Ассоциативная ячейка памяти

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТЮЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик (11) >38425 (61) Дополнительное к авт. свид.ву (22) Заявлено 05. 09. 75 (21) 2169873/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05. 12.76. Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 05.04.77 (51) М. Кл.

G 11 С 15/04

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий (53) УДК 681.327.67 (088.8) (72) Автор изобретения

И. H. Кабанов (71) Заявитель (54) АССОЦИАТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Из известных ассоциативных ячеек памяти наиболее близким техническим решением к данному изобре- ð тению является ассоциативная ячейка памяти, содержащая информационные транзисторы, коллекторы и базы которых соединены перекрестно, а эмиттеры подключены к первой управляющей шине, нагрузочный двухколлекторный транзистор дополняющего типа, коллекторы которого соединены с базами информационных транзисторов, а эмиттер — со второй управляющей шиной, выходные транзисторы, коллекторы которых подключены к шине ассоциативной выборки, и разрядные шины 2ц (2). Кроме того, ячейка содержит другие управляющие шины, что затрудняет ее выполнение в интегральной форме и значительно усложняет саму ячейку.

Целью изобретения является упрощение ячейки. 25

Изобретение относится к области ЗУ.

Известны ассоциативные ячейки памяти (1,2).

Одна из известных ассоциативных ячеек памяти выполнена интегральным способом и содержит большое количество транзисторов (1), Кроме того, б она потребляет большую мощность при обращении и особенно при хранении информации.

Эта цель достигается тем, что предложенная ассоциативная ячейка памяти содержит вспомогательные двухколлекторные транзисторы дополняющего типа, эмиттеры которых подключены к разрядным шинам, одни коллекторы соединены с базами выходных транзисторов, другие — с базами информационных транзисторов. Эмиттеры выходных транзисторов и базы транзисторов дополняющего типа соединены с первой управляющей шиной.

На чертеже дана электрическая схема предложенной ячейки.

Ассоциативная ячейка памяти содержит два, например двухколлекторных, информационных транзистора 1 и 2, нагрузочный двухколлекторный транзистор 3 дополняющего типа, два выходных транзистора 4 и 5 и два вспомогательных двухколлекторных транзистора 6 и 7 дополняющего типа.

Эмиттеры транзисторов 1,2,4, и 5 соединены с базами транзисторов 3,6 и 7 и подключены к первой управляющей шине 8, которая может быть общей шиной. Эмиттер транзистора 3 соединен со второй управляющей шиной 9, которая может быть словарной шиной. Эмиттеры транзисторов 6 и 7 соединены соответственно с разрядными шинами 10 и 11. Коллекторы транзисторов 4 и 5 соединены с шиной

538425 ассоциативной выборки 12, коллекторы транзисторов 6 и 7 — с базами транзисторов 1,2,4, и 5.

При всех режимах напряжение на шине 8 равно О.

В режиме хранения на шину 9 подается неболь- S шое положительное напряжение порядка 0,4-0,8 В.

При этом эмиттер транзистора 3 открыт и инжектирует ток в базы транзисторов 1 и 2. Так как базы и одни из коллекторов транзисторов 1 и 2 перекрестно связаны, то один из транзисторов открыт, à lO другой закрыт. Примем, что когда транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт — в ячейке хранится

"1", при противоположном состоянии транзисторов 1 и 2 — "О". На шину 12 подается положительное напряжение, а на шины 10,11 — небольшое отри- ® цательное напряжение.

В режиме записи напря>кение на шине 9 понижается до нуля, а напряжение на одной из разрядных шин 10 или 11 повышается до напряжения, достаточного для открывания соответственно змиттерного перехода транзистора 6 или 7. Для записи "1" положительное напряженис подается на шину 10.

После того как транзистор 1 включился, а транзистор 2 выключился, понижается напряжение на шине 10. Для записи"О". положительное напряжение подается на шину 11.

В режиме считывания с целью увеличения тока считывания повышается напряжение на шине 9, Если в ячейке хранится "1", то коллектор транзистора 6, соединенный с базой транзистора l, инжектирует ток в эмиттер транзистора 6 и по ппше 10 протекает ток. По шине 11 ток считывания не протекает. При считывании "0" ток считывания протекает rro шине 11, а по шине 10 не протекает.

При записи и при считывании ток по шине 12 не протекает.

В режиме ассоциативной выборки (поиска) повышается напряжение на шине 9 и на одной из разрядных шин 10 или 11, Предположим, что в ячейке хранится "1", транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт, При подаче положительного напряжения на шину 10 открывается транзистор 6, а по шине 12 ток не протекает, Формула изобретения

Ассоциативная ячейка памяти, содержащая информационные транзисторы, коллекторы и базы которых соединены перекрестно, а эмиттеры подключены к первой управляющей шине, нагрузочный двухколлекторный транзистор дополняющего типа, коллекторы которого соединены с базами информационных транзисторов, а эмиттер — со второй управляющей шиной, выходные транзисторы, коллекторы которых подключены к шине ассоциативной выборки, и разрядные шины, отличающаяся тем, что, с целью упрощения ячейки, она содержит вспомогательные двухколлекторные транзисторы дополняющего типа, эмиттеры которых подключены к разрядным шинам, одни коллекторы соединены с базами выходных транзисторов, другие с базами информационных транзисторов, эмиттеры выходных транзисторов и базы транзисторов дополняющего типа соединены с первой управляющей шиной.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Электронная промышленность,Ъ 7, 1974 r., с. 25.

2. Патент США N 3643 231, кл. 340 — 173, 1972 г. (прототип) .

538425

Составитель и, Рудаков

Техред М. Ликович

КорректоР А. Лакида

Редактор Л. Утехина

Заказ 5724/31

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Тираж 720 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д.4/5