Тензопреобразователь"
ОП ИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (»> 568852
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное K авт. свид-B) — (22) Заявлено 15.01.76 (21) 2324755/10 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 14.11.77 (51)М.Кл.- G 01 К 7/22
А 61 В 5j00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 531.787.23 (088.8) (72) Авторы изобретения
В. Н. Зимин, В. С. Папков, М. В, Суровиков и Л. H. Поддубная (71) Заявитель (54) ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЪ два прямоугольных выступа 8, полупроводниковые тензорезисторы 4, соединенные прп помощи контактных площадок 5. Внешние границы мембраны и выступов на чертеже проекции показаны пунктиром.
Изобретение относится к области измерительной техники и предназначено для применения в медицинской аппаратуре при измерениях давления во внутренних органах человека. 5
Известны преобразователи, использующие тензоэффект в полупроводнтвках (1), однако размеры этих преобразователей велики, что исключает возможность применения в медицинской аппаратуре.
Наиболее близким к предлагаемому является известный микроминиатюрный тензопреобразователь, содержащий круглую мембрану с тензочувствительными резисторами, со- . еднненньвми по мостовой схеме (2).
Недостатком известной конструкции является низкая разрешающая способность, т. е. слабая чувствительность к небольшим изменениям давления.
При воздействии давления мембрана прогибается, причем выступы на ее поверхности играют роль концентраторов механического напряжения, увеличивающих деформацию тонких участков мембраны, а соответственно, и деформацию полупроводниковых тензорезисторов, что позволяет повысить точность измерений.
Формула изобретения
Тензопреобразователь, содержащий мембрану с полупроводниковыми тензорезисторамп, соединенными по мостовой схеме, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, на одной стороне мембрана имеет прямоугольные выступы, между которыми на обратной стороне мембраны сформированы полупроводниковые тензорезисторы.
Для повышения разрешающей способно сти в предлагаемом тензопреобразователе на одной стороне мем брана имеет прямоугольные выступы, между которыми на обратной стороне мембраны сформированы полупроводниковые тензодатчики.
На фиг. 1 и 2 показан описываемый тен- Источники информации, принятые во внпзопреобразователь, содержащий диск 1 с про- мание прп экспертизе: филем мембраны 2, на которой расположены 30 1. Полякова А. Л. «Ôèçè÷åñêèå лринципы
568852 работы полупроводниковых датчиков механп ческих Величи!!>>. АеуетическиЙ жуj)на. r, то.
Х1 III, вып. 1, 1972.
lj
Составитель Л. Кочураев
Тскред М. Семенов
Редактор С. Хейфиц
Корректор В. Гутман
3 ак аз 677/ 699 Изд. № 668 Тира>к 881 Поди пс!сое
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фил. пред, «Патент»
2. Я урнап «IEEE Transactions of Biorne йса! Enginee! ïg VBiME-20», № 2, 1975, стр.
101 — 109 (прототип).

