Формирователь наносекундных импульсов

О Й И C А Н И Е !!!15637П

ИЗО БР ЕТ ЕН И Я

СОюз Сооетсиих

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13.10.75 (21) 2179703/21 с присоединением заявки Ы (23) Приоритет

OIIvoликовано 30.06.77. Бюллетень М 24 (51) Ч, Кл. - Н 03К 5/04

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений ч открытий (53) УДК 621.374.2 (088.8) Дата опубликования описания 25.08.77 (72) Авторы изобпетсни!!

Л. Е. Завьялова и В. P. Пузик (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ НАНОСЕКУНДНЪ|Х ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к формирователям импульсов, и может использоваться в устройствах вычислительной техники, автоматического управления и регулирования, дискретной автоматике и телемеханике.

Известен формирователь наносекундных импульсов, содержащий два транзистора одного типа проводимости, базы которых через диоды подключены к источнику входного сигнала, коллекторы через нагрузочные резисторы — к полюсу источника питания, а коллектор первого транзистора подключен к базе второго транзистора, резистор смещения первого транзистора, включенный между базой первого транзистора и пол!осом источника питания, времязадающий конденсатор и источник смещения (1).

Однако этот формирователь не способен формировать импу;II cI! крутизна фронтов которых больше крутизны перепада напряжения входного сигнала, и, кроме того, имеетнедостаточную надежность запуска, обусловленную наличием входной дифференцирующей емкости, уменьшающей амплитуду продифференцированного импульса.

Цель изобретения — формирование импульсов, крутизна фронтов которых больше крутизны фронта перепада напряжения входного сигнала, и повышение надежности формирователя.

Для этого в предлагаемом формирователе наносекундных импульсов эмм итеры обоих

5 транзисторов подключены к полюсу источника смещения, другой полюс которого подключен к общей шине, а времязадающий конденсатор включен между базой первого транзистора и общей шиной.

10 На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого формирователя.

Формирователь наносекундных импульсов содержит источим!к 1 входного сигнала, диоды 2 и 3, транзисторы 4 и 5 обратной проводимости, резистор 6 смещения, нагрузочные резисторы 7 и 8, источники 9 и 10 питания и смещения соответственно и времязадающпй конденсатор 11, причем источник 1 через диоды 2 и 3 подключен к базам соответственно

20 транзисторов 4 и 5, соединенным с положительным полюсом источника 9 через резисторы 6 и 7, конденсатор 11 включен между общей шиной и базой транзистора 4, коллектор которого соединен с базой транзистора 5, а эмит25 тер — с положительным полюсом источника

10 и эмиттером транзистора 5, коллектор которого через резистор 8 соединен с положительным полюсом источника 9, отрицательные полюсы источников 9 и 10 соединены с общей

Зп !ниной.

5637!!

Формула изобретения

Сосг;)ги) гсли Л. Степанов

1скрсд М. Семенов

V.оррсктор Е. Хмелева

Редактор Е. Караулова Зак;)а 1685/8 Ивд. X 557 Тир)))к 080 Подпис).о

Ц11ИИПИ Государствг иного коми tсг) Сов -. I Ми»исгров C ССР

IIo делам ивобрстси)И) и о)крыт»11

113035, )1ос).в;), )К-, ) ) I);I).Ill< к)))I II;II) д -1

1 и))огра )Il)f. »р С; иу»!)IIII, Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы 4 и 5 закрыты.

С приходом положительного перепада напряжения от источника 1 диоды 2 и 3 запираются, транзистор 5 открывается,;1 транзистор

4 удерживается В закрытом состоянии на время заряда конденсатора 11 через резистор 6

1о порога его открывания.

На резисторе 8 с момента отпирания транзистора 5 формируется передний фронт, после насыще транзистора 5--- вершина, а и момент открывания транзистора 4, B результате чего транзистор 5 закрывается, задний фронт Bû.;îäíîãî имllульса.

Крутизна переднего фронта вы: одного импильса определяется крутизной входного перепада напряхкения с у1етом усиления транзистора 5, благодаря которому она возрастает.

Крутизна заднего фронта выходного импульса определяется постоянной времени заряда конденсатора 11 и коэффициентом усиления транзисторов 4 и 5, что позволяет сделать ее соизмеримой с крутизной переднего фронта.

Формирователь наносекундных импульсов, содержащий два транзистора одного типа прово !I!i осгп, базы которы.; 1срез диоды подклю1011ы к исто:)пику входного сип1ала, коллекторы через пагрузочные резисторы — к полюсу источника питания, а коллектор первого транзистора подключен к базе второго транзистора, резистор смещения первого транзистора, включен:1ый между базой первого тран,!crop;I и полюсом источника питания, время.I;I.,;»u!11;III конденсатор и исто 1ник смещения, о тл и I à Io 1!i, и и с я тем, что, с целью фор1-")»IIpoII;..ния импульсов, крутизна фронтов которых ооль:нс крутизны фронта перепада напps!i!,сипя входного сигнала, и повышения надежности, эмиперы ооо!!х транзисторов подключены к полюсу источника смещения, дру20 гой полюс которого подключен к общей шине, а времязадающий конденсатор включен между базой первого транзистора и общей

IIIIIII О и .

1 1 с 1 о ч и и к и информации, принятые в о в н и)5 м I I! II!. !Ip! I экспертизе

1. Мей IIIIII В, II;L1). Наносекундная нмпульc11;IsI техника. М., Лто)миздат, 1973, с. 37, рпс. 78.