Магниторезистор
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (») 544020 (61) Дополнительчое к авт. свид-ву (22) Заявлено24.06.75 (21) 2147826/21 с присоединением заявки _#_ (23) Приоритет (43) Опубликовано25 01.77.Бюллетень М 3 (45) Дата опубликования описания05.05.77 (51) М. Кл
Н 01 L -13/08
Государственный комитет
Совета Министров СССР па делам изооретений и открытий (5О) йК621.396.69 (088.8) (72) Автор изобретения
В ° Н. НОВИКОВ (71) Заявитель (54) МАГНИТОРЕЗИСТОР серебра.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении магниторезисторов (Мр) полупроводниковых резисторов, сопротивление которых зависит от внешнего магнитного поля.
ТолщинуКОР обычно стремятся свести к минимальному значению с целью повышения их сопротивления, а также с целью сни?ке?1ия и? энергии, необходимой для создания управляющего магнитного поля. Наиболее легко это достигается при использовании длят >р тонких пленок полупроводниковых материалов, нанесенных на диэлектрическое основание — 15 подложку.
Известен магниторезистор, содержаший диэлектрическое основание, резистивный слой из анизотропного материала, напри?лер вис— мута, и расположенный между ними подслой 20 из металла (1) .
Однако в известном Й1агниторезисторе недостаточно высокая чувствительность.
Цель изобретения — повыше ие чувствительности магннторезистора за счет увели- ?5 зн" >-I= ?и: ; аг;ппт . >;:,, 1Я B > ОП Е >;10, .> >,?> ?, ?:>>
3ТО ОС 1 ИГ а" > т > Е, > 1 >,:. ?> h:III >Н>t Ñ >PÇI, торе> содержа . hi ди -".!pic ", Iп:;- с е Основаi1IiP., pP3I CTiiB? Ый С .Ой .: > ан >1.збтро>1:1 .>I О
СЛОЙ 1>З:>>О > а?1,,; КОЧ --C PI P ?,IP а, I;* Ilr
СЛОЯ 1 СПС?Ь. ОЛ 11; ОДЦ?1 11.» т>: ..а .:.I!.: 1Е;!ТОВ> 1 »"—
1?ЦОДЦ -{Есной Сl .; .". !, :.i>: C, > .i .. . > ПХ:. ОЬЬ. ШОНИЮ СОДЕР:.Ка?- Ii » 1 . Е; .IC?:i?:I .:;h, !PC !PIICTa.IЛНТОВ Э>1Т:;.>.?а .. .: ?P,l! > Ti;ii" 1?! 1;ОС1?ТЕЛЬНО ПОДЛОЕК11> СОСТ . >>1>1Е .= 1 . ЯЦКC. »1 . О .>а:1Ь;а, меди, хрома, и,:=; 1>н:., 1,:,,:,1я, ..îëîòû, ( содержа цкй ?1э; —..-.;т! i . 1" .>-..1?ова, ие
ПОДСЛОй — Г 11> - °: = .:.. "Тс> . >H I IKT?СО .?ООТ11в>1е1 . .1>:: I:>- >>-.1С:i д?-1ло ":ач1:". . .Л? .1О бо?1
ШЕ COIIPQ, Ii?>>IB?!;,>i IT,!P!>Г >1 I>li! hIV > 1 !! >?Е > >М> >1Ьша О Оы м пиитов:= зi.с енино От.-,. »= 1111е п<х— ладна и вс. 1едств? ?цт?1," «анин. Оптимал?-.—
544020
Составитель П. Лягин
Редактор О. Стенина Техред Н. Андрейчук Корректор Ж- Кеслер
Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное
1ЛНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ная толщина подслоя лежит в пределах 103000 А
Улучшение магниторезистивных свойств магниторезисторов в поперечных магнитных полях на основе пленок висмута, напыленных на подложки с предварительно нанесенным подслоем другого материала, обусловлено влиянием подслоя на структуру пленок висмута.
Известно использование подслоя при напылении тонких пленок различных материа— лов в тонкопленочной технологии для улучшения адгезии пленки к подложке, но неизвестны сведения о влиянии материала подслоя на магниторезистивные свойства пленок и их структуру.
При напылении висмута на подложку с подслоем кристаллиты подслоя служат эффективными центрами зарождения кристаллитов висмута при конденсации паров висмута на подложке и способствуют росту кристаллитов висмута с различной их оринетацией относительно подложки. B результате в пленке висмута формируются кристаллиты с более выгодной ориентацией относительно подложки, что приводит к увеличению магниторезистивного отношения в поперечном магнитном псле. Наличие в пленках висмута, напыленных с подслоем указанных материалов, кристаллитов с различной ориентацией подтверждено при рентгеноструктурном исследовании пленок. В качестве материала подслоя, помимо чистых металлов, могут быть применены сплавы на их основе.
Преимуществом данного магниторезистора 35 является более высокое и воспроизводимое магниторезистивное отношение по сравнению с известными пленочными магниторезисторами из висмута.
В магниторезисторах без подслоя магниторезистивное отношение в поле с индукцией
B= 1 т составляет 1,13-1,23.
Введение подслоя приводит к увеличению магниторезистивного отношения в поперечном магнитном поле с индукцией В = 1т до значения 1,24-1,37. Таким образом относительное приращение сопротивления в магнитном поле за счет введения подслоя увеличивается приблизительно в 1 5-2,0 раза.
Формула и з о б р е т е н и я
° Э
Магниторезистор, содержащии диэлектрическое основание, резистивный слой из анизотропного материала, например висмута, и расположенный между ними подслой из металла, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности магниторезистора за счет увеличения значения магниторезистивного отношения в поперечном магнитном поле, в качестве металла подслоя использован один из ряда элементов периодической системы, способствующих повышению содержания в резистивном слое кристаллитов оптимальной ориентации относительно подложки, состоящего из никеля, кобальта, меди, хрома, платины, палладия, золота, серебра.
Источники информации, принятые во вниние при экспертизе:
1. Авт. свид. СССР М 311295, кл.
Н 01 с 7/00, 1970 (прототип).
