротивление, р ом см Термо-ЭДС Ширина зап, зоны мкв/Г Q E эв
Тип проводимости
Состав материала, %
Оа$е
99,7 G a Se + О, 39 Yb,Se3
99,3 GaSe -+ 0,7 Yb,Se, 99,1 GaSe + 0,9 Yb,Se, 99,0 GaSe +- 1 Yb,$å, 97,0 GaSe +-- 3 Yb,$å, 2,9 10"
4,4 10
4,2 104
5,2 104
5,3 10
1 4 104
0,15
0,52
1,12
1,55
1,28
0,50
ЗЗО
570
),902
1,895
1,866
1,902
1,901
1,899
P
P
Р
GaSe+0,9 мол. % Yb Sea) имеет значение
1,55 а/лм в при номинальной напряженности
1,5 — 2 в.
Формула изобретения
Фоточувствительный материал на основе селенида галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности в видимой области спектра, в состав материала
10 дополнительно введен селепид иттербия, и полученный состав соответствует формуле (GaSe) 1 — л Г (Yb Se3) л где Х=-0,001 — 0,03.
Источники информации, 15 принятые во внимание при экспертизе
1. Впве R. Н., Lind Е. L. Physical Review, 115, 1159, 1959.
/60
Ю00
Й00
Ъ с; 1000 ф
ХОО (ь
%Щ 6е. У, p„
/ОО
Заказ 2204/9
Тираж 995
Подписное
Изд. № 787
Типография, пр. Сапунова, 2
Как видно из таблицы и на графиках фиг. 1 и 2 с увеличением в составе содержания
Yb>Se> в GaSe фоточувствительность увеличивается и достигает своего максимального значения при содержании 0,9 моль % Yb2Sea. Последующее увеличение содержания Yb>Se> не влияет на фоточувствительность образцов.
При содержании Yb2Sea 0,9 мол. % фоточувствительность GaSe увеличивается в 10,3 раза, а в сравнении с матсриалом состава 99 мол.%
GaSe+1 моль % YbqSea почти в 5 раз и в целом полученные материалы по фоточувствительным свойствам прсвышают исходный материал на основе баЯе црп одинаковой освещенности.
При этом удельная интегральная чувствительность оптимального состава (99,1 мол.%
0t 0705 07 0gP ЮР ОО Ю Хе —., /Ю 5
/Ю v, М, ЮО g00
УО
ХРО
М
4 т00
Щ
015050 ОЯ 060065 070 07ХРОООРГ РЫ,с &<, 1
P0P
