Способ изготовления углеродистых резисторов
i!1 56954О
Союз Советскнх
Со!!!!Злвсткчвских
Республик
Е ПАТЕНТ> (61) Дополнительный к патенту
I (51) .Ч 1;„л- Н 01С 17, 00 (22) Заявлено 19.11.73 (21) 1974640/21
I (23) Приоритет — (32) 20.11.72
Государстве!1!!в!к каиктет (31) P 2256770.0 (33) ФРГ
Совета Ы!1!!т!стров СССР по делав3 взобрвтвввЙ и отков!тк!!! Опубликовано 30.05.77. Бюллетень Хо 20
Дата опубликования описания 28.06.77 (53) УДК 621.396.69-181. .5 (03$.8) (72) Авторы изоб1эстсп;lя
Иностранцы
Альфред Энгль, Kypт Март и Петер Штевер (ФРГ) Иностранная фирма
«Сименс АГ» (ФРГ) (71) Заявитель (5!) СПОСОБ ИЗГОТОВ11ЕНИЯ УГЛЕРОДИСТЫХ РЕЗИСТОРОВ перфторгексаном, причсм данную опсрацшо и последую:цс". осаж еннс Ilлспки э, мс!IT;lpl!o10 3-Г.!сродг проводят 3 бс ч",Iсл.10сдной с!рсдс.
П13е1!. 1У1цсc 130 это 0 cl!Oco 3;1 ЯВ, lяеГСЯ То, 5 гго обраоотка подложки тр!!ВГ!Снисм и осажден llc c,lOß с Глс130да 10ГУт 1:1301!Сход11ть нспосредствснно друг 32 другом в одном и том же реакционном сосуде. Таким ооразом, отпадают дополнительные расходы, возникающие прп
10 раздельном рабо1е,! процсссе но известному способу.
Травление водной плавиковой кислотой заменяется травлением пиролитически расщепленным фторированным углеродом, произве)5 денным непосредственно перед началом наугГ!сроживан!1я. В к2 lсстВс:!СходнОГО х!2теопала служит, например, фтороуглсрод псрфоргексан (СвГ1,). При этом реакции, нмеющ11е место при температуре науглсрож:!в",н!1я 900—
20 1000"С, протека;от но следующим схемам:
Схе i!2 peal:,LL!.11 (I) Относится :. !1032 le Ilepфторированного углерода перед началом сооствен11ого науглсрсж"1В21:пя, T. с. Сщс в отсутстВНС СОбственнОГО средств !1 н ау! лсрожиВ2 и ия, 30 схема (11) acaercl! отношения, когда во ВрсИзобретение относится к способу изготовления рсзисторов в виде проводящего слоя, состоящс o нз элемснтарпого углерода, осаждснНОГО Н2 НОД.10жк II3 НеорГ2Н! (чеСI 01 О ИЗОЛИр3ющего ll крсмнийсодержащсго материала.
ИзВестси спосОО НЗГОтовлсн11я i: 1epoдистых резисторов, преимущественно на подложках из кремнийсодержащей керамики, включающий операции очистки подложки травлением, осаждения пленки элементарного углерода методом пиролиза и формирования выводов.
Однако при этом способе с трудом достигается равномерное воздействие протравления на всю поверхность керамической подложки одной партии, часто наступает перетравление, которое ведет к ухудшению временной характеристики слоев сопротивлений при высоких температурах и нагрузке; керамическая подло кка ме:кду пабов!их!и LipoLIecca i!!I претерт!е вает непреодолимые загрязнения и даже инактивацию поверхности, поскольку различная обработка водной плавиковой кислотой влияет на свойства поверхности подложки и этим на скорость пиролпза, а также на равномерность толщины образуюшегося угольного слоя.
С целью обеспечсния равномерности толщины резистивного слоя, повышения стабильноcTil резисторов Ilo предлагаемому способу травление подложки осуществляют газообразным фторуглеродным соединением, например (с!102+2СвГ1 %1Р +10CO+2CO „
7sioв+2свг14, -сзнз /с)1г4+
+ 14С О+ С+4Нс.
560540
Cj)p)JpTBO Tp3B.IClIII2 газоооразное жидкое
Из отдельных сосудов в управляемой тюслеловатсльиости
Из отдельных сосудов в управляемой последовательности
Пример; С,.Н,, и C,F„(D", >) При ер: С,Н)„. и Сга (D, S"" S/1
Средство травлеи ter в исооход,u:ом количестве вводится с помощью средства пауглероживаиия, затем средство травления траиспортируегся защитным газом
Пример: C;H „, CF4N2 (D/I) Как смесь с устойчивой концентрацией
Г1ример: изопропаиол с 10 об, „C,„.F, (D, S) Как смесь с повышенной отдачей средства травления при использовании разрывов смешиваемости, спец. вес. и/или азеотропиая перегонка
Пример: изопропаиол с 10 об., „ С,F,, (D) Из отдельных сосудов в тправляемой последователыюсти
Г1ример; пропав с CF, (1) Из отдельных сосудов в управляемой последовательности
Пример; пропав и C,F4, (D/I, S/I) Средство науглероживапия вводится с помощью необходимого количества средства травлеиия, и последнее транспортируется в камеру пиролиза
Пример: пропан и С,.F,4 (D/I) (D) — напыление из прием|юго сосуда. (S) — впрыскивание в камеру пиролиза посредством насоса. (I) — введение газов из сборников под избыточным давлением.
Формула изобретения
ЦНИИПИ Заказ 1384/18 Изд. Ко 488 Тираж 995 Подписное
Типогг)афия, пр. Сапунова, 2 мя травления углерод (например, пропан) у)ке присутствует.
Предлагаемый спосоо имеет следующие преимущества: процесс травления объединяется с процессом науглероживания и вызывает дополнительные затраты лишь па средства травления; процесс травления самоуправляется: достаточно протравленные, т. е. активированные места поверхности, покрытые прочным слоем угля, в дальнейшем уже не поддаются травлению (этим исключается перетравлеиие), что ведет к улучшению временной характеристики и уменьшению разброса параметров; загрязнение, инактивация и смешение рабочих процессов (травление и науглероживание) исключены; точность оса кдения науглероживания относительно желаемого сопротивления поверхности не зависит от двух различных и связанных неопределенным образом рабочих этапов и поэтому может быть значительно улучшена.
Изготовление резисторов отличается только способом предварительной обработки перед науглероживанием.
Наряду с названным соединением могут применяться и другие фторуглеродные соединения, например СтР)4 или C5Fip.
Примеры практического осуществления способа приведены в таблице. Способ моисет осуществляться как при нормальном давлении в сосуде науглероживания (так называемое
40 нормальное давление науглеро)кпвания), так и при избыточном давлении в сосуде науглероживания, преимущественно от 10 — до
10+ торр. Когда об этом специально не упоминается, в качестве газа-носителя (инертно45 го газа) может применяться азот.
Способ изготовления углеродистых резисто50 ров, преимущественно иа подложках из кремнийсодержащей керамики, включающий операции очистки подложки травлением, осаждения пленки элементарного углерода методом пиролиза и формирования выводов, о тл и ч а55 юшийся тем, что, с целью обеспечения равномерности толщины резистивного слоя, повышения стабильности резисторов, травление подложки осуществляют газообразным фторуглеродным соединением, например перфтор60 гексаиом, причем данную операцию и последующее осаждение пленки элементарного углерода проводят в оескислородной среде.
