Устройство для усиления

О П И С А Н И Е " 565377

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 10.02,75 (21) 2103132/09 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Опубликовано 15.07,77. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 23.08.77 (51) M. Кл. Н 03F 3/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изосретений и открытий (53) УДК 621.375.026 (088.8) (72) Автор изобретения

В. М, Кибаки

Горьковский политехнический институт им. А. А. Жданова (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСИЛ ЕНИЯ

Изобретение QTIHocHTcH к радиотехнике и может использоваться,B ключевых усилителях

НЧ-сигналов с малым уро внеи нелинейных ,искажений.

Известно устройство для усиления, выполненное на транзисторах по модестовой схеме, в одной паре смеженных плеч которого включены однотактные усилители класса Д fl), Однако известное устройство имеет боль шой у ровень нели нейных искажений усиливавмото сигнала при малых у рознях сигнала.

С целью снижевия .нелинейных искажений усиливаемого сигнала в предлагаемое устройcTlBo для усиления во второй паре смеженных плеч .включены ли нейные эмиттерные по вторители,,пар аллелыно которым подключены дополнительные линейные усилители, соединенные с входам устройcTIBB для усилвния и дополнительно введенным .источееиком смещения через соответствующие вентили.

На чертеже представлвна электрическая схема устройства для усиления.

Устройство содвржит транзисторы 1 — 4, собранные по мостовой схеме, в одной IIaipc смеженных плеч которого включены од нотактные усилители класса Д на транзисторах 5, 6, во второй паре смежных плеч включены линейные эмиттерные повторителями на транзисторах 7, 8,,параллельно которым подключены дополнительные линейные усилители на

2 транзисторах 9 — 12, соединенные со входом уст рой ства для усиления и дополнительно в веденным источником 13 смещения через соответст вующие вентилями 14, 15, а также резисторы 16, 17, подключенные к источнику 18 питания, на копителыные индуKTHBHocTH 19, 20, обмотки связи 21, 22,,конденсаторы 23 — 25, диссиды 26, 27, напрузку 28, защитные,диссиды

29, 30, через которые подается смещение на

10 транзисторы 9 — 12 от дополнительно введенного источ ника 13, входной трансформатор 31 с .конден саторо м 32.

У стройспво работает следующим образом.

В исходном состоянии при отсутствии

15 входного сигнала транзисторы 1 и 7, 3 и 8 открыты, а транз исторы 2 и 5, 4 и 6 соответственно закрыты за счет резисторов 16 и 17.

От дополнительно введен ного источника 13 через транзисторы 10 и 7, 12 и 8 лротекает

20 начальный ToiK, величина которого определяется падвнивм на пряжения cooTiBeTicIIBeHHO на диодах 29 и 30. П ри подаче на вход устройства сипнала малого уровня работает линейное звено мостовой схемы,:выполненное на

25 транзисторах 1 и 7, 3 и 8, 9 и 10, 11 и 12, поскольку на них есть начальное смещение.

Выходной сигнал на нагрузке 28 поддержи вают транзисторы 2 и 4, 5 и 6 в закрытом состоянии. Как только амплитуда на пряжения

30 на,напрузке 28 достипнет значения, близко565377

Составитель В. Великовил

Тскрсд 3, Тараненко

Редактор T. Янова корректор Л. Брахнин»

Заказ 5255

Изд, № 577 Т,ираж 1080

1-1ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Я-35, Раушская паб., д. 4/5

Подлисное

NOT, Загорский филиал го Е „, (Е,„, — напряжение источника 13), транзисторы 10 и 12 приблизятся к режиму нась.щения, дальнейшее возрастание входного сигнала уже не п ри во дит,к пропорциональному увеличению выходного сигнала за счет источника 13, что обуславливает отпирание транзисторов 2 или 4, в за ви си мости от знака полуволны входного сигнала. Транзисторы 2

HJ1H 4 открывают соответственно транзисторы 9 или 10, которые работают в режиме автоколебаний, генерируя,нап ряже1ние прямоугольной формы, п1ричем длительно сть генерируемых импуJIBDQIB определяется уровнем входного сигнала. Ток, протекающий через нагрузку 28, определяется током пранзисторов 7 или 8 в за виси1мости от знака пол IBQJIны входного сипнала.

Поскольку транзисторы 7 или 8 работают в режиме, близ ком к насыщению за счет резисгоров 16 и 17, то потери в них малые, чем достигается высокий КПД всего устройства, а линейный режим этих транзисторов обеспечи вает малый уро1вень,нелинейных ис кажений усили ваемого сипнала.

Фо1рмула изобретен1ия

Устройство,для усиления, вьгполнен ное на транзисторах по мосгавой схеме, в одной паре смежных плеч, которого,включены однотактные усилители класса Д, о тл и ч а ю щ е е10 - я тем, что, с целью анижения нелинейных искажений, во второй паре смежных 1плеч включены линейные эмиттерные,по вторители, параллельно которым подключены:дололнительные линейные усилители, соеди нен|ные со

15 входси уст1ройства для усиления и доаолнительно введенным источни ком смещения через соответспвующие iBBHTHJIи.

Источники и нфо1р маци1и, принятые во BIHH20 мание при экспертизе

1. Ши P. Ф. Расчет транзисторных цепей.

М., «Эне1р гия», 1964, с. 78.